用TLC555测量电源的瞬态响应

现代工业产品对电源的瞬变响应要求非常严格，一般产品等效负载的电流变化率不到３０Ａ／ｍｓ，性能好的也仅有５Ａ／ｎｓ，并且精确测量这些特性也是很困难的。下面就介绍一种用定时器ＴＬＣ５５５测量的实用电路，其负载电流变化率为３０Ａ／ｎｓ。如图所示，ＴＬＣ５５５的输出和电阻负载通过一个ＦＥＴ开关ＳＩ９４１０（ＩＣ３）连接起来。在一特定的频率和区问内，开关或开或断。负载包括四部分，每一部分负载组都是由５个５．１／３Ｗ的电阻并联而成，组成１个５．１／１５Ｗ的等效电阻。也就是说每一个负载组在ＦＥＴ开关关闭时从电…     

VMOS场效应管开关电源

本文介绍用新型功率器件ＶＭＯＳＦＥＴ研制的输出直流２４Ｖ、１０Ａ开关电源。该电源与双极型功率管开关电源相比，效率进一步提高，体积、重量进一步减小，电路大为简化，可靠性大大提高。与双极型功率管相比，ＶＭＯＳＦＥＴ具有两大突出优点：１）开关速度极快，可以在几ｎｓ到几十ｎｓ的时间内开关几Ａ到几十Ａ的电流，比同功率双极型开关管快１～２个数量级；２）ＶＭＯＳＦＥＴ为电压控制器件，几乎不需要驱动电流。因此，用ＶＭＯＳＦＥＴ代替双极型功率管可使管耗进一步下降、效率进一步提高；集成块可直接驱动，使驱功电路非常简单而可靠，功耗、体积也相应减小。有效地克服了双极型开关电源的缺点。     

1-wire网络的电缆选择与保护

１选择电缆１-Ｗｉｒｅ网络包含三个部分 :主机、电缆、以及１-Ｗｉｒｅ器件。在主机和１-Ｗｉｒｅ器件之间的电缆可以通过数据线上的电感、电阻及电缆电容进行等效建模 ,其电缆电容一般为电缆长度与线长比容的乘积 ,一般５类双绞线的比容为５０ｐＦ／ｍ。同样 ,电缆的电阻是线路长度乘以每条导线每米的等效电阻。１-Ｗｉｒｅ器件通常可以通过其输入电容（Ｃｉｎ）、固定放电电流（Ｉｄｉｓｃ）、寄生电源电路（Ｄｉ、Ｒｉ、Ｃｌｏａｄ）及其在通信时的１０μＡ工作电流（Ｉｏｐ）来模拟。每个１-Ｗｉｒｅ器件需要５μＡ的空闲电流来保持其…     

业界风云

ＩＲ宣布ＤＣ－ＤＣ转换新技术 国际整流器公司（ＩＲ）最新推出的功率半导体,可在三个主要领域强化直流－直流应用系统性能：首先,用于新一代电信及网络功率管理的ＩＲ１ １７６同步整流集成电路,配合新型ＩＲＦ７８２２ ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ,使４８Ｖ输入／１．５Ｖ隔离输出变换器能在４０Ａ全负载环境下,达到８５％的效率水平。该芯片组可简化宽频网的低压、大电流输出ＤＣ－ＤＣ转换器设计,实现更高的效率和更佳的成本效益。其次,用于隔离及非隔离（降压）同步ＤＣ－ＤＣ变换器的３０ＶＨＥＸＦＥＴＭＯＳＦＥＴ,比业…     

大信号设计GaAs MESFET功率合成

利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为９．６ｍｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯，利用内匹配功率合成技术，在Ｃ波段（５．５～５．８ＧＨＺ）制成１ｄＢ压缩功率大于８Ｗ，典型功率增益９ｄＢ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内匹配功率管。     

ROHM公司CD／CDROM用集成电路一览表

ＲＯＨＭ公司ＣＤ／ＣＤＲＯＭ用集成电路一览表ＣＤ信号处理品名电源电压（Ｖ）功能特点封装ＢＡ６３７６Ｋ３．１～３．８ＲＦ·ＴＥ·ＦＥ生成、探伤、ＡＰＣ适应电压输出拾波、可在低电压下工作、内设自动聚焦ＱＦＰ３２ＢＡ６３７７Ｋ３．１～５．５ＲＦ·ＴＥ·Ｆ...     

