防静电陶瓷砖的制备与性能研究

本文以仿古砖净白料(一种制备仿古砖用的陶瓷配合料,下简称净白料)、AZO粉体(ZnO导电粉,下同)为原料,采用独创的包裹技术制备了体电阻值达107Ω的浅色防静电陶瓷砖。同时,探讨了不同的包裹工艺参数对防静电陶瓷砖性能的影响,并利用吸水率测定仪、数显式抗折仪、无釉砖耐磨试验仪,以及绝缘电阻测试仪表征样品的吸水率、抗折强度、耐磨度和导电性能。结果表明:在1170℃烧结温度下,采用包裹技术获得了性能优良的防静电陶瓷砖,样品吸水率为0.05%、抗折强度达44.10 MPa、耐磨度为205.00 mm3、表面电阻为5.90×107Ω、体积电阻为3.10×107Ω。因此,采用包裹技术能够制备出性能达到国家标准的防静电陶瓷砖。     

导电氧化锌的制备及其在浅色防静电瓷砖中的应用

本文采用固相反应法制备了电阻率小于80kΩ.cm的AZO导电粉,研究了Al2O3的掺杂量和粉体合成温度对AZO电阻率的影响,并将所得的AZO粉体加入陶瓷抛光砖坯料中,探讨了AZO粉体对陶瓷砖基本性能的影响,制备出体电阻值达108Ω的浅色防静电陶瓷砖。     

锑掺杂二氧化锡纳米导电浆料的制备与防静电应用

以锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米导电粉体为研究对象,以直径0.2 mm的氧化锆球作为研磨介质,采用卧式砂磨机对粉体进行湿法球磨,并添加分散剂促进纳米浆料的分散稳定化。通过优化试验获得了小尺寸、高稳定性、高固含量的锑掺杂二氧化锡纳米导电浆料。将该浆料加到环氧树脂中,添加量为1.5%时,涂层的电阻率为106Ω·cm,可见光透过率为87%。     

锑掺杂氧化锡包覆氧化硅导电粉的制备及电性能

以氧化硅粉体为载体,用非均匀成核法制备了锑掺杂氧化锡(antimony-doped tin oxide,ATO)包覆氧化硅导电粉.用电阻测试仪、场发射扫描电镜和能谱仪对粉体进行了表征.结果表明:包覆物加入量由二氧化硅用量的12.5%增加到100%时,包覆层厚度也从110 nm增加到600nm.ATO包覆氧化硅粉体的电阻率随处理温度升高的变化趋势与同条件下制备的ATO基本一致,其中包覆物加入量为100%,75%,50%的ATO包覆氧化硅粉在500～1200℃热处理后的电阻率低于200Ω·cm,1 100℃热处理后的25%包覆物加入量粉体的电阻率仅为99.9 Ω·cm.包覆物加入量为12.5%的包覆粉体的电阻率由1 100℃处理后的120.6 Ω·cm上升到1 200℃处理后的超过20 MQ·cm,这是因为包覆层较薄,在高温处理过程中包覆层上颗粒长大并收缩而使包覆层受到破坏.     

包覆型导电填料的制备及在防静电陶瓷中的应用

以氧化硅粉体为载体,采用非均匀成核法制备了ATO包覆氧化硅导电粉.对比了该导电粉与ATO在防静电陶瓷中的应用效果.结果表明:以包覆型导电粉作为导电填料制备防静电陶瓷能够大大地减少ATO的用量,其中包覆物加入率为12.5%、25%、50%、75%和100%的ATO包覆氧化硅粉体加入陶瓷后分别能节省大约66%、40%、35%、30%和25%的ATO用量.     

导电钛白粉的制备及其在防静电涂料中的应用

以氯化法金红石型钛白粉浆料为包膜原料,采用正交试验及单因子试验等方式,以产品电阻率为主要指标,考察了SnO₂包膜量、pH、包膜温度及包膜时间等包覆ATO的相关工艺条件,确定了导电钛白粉的最佳制备工艺。采用该工艺制备的导电钛白粉配制的水性环氧导电涂料,其涂膜性能与进口导电钛白粉制备的涂膜相当,具有很好的应用前景。     

Sb-SnO2/BaSO4导电粉末的制备与表征

以重晶石粉为基体,采用化学共沉淀技术制得表面包覆掺锑氧化锡的Sb-SnO2/BaSO4导电粉末.用差热/热重分析前驱体的热处理特性.用X射线衍射表征样品的结构.系统研究水解pH值和温度、SnCl4·5H2O/SbCl3摩尔比、SnCl4·5H2O用量和焙烧制度对导电粉末电阻率的影响规律.产物的电阻率为13Ω·cm、平均粒径为3 4μm,具有广泛的应用前景.探讨了锑掺杂氧化锡的缺陷与能级效应,确定了导电粉末中掺杂效应的缺陷反应.这种方法为矿物基功能材料的低成本制备提供了新的思路.     

