沟道电势分布对静电感应晶闸管瞬态特性的影响

本论文从理论和实验上研究了由几何参数与偏置电压决定的沟道电势分布对静电感应晶闸管(SITH)瞬态性能的影响。从理论上推导出了SITH势垒高度和I-V特性的数学表达式。论文深入研究了影响器件在阻断态和导通态瞬态性能的主要因素和机理。研究结果对SITH的设计、制造、性能优化和应用有一定的指导意义。     

电力静电感应晶体管大电压特性的改善

A novel structure for designing and fabricating a power static induction transistor（SIT）with excellent high breakdown voltage performance is presented.The active region of the device is designed to be surrounded by a deep trench to cut off the various probable parasitical effects that may degrade the device performance,and to avoid the parallel-current effect in particular.Three ring-shape junctions（RSJ）are arranged around the gate junction to reduce the electric field intensity.It is important to achieve maximum gate–source breakdown voltage BVGS, gate–drain breakdown voltage BVGD and blocking voltage for high power application.A number of technological methods to increase BVGD and BVGS are presented.The BVGS of the power SIT has been increased to 110 V from a previous value of 50–60 V,and the performance of the power SIT has been greatly improved.The optimal distance between two adjacent ring-shape junctions and the trench depth for the maximum BVGS of the structure are also presented.     

一种用于片上静电保护的超低电压触发晶闸管

本文报告了一种用于静电保护的新型晶闸管。该器件已经在晶圆代工厂的0.18微米CMOS工艺线上成功实现,且无需增加任何额外的光罩或工艺步骤。这一新型的超低电压触发晶闸管的触发电压低至6.7V,静电保护能力超过50mA/μm,为芯片提供了有效的静电保护。相比于传统的中等电压触发晶闸管,这一新结构不仅具有更低的触发电压,而且在正向和反向两种静电测试下均具有更好的静电保护能力。     

一种新型的高维持电压可控硅

可控硅(SCR)作为静电放电(ESD)保护器件,因具有高的鲁棒性而被广泛应用,但其维持电压很低,容易导致闩锁问题。针对高压集成电路的ESD保护,提出了一种新颖的具有高维持电压的SCR结构(HHVSCR)。通过添加一个重掺杂的N型掺杂层(NIL),减小了SCR器件自身固有的正反馈效应,从而提高了SCR的维持电压。Sentaurus TCAD仿真结果表明,与传统的SCR相比,改进的HHVSCR无需增加额外的面积就可将维持电压从1.88 V提高到11.9 V,可应用于高压集成电路的ESD防护。     

一种新型反向阻断IGBT的特性及应用

正在研究一种具有反向阻断能力新型的IGBT，在许多电路中都可以应用，例如：电流源逆变器，可以传递热量的谐振桥臂或矩阵变换器中的双向开关电路。本文介绍了该单集成芯片的工艺及其在正常工作条件下的工作特性。     

一种高电压增益低开关应力的DC-DC变换器

为改善传统Y源DC-DC变换器开关管电压应力高、占空比范围小等缺点,本文提出了一种改进型开关电感Y源变换器(ISLY)。该变换器升压能力明显提高,并且存在连续输入电流,与Y源、改进型Y源拓扑相比,增大了占空比的可调节范围,使电路具有更好的控制灵活性,同时减小了功率开关管的电压应力,从而提升工作效率、节约成本。本文对ISLY进行了详细的理论分析,提供了MATLAB/Simulink仿真结果与实验数据及波形,验证了该 DC-DC 变换器的合理性。     

ADI推出具有领先业界的ESD保护功能的高电压开关

美商亚德诺公司（ADI）正式发表能够在高达±20V下运作的高电压工业应用领域中确保闭锁（latch-up）预防的全新开关。ADG5412以及ADG5413乃是针对仪器、汽车、与其它易于发生闭锁情况的严苛环境所设计，这类环境是一种不希望发生的高电流状态，     

一种新型结构的静电感应晶体管

提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺.     

一种新型高线性度采样开关的设计

设计了一种应用于流水线ADC中的新型高线性度采样开关,该开关采用比较器、反相器链、CMOS对管开关,自举电容等实现,具有较高的线性度。其基本原理为：使MOS管栅极电压实时跟随输入电压,保证其差值恒定,从而实现整体采样保持电路较高的无杂散动态范围。通过Flip-around型采样保持电路进行验证,其无杂散动态范围可达91...     

一种用于5 V电源ESD防护的新型高维持电压MLSCR

针对5 V电源的静电放电(ESD)防护,提出一种利用PMOS管分流的新型优化横向可控硅(PMOS-MLSCR)。相比于传统MLSCR,PMOS-MLSCR具有更高的维持电压和相对较低的触发电压,有效避免了传统MLSCR面临的闩锁风险。基于0.18 μm BCD工艺,采用TCAD仿真模拟PMOS-MLSCR和传统MLSCR,并通过模拟TLP测试器件特性。仿真结果表明,PMOS-MLSCR的维持电压相对于传统MLSCR提升了3.64 V,触发电压降低了1.49 V,并且满足5 V电源ESD防护的设计窗口。     

A new static induction thyristor with high forward blocking voltage and excellent switching performances

A new static induction thyristor (SITH) with a strip anode region and p~- buffer layer structure (SAP-B) has been successfully designed and fabricated. This structure is composed of a p~- buffer layer and lightly doped n~-regions embedded in the p~+-emitter. Compared with the conventional structure of a buried-gate with a diffused source region (DSR buried-gate), besides the simple fabrication process, the forward blocking voltage of this SITH has been increased to 1600 V from the previous value of 1000 V, the blocking gain increased from 40 to 70, and the turn-off time decreased from 0.8 to 0.4μs.