英特尔大连芯片厂将采用65纳米制程技术

英特尔公司近日宣布,正在建设中的大连芯片厂（Fab68）将采用65纳米制程技术,这座全新的300毫米晶圆厂在2010年建成投产后,将生产制造先进的芯片组产品。大连芯片厂总经理柯必杰表示：“大连芯片厂的建设没有受到全球经济衰退的影响,工厂将于2010年如期建成投产。     

为什么是大连?

大连市市长夏德仁大连对手众多,一度希望渺茫夏德仁:英特尔项目落户大连殊为不易。与中国竞争英特尔芯片加工项目的国家就有美国、印度、以色列、爱尔兰,而分布在上述5个国家中的20余个城市与大连竞争,其中包括4个中国城市——上海、西安、成都、青岛。竞争过程中,大连的希望一度有些渺茫。其中最大的对手则是印度,因为该国的软件产业以及英语环境有着明显优势。     

市场纵横

首批新18号文件受惠者名单出炉；联发科收购ADI无线芯片业务；Linuxworld China 2007推动嵌入式和移动应用；英特尔大连厂可能引入65纳米技术；科学家开发新式内存芯片；七家手机公司联手研发储存新标准；[编者按]     

美放松对华限制 英特尔大连厂用65 nm工艺

<正>日前,英特尔中国发言人证实,英特尔大连工厂采用65nm的生产工艺已经获得美国政府批准,但最终到工厂运行时是采用90nm还是65nm生产工艺还未确定。不过对此,业内分析认为,届时英特尔开放     

英特尔投资70亿美元升级32纳米芯片技术

据悉，英特尔计划在未来两年里投资70亿美元升级其在美国的工厂。英特尔称，它的最新的投资是迄今为止它向过渡到新的生产技术进行的最大的投资。英特尔称，这个70亿美元的投资将用于购买俄勒冈、亚利桑那和新墨西哥等州的工厂的新机器。这些机器将用于生产32纳米的芯片。目前最高级的芯片是45纳米的芯片。英特尔在旧金山的一个演示中展示了基于32纳米元件的可工作的微处理器。采用32纳米技术的台式电脑和笔记本电脑芯片计划在今年第四季度投产。     

国际新闻

2004年半导体设备市场排名改变亚洲地区增速最快，2004年全球晶圆代工前10大排名大陆厂成长快速，英特尔拟50亿美元升级工厂推65纳米技术。[编者按]     

业要要闻

英特尔大连设厂尘埃落定英特尔公司(Intel)3月26日在北京宣布,公司将投资25亿美元在辽宁省大连市建立一座先进的300mm晶圆制造厂,用于生产计算机芯片组等产品。新工厂预计将于2010年落成,这是英特尔全球第八家300mm晶圆厂,也是英特尔15年来首次建设新的晶圆厂,该工厂计划今年年底动工,     

英特尔投资25亿美元在大连建12英寸晶圆厂

英特尔2007年3月26日正式宣布,投资25亿美元在大连建立300毫米(12英寸)晶圆工厂(Fab68),这是英特尔首次在东亚兴建芯片前道生产厂。该项目计划2007年底动工,并于2010年上半年投产,项目初期产品将以芯片组为主,以支持英特尔的核心微处理器业务。英特尔总裁兼CEO Paul Otellini表     

英特尔下一代65纳米工艺制程投入使用

英特尔公司宣布制造出基于65纳米技术(下一代半导体批量制造工艺)的全功能SRAM (静态随机存储器)芯片这种65纳米制程融合了高性能、低功耗晶体管、第二代英特尔应变硅、高速铜互连以及低-K电介质材料。采用65纳米制程生产芯片能够将当前单个芯片上的晶体管数量再翻一番。高级晶体管:英特尔新的65纳米制程将采用门长度仅35纳米的晶体管,这是当前开始量产的尺寸最小、性能最高的CMOS晶体管。相比之下,今天最先进的晶体管(用于英特尔奔腾4处理器)其门长度仍有50纳米长。更小更快的晶体管是制造速度更快的处理器不可或缺的构建模块。应变硅(…     