CYPRESS双端口静态存贮器

ＣＹＰＲＥＳＳ双端口静态存贮器ＣＹＰＲＥＳＳ型号ＩＤＴ对应型号最大存取时间ｔＡＡ（ｎｓ）最大工作电流（ｍＡ）最大维持电流（ｍＡ）存贮容量Ｂｉｔ封装形式ＣＹ７Ｃ１３０７１３０２５／３０／３５／４５／５５１７０／１２０／１２０／９０／９０ａ１７０／１２０...     

LT1780/LT1781双RS232驱动器/接收器

Ｔ１７８０／ＬＴ１７８１双ＲＳ２３２驱动器／接收器具有单５Ｖ电源、低功耗（只有４０ｍＷ）、±１５ｋＶＥＳＤ保护（在ＲＳ２３２线端不需要昂贵的ＴｒａｎｓＺｏｒｂｓ）。只用０．１μＦ外部电容器便可工作在１２０ｋＢａｕｄ（对于负载ＲＬ＝３Ｋ,ＣＬ＝２５００ｐＦ）,２５０ｋＢａｕｄ（对于负载ＲＬ＝３ｋ,ＣＬ＝１０００ｐＦ）。ＬＴ１７８０／ＬＴ１７８１与ＥＩＡＲＳ２３２标准是完全一致的。它的输出能承受±３０Ｖ而不损坏。在关闭或断电条件下其驱动器和接收器的输出处于高阻抗态。ＬＴ１７８０／ＬＴ１７８１的应用包…     

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。     

固体软启动开关控制电路

诸如白炽灯、粘滞性负载电机（负载与速度成正比）等的阻抗在启动期间呈非线性状态增加,启动峰值电流相当大,这对负载和与之相串联的限流ＭＯＳＦＥＴ产生很大的冲击。为了减小启动期间的峰值电流,保护负载和与之相串联的限流ＭＯＳＦＥＴ,减少耗费,本文给出了一种固体软启动开关控制电路,可有效地减小峰值电流。１．　电路结构图１所示固体软启动开关控制电路包括：ＭＯＳＦＥＴＴ１～Ｔ４、运算放大器ＯＰ、比较器ＣＰ、逻辑电路、电压倍增电路、电阻Ｒ１、第一个电压参考源Ｖｒｅｆ１和第二个电压参考源Ｖｒｅｆ２。非线性负载（例…     

δ掺杂的赝配HEMTAlGaAs／InGaAs／GaAs结构的光电流谱

本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴＳ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光电流谱研究．实验观察到了ｎ＝１重空穴子带到ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带的激子吸收峰以及ＧａＡｓ本征吸收相位变化所引起的光电流结构，并对光电流谱随温度和偏压变化的行为进行了讨论．     

富士通研究所开发3．5V GaAs HBT

富士通研究所开发３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ日本富士通研究所已研制成作为新一代便携电话的３．５ＶＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）和新结构ＨＢＴ。ＧａＡｓＨＢＴ具有与用于便携电话的发射部分的ＧａＡｓＦＥＴ相比，芯片面积减少１／２，大功率增益和单一电源工作等...     

5.5瓦AC适配器

具有通用输入（８５－２６５Ｖ ＡＣ）的 ５．５Ｗ（９Ｖ,０．６Ａ） ＡＣ：适配器电路示于图１。此适配器的关键元件是ＴＮＹ２５６（ＴｉｎｙＳｗｉｔｃｈ）控制器,它把高电压功率ＭＯＳＦＥＴ（７００Ｖ）开关与电源控制器组合在一个器件中。它不像通常的ＰＷＭ（脉宽调制）控制器那样,采用简单的ＯＮ／ＯＦＦ（开／关）控制来调整输出电压。ＴＮＹ２５６控制器由一个振荡器、使能（感测和逻辑）电路、５．８Ｖ稳压器、旁路端欠压电路、过温保护、限流电路、前沿消隐和一个７００Ｖ功率ＭＯＳＦＥＴ组成。ＴＮＹ２５６包括用于线路欠…     

InP衬底上的p—沟和n—沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常用晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ〉０．５３）Ｉｎ０．５３Ａｌ０．４６Ａｓ／ＩｎｙＧａ（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟增强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导〉２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖｔｈ＝０．     

