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报道了对LEC法生长的SI-GaAs单晶热稳定性检测结果,在800℃以上温度条件下退火,发现GaAs单晶的热稳定不但与处理的条件有关,还与单晶中杂质C的含量有关。 相似文献
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本文报道了整锭热退火对IEC-SI-GaAs单晶特性的影响.研究发现,在950℃温度和5小时条件下,对SI-GaAs单晶整锭热退火后,单晶的电阻率、迁移率、霍尔浓度、位错密度和电子陷阱El2浓度的分布均匀性有所改善,并且El2浓度和迁移率平均值经热退火后有所提高. 相似文献
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概述了GaAs材料的离子注入及有关的问题,如损伤退火,掺杂剂激活和载流子分布等。另外,还提出了几种改善掺杂效率的方法。 相似文献
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分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘GaAs衬底上制备MESFET,对三种工艺制备的MESFET的阈值电压均匀性进行了研究。结果表明,器件工艺对MESFET阈值电压有一定的影响,开展GaAs MESFET阈值电压均匀性研究应采用适宜的工艺,以尽可能减少工艺引起的偏差。 相似文献
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研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型. 相似文献
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研究了不同能量、剂量As~+、Si~+双注入于SI GaAs中,As~+注入对注Ss~+有源层的影响.首次给出了双注入样品瞬态退火后有源层的激活率和载流子迁移率,退火前后材料的沟道谱.实验表明,As~+、Si~+双注入样品比Si~+单注入样品在较低退火温度下就能激活Si~+,在适当高温下能得到性能良好的有源层. 相似文献
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刘鹏 《信息技术与信息化》1996,(2)
本文介绍了国内外SI-GaAs材料的市场现状及应用,简述了SI-GaAs材料制备新工艺和提高质量水平的途径,指出SI-GaAs材料的发展方向及市场前景,并对我国SI-GaAs材料与国外相比所存在的差距作了分析,提出今后发展的方向。 相似文献
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STN盒边框均匀性及稳定性改善 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了STN—LCD盒边框均匀性和稳定性的改善方法.发现在制盒过程中,热压结束后将样品在170℃下进行2h退火处理能改善由压力不均匀引起的边框厚度不均匀.并且能提高边框的稳定性。 相似文献