英特尔宣布大连芯片厂（Fab68）将采用65nm制程技术

英特尔公司宣布,正在建设中的大连芯片厂（Fab68）将采用65nm制程技术,这座全新的300mm晶圆厂在2010年建成投产后,将生产制造先进的芯片组产品。英特尔大连芯片厂总经理柯必杰（Kirby Jefferson）在“第七届中国国际软件和信息服务交易会”上宣布了这一决定。     

英特尔与美光将推出25纳米NAND闪存芯片

英特尔和美光科技近日预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。作为目前应用的最小的NAND闪存技术，25纳米生产工艺与2008年推出的34纳米技术相比将显着减小芯片的尺寸。     

解读英特尔大连建厂：欲先取之必先予之

3月26日，英特尔宣布将投资25亿美元在中国大连建立一个晶圆厂。新工厂将采用世界最先进的300毫米晶圆生产技术。此次英特尔晶圆厂落户大连，不但是英特尔在中国市场的最大一笔投资，也是英特尔在东亚的第一个晶圆工厂。     

英特尔开发三闸晶体管技术

英特尔研究人员发现了一种更好的隔离电路的方法,使他们能够在向每个处理器中加入更多的晶体管的时候能够降低功耗。英特尔技术和生产事业部副总裁兼元件研究经理Mike Mayberry表示,英特尔将在2010年之前开始使用这种新的“三闸晶体管”。这种晶体管与当前使用的65纳米工艺生产     

市场动态

全球半导体产业在未来十年的发展趋势；多晶硅材料匮乏制约半导体市场增长速度；2006年将为半导体设备销售历史第二高；英特尔第三座65纳米工厂开张；四川飞阳光电集成芯片项目落户双流西航港……     

英特尔在大连的项目已进入设备安装阶段

波及全球的金融危机并没有影响英特尔大连晶圆厂（Fab68工厂）的建设。目前从市信息产业局获悉，2008年，英特尔大连项目取得重要进展：累计完成建设施工任务1000多万人工时，用于建设的本地物料采购超过10亿元人民币。在日前举行的英特尔新春答谢会上，Fab68工厂总经理科比·杰弗逊宣布定居大连。“通过辽宁省、大连市政府与英特尔之问的紧密合作，让我们共同抵御经济寒流，并使我们的项目成果超越我们原有的期望。”科比说。     

大连英特尔首批生产设备进厂

在世界经济形势不佳，芯片巨头英特尔近来大幅调整战略布局的严峻情况下，英特尔大连工厂的首批生产设备顺利运抵，3月23日进入新厂区。首批运抵大连工厂的生产设备是晶圆自动化传输设备，由5台气垫车装载运进厂区。此外，大连工厂的数据中心IT机房将在本周投入使用，综合办公大楼也将启用。     

SOI材料的发展历史、应用现状与发展新趋势(上)

1.前言2006年随着65纳米工艺的成熟,英特尔公司65纳米生产线步入大批量生产阶段。除英特尔外,美国德州仪器、韩国三星、日本东芝等世界上重要的半导体厂商的65纳米生产线也纷纷投产。45纳米处在研发阶段,如英特尔己有两座12英寸厂开始试     

业界要闻

英特尔正式宣布在大连建厂投资25亿美元英特尔日前宣布将在中国辽宁省大连市投资25亿美元建立一个生产300毫米晶圆的工厂。这一工厂(英特尔Fab 68号厂)是英特尔在亚洲的第一个晶圆厂。英特尔公司总裁兼首席执行官保罗·欧德宁指出,中国     

英特尔开始研发7纳米和5纳米制程工艺

英特尔首席执行官保罗·欧德宁（PaulOtellini）日前表示，英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外，英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。欧德宁表示：“我们的研发已非常深入，面向未来10年。”他透露，英特尔对7纳米和5纳米制程技术的研究仍在按原定时间和目标稳步推进。     

英特尔给大连带来了什么?

英特尔公司总裁兼CEO保罗·欧德宁大连工厂将采用可允许的最先进技术欧德宁:我们从美国政府获得了允许在2009年在中国使用90纳米技术的生产许可证,并允许今后升级。我们还没有就选用的技术作最后的决定,我们计划于2010年投产,届时将采用可允许在中国使用的最先进的技术。