Al／n—GaAs肖特基接触正向脉冲退化对GaAsIC的影响

本文描述了Ａｌ／ｎ－ＧａＡｓ肖特基接触的正向脉冲退化效应，探讨了当肖特基二极管承受正向电流冲击时，势垒高度ΦＢ升高，直接影响Ａｌ栅ＭＥＳＦＥＴｓ的特性，导致Ａｌ／ｎ－ＧａＡｓ ＩＣ失效的机理。     

双固相外延技术及高性能1μmCMOS／SOS器件的研究

本文较为详细地介绍了能有效地改善ＳＯＳ材料结晶质量的双固相外延ＤＳＰＥ工艺，给出了优化的工艺条件．通过比较用ＤＳＰＥ及普通ＳＯＳ材料制作的ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路的特性可以看出，采用ＤＳＰＥ工艺能显著改善ＳＯＳ材料的表面结晶质量，应用ＤＳＰＥ工艺在硅层厚度为３５０ｎｍ的ＳＯＳ材料上成功地研制出了沟道长度为１μｍ的高性能ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路，其巾ＮＭＯＳＦＥＴ及ＰＭＯＳＦＥＴ的泄漏电流分别为２．５ｐＡ和１．５ｐＡ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器的单级门延迟时间为３２０ｐｓ．     

TSH11x系列宽带低噪声运算放大器

１特点ＳＴ公司推出了ＴＳＨ１１ｘ系列电流反馈运算放大器。该系列运算放大器具有４５０Ｖ／ μｓ的转换率、３ｎＶ／√Ｈｚ的极低噪声、１００ＭＨｚ的带宽以及３．２ｍＡ的静态电流。它们采用±２．５～±６Ｖ或５～１２Ｖ的单电源供电，可驱动最小摆幅为９Ｖ的１００Ω负载（１２Ｖ供电）。该系列运算放大器的谐波和交越失真极低，因此是宽频带多重载波应用系统的理想选择 ,同时适合于高端视频驱动器、ｘＤＳＬ接收器、ＡＤＣ驱动器以及高端音频应用等方面。２封装ＴＳＨ１１ｘ系列中的ＴＳＨ１１０／１１１Ｊ是只有１路输入输出的单芯…     

瑞侃推出新型自复式保险丝

美国泰科电子公司(ＴｙｃｏＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ)旗下的电路保护产品部门———瑞侃公司(ＲａｙｃｈｅｍＣｉｒｃｕｉｔＰｒｏｔｅｃｔｉｏｎ)宣布推出２种高分子正温度系数自复式保险丝———ｍｉｎｉＳＭＤＭ０７５／２４和ｍｉｎｉＳＭＤＭ２６０,提供过电流保护。额定值为２４Ｖ／４０Ａ的ｍｉｎｉＳＭＤＭ０７５／２４元件,适用于键盘、鼠标、主板机、显示器和２４Ｖ的ＩＥＥＥ-１３９４(ＦｉｒｅＷｉｒｅ*),该元件可提供０．７５Ａ的工作电流、１．５Ａ触发电流和２００ｍΩ电阻。低电阻的ｍｉｎｉＳＭＤＭ２６０元件额定值为８Ｖ…     

GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究

本文对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了四种不同的应力试验：１．高温反偏（ＨＴＲＢ）；２．高压反偏（ＨＲＢ）；３．高温正向大电流（ＨＦＧＣ）；４．高温存贮（ＨＴＳ）．通过ＨＲＢ，ΦＢ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大．ＨＴＳ试验中ΦＢ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ．分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明其主要的失效模式为烧毁，ＳＥＭ观察中有电徙动及断栅现象发生．ＡＥＳ分析表明。应力试验后的样品，肖特基势垒接触界面模糊     

一种新型的低压大功率T／R开关MMIC

一种新型的低压大功率Ｔ／Ｒ开关ＭＭＩＣ据《ＩＥＥＥＭＴＴ》１９９５年第５期报道，ＴｓｕｎｅｏＴｏｋｕｍｉｔｓｕ等设计出一种新的ＦＥＴ可转换式ＬＣ谐振开关，取代了常用的Ｔ／Ｒ组件开关。这种新型的低压、大功率、低失真Ｔ／Ｒ开关ＭＭＩＣ可用于手持机等通信设...