数字储频器设计

介绍了一种数字储频器的设计方案。着重对方案的选择及关键性的指标进行了详细的理论分析。并给出了样板的初步测试结果。     

超宽带固态体声波储频器

该固态体声波储频系统将体声波延迟器件用于储频，利用双环储频方案降低了模拟储频器对环内器件频响特性的要求，实现了超宽带的长时间储频而且有效地降低了系统的调试难度，提高了可生产性。利用频段折叠，覆盖了２．２－１７．８ＧＨＺ的超宽频带范围，２微波混合集成技术，大幅度地减小了整个储频系统的体积、重量，提高了可靠性和电磁兼容性。     

X波段固态功放设计

本文主要结合一种新研制的固态功率放大器,介绍了X波段中固态功率放大器的设计理论和方法。     

一种X波段固态功率放大器

介绍一种X波段固态功率放大器的设计方案,并给出研制结果。     

机载支援干扰的若干技术问题

给出了机载支援干扰的定义，阐述了支援干扰的作用，并讨论了工程实现上的特殊技术问题。     

X波段固态功率放大器的研制

介绍一种新型X波段固态功率合成放大器,其为脉冲工作方式,采用4个30 W末级功率放大模块,通过混合方式进行功率合成,得到80 W以上的峰值输出功率。最大脉冲宽度200μs,最大占空比40%。实测结果表明,无论是输出功率、体积尺寸大小,还是散热、可靠性等方面都有较大的提升。     

X波段固态功率放大器稳定性分析设计

X波段固态功率放大器相对于较低频段的固态功率放大器，其稳定性问题更加突出。腔体效应是导致稳定性问题的重要因素，通过对腔体效应的理论分析，文中提出了工程应用中解决因腔体效应导致的稳定性问题的可行方法，成功地解决了X波段固态功率放大器设计过程中遇到的腔体效应问题。     

X波段固态功率放大器设计及应用

论述了固态功率器件在放大器设计中的优越性,分析了由Lange耦合器和Wilkinson功率分配/合成器进行功率合成的方法,在此基础上介绍了一种由Lange耦合器构成的平衡放大器的设计方法,最后给出了一种由固态功率放大器构成的X波段固态发射机的电路组成、设计原理以及测试数据。     

X波段150W固态合成功率放大器

介绍了一种利用波导实现X波段芯片级功率合成的方法,波导合成器特别适用于大功率、高频段的功率合成,损耗小、合成效率高。借助HFSS软件进行仿真优化,然后依托精密的机加工技术制作出来的波导功率合成器,具有良好的输出端驻波和很小的插损。合成单元20W模块由两个功率单片通过Wilkinson桥合成,在合成之前单独调试,确保功率和相位基本一致。最后得到的合成功率放大器输出功率大于150W,合成效率接近95%。     

数字储频器相干性分析

主要分析数字储频本身对复制信号绝对相干性的影响，讨论了DRFM复制信号的相干性、储频误差与输入信号及系统参数的关系，推导出了计算公式，最后根据实际应用对DRFM的相位相干性进行了说明。     

机载共形电子干扰系统

介绍了机载共形电子干扰系统的优点、组成与结构特点、作战使用方法、自动工作状态与功能、技术特点等，最后介绍了机载共形电子干扰系统目前所装备的机种与前景。     

X 波段氮化镓合成固态放大器

Based on a self-developed A1GaN/GaN HEMT with 2.5 mm gate width technology on a SiC substrate, an X-band GaN combined solid-state power amplifier module is fabricated. The module consists of an AIGaN/GaN HEMT, Wilkinson power couplers, DC-bias circuit and microstrip line. For each amplifier, we use a bipolar DC power source. Special RC networks at the input and output and a resistor between the DC power source and the gate of the transistor at the input are used for cancellation of self-oscillation and crosstalk of low-frequency of each amplifier. At the same time, branches of length 3λ/4 for Wilkinson power couplers are designed for the elimination of self-oscillation of the two amplifiers. Microstrip stub lines are used for input matching and output matching. Under Vds = 27 V, Vgs = -4.0 V, CW operating conditions at 8 GHz, the amplifier module exhibits a line gain of 5.6 dB with power added efficiency of 23.4%, and output power of 41.46 dBm （14 W）, and the power gain compression is 3 dB. Between 8 and 8.5 GHz, the variation of output power is less than 1.5 dB.