叶腊石基锑掺杂二氧化锡复合导电粉体的制备及电性能

通过化学共沉淀法制备了以叶腊石微粉为基体、表面包覆锑掺杂二氧化锡的复合导电粉体,采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分别对该复合导电粉体晶体结构和微观形貌进行表征,并进一步研究了各反应条件对复合粉体体积电阻率的影响。实验结果表明,当水解温度60℃、水解pH值为1、SnCl4加入量100%、Sb掺杂量16%、600℃煅烧1 h时,可得到体积电阻率为26.cm的复合导电粉体。该复合导电粉体可作为填料广泛应用于导电塑料、橡胶等复合导电产品,同时为矿物基功能材料的低成本制备提供了新的思路。     

一种拥有石材图案的防静电瓷砖

防静电瓷砖相对其他防静电材料具有使用寿命长、装饰效果好等优点,但目前市场上的防静电瓷砖大多只有简单的装饰图案,与常规瓷砖相差甚远。实验选用ATO导电粉,通过工艺组合和调整化妆土、防静电釉的施釉量和喷墨墨水的墨量,实现拥有仿石图案的防静电瓷砖。     

防静电涂料中导电填料的应用

讨论了在防静电涂料中金属系填料、碳系填料、金属氧化物填料、复合填料4类导电填料的特性、应用及开发状况。     

纳米导电炭黑防静电PTFE涂层的研究

以纳米导电炭黑粉体XC-72R作为导电填料对高分子材料进行防静电处理。先对纳米导电炭黑粉体进行球磨分散,制得固含量为35wt%的高稳定性导电浆料,再将该浆料添加到聚四氟乙烯(PTFE)乳液中,并涂布到玻璃纤维布上,经380℃烧结制得防静电PTFE涂层。当炭黑粉体的添加量为3.98wt%时,涂层的电阻率可达106Ω.cm,具有很好的防静电效果。     

PANI/TIO复合材料的制备及其在聚氨酯涂料中的应用

采用原位聚合的方法在锑掺杂氧化锡/氧化钛复合材料（TIO）上包覆一层完整的聚苯胺（PANI）膜,成功制备了PANI/TIO复合材料,将其作为水性聚氨酯涂料的填料,制备了水性聚氨酯导电涂料。利用X射线粉末衍射、透射电镜、红外光谱等分析方法对复合材料进行表征,利用涂层机械性能测试对导电涂料进行了测试。同时得到了制备PANI/TIO三元复合材料的最佳工艺条件：苯胺（An）包覆量为15%、m(An)/m[磺基水杨酸（SSA）]=0.4、m(An)/m[过硫酸铵（APS）]=3。在最佳工艺条件下,得到的PANI/TIO复合材料体积电阻率为15.3Ω·cm。实验结果表明：当填料比为15%时涂层机械性能最佳,硬度为2B、耐冲击力为50 cm、附着力为1级、涂层表面电阻为3.56×105Ω/m2,该导电涂料有较好的应用前景。     

导电填料ATO在防静电陶瓷中的应用现状

本文简要阐述了防静电陶瓷中使用导电填料——锑掺杂的氧化锡(ATO)的导电机理、研究现状,并介绍了导电填料ATO在防静电陶瓷釉料、坯料中的运用。     

山东防静电陶瓷砖国家标准在统一

7月29日,在山东统一陶瓷科技公司院士工作站揭牌仪式上,中国工程院院士、清华大学教授李龙土正式宣布：山东统一陶瓷科技公司制定的我国防静电瓷砖国家标准正式颁布实施．它标志着统一陶瓷生产的防静电陶瓷砖产品从技术到标准均达到国际领先水平。     

金属系防静电涂料导电性能的影响研究

针对金属系防静电涂料,研究了金属粉用量、粒径、种类、形状以及在空气中暴露时间对涂层导电性能的影响。采用涂料电阻率测定仪对涂层表面电阻率进行测定,采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)对金属粉的微观形貌、元素组成进行探究。结果表明:金属系防静电涂料的导电性能与所考查因素密切相关。随着金属粉用量的增加,涂层的导电性能增强;随着金属粉粒径的减小,涂层的导电性能先增强后减弱,400目金属粉制得的涂层导电性能最佳;金属系防静电涂料的导电性能取决于金属粉填料本体的导电性能;由树枝状、混合状、球状铜粉制得的涂层导电性能依次减弱;金属粉在空气中暴露一段时间后,所制得涂层导电性能均明显减弱。     

ZnO压敏陶瓷导电机理的发展与掺杂氧化物的作用

近20年来，有关ZnO压敏陶瓷研究方面的报道很多，本文从ZnO压敏陶瓷的导电机理及掺杂氧化物的作用方面进行了综合评述。     

锑掺杂氧化锡纳米粉体的制备研究

以五水氯化锡和三氯化锑乙醇溶液为原料制备得到前驱体锑掺杂氢氧化锡胶体沉淀,采用乙酸异戊酯共沸干燥法对前驱体进行干燥;用XRD,TEM,IR,BET等方法对粉体的物相、形貌、分散性和比表面积进行表征.结果表明,乙酸异戊酯干燥所得的锑掺杂氢氧化锡微粉经热处理后得到了团聚少、分散性好、晶体颗粒小、粒度均匀的锑掺杂氧化锡纳米粉体.     

离子导电聚合物防静电剂在UV硬涂层中的应用

通过向UV固化硬涂层中添加离子导电聚合物防静电剂,能够将硬涂层的表面电阻降低到1010Ω以下。通过分析防静电剂对硬涂层表面电阻、硬度、附着力等性能的影响,找到防静电剂的最佳添加量为25%。经过150天自然存放测试,离子导电聚合物防静电剂的耐久性佳。     

浅色二氧化硅导电颜料的制备

制备一种改善应用性能的导电颜料,其制备方法是：在ＰＨ１．５、温度４０℃的条件下,向二氧化硅的悬浮液中滴加ＳｎＣｌ４、ＳｎＣｌ２和卤化物的混合溶液,同时滴加一定浓度的ＮａＯＨ溶液,以保持溶液的ＰＨ值恒定。待混合溶液滴加完,再搅拌３０ｍｉｎ,过滤,洗涤和洪干,并在３５０℃温度下煅煅烧１ｈ,得到一种具有较好导电性的白色颜料。