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在国内首次用提拉法生长出Ce^3+:LiSrAlF6晶体,晶体尺寸达φ20mm×80mm,测定了其在室温下的吸收及发射光谱,并计算了晶体的主吸收系数及残余吸收系数。 相似文献
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采用中频感应提拉法生长了掺1.0%(摩尔分数)Ce^3+的钒酸钇(Ce^3+∶YVO4)晶体。用分光光度计测量了激发光谱和发射光谱,分析了Ce^3+离子的发光机制,计算了5d能级红移量D(A)=24 290cm-1和光谱极化率αsp=8.58(10-30 m^3)。结果表明:激发光谱中发现Ce^3+离子从4f-5d的特征吸收,两个激发吸收带分别位于蓝紫光区(341~403nm)和紫外光区(225~240nm);发射光谱中在400~600nm区域有较强的5d-4f发射,其FWHM大约是80nm,发射光谱具有不对称的双峰结构,经Gauss拟合,得到发射峰的双峰的中心波长分别为424nm和469nm。该晶体可成为一种潜在的可见光区调谐激光或高温闪烁晶体材料。 相似文献
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掺Yb3+离子的激光晶体 总被引:4,自引:0,他引:4
Yb^3 离子能级结构简单,只有^2F5/2和^2F7/2两个能级,可发射1.05μm的激光。光-光转化效率高,不会产生激发态吸收和交叉弛豫,在940nm有较强吸收,适宜InGaAs激光二极管泵浦。选择合适的基质,可产生自倍频可见激光。 相似文献
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应用Judd-Ofelt理论,计算了YAG晶体中Nd^3+,Tm^3+离子对激活离子Er^3+的荧光强度和荧光寿命的影响。与文献中的实验值比较,结果是满意的。表明适用于单掺稀土离子的J-O理论可用来预测双掺稀土离子晶体的光谱特性。 相似文献
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本文阐述了新型可调谐激光晶体Cr:LiSAF6的光谱特性及灯泵可调谐激光实验的结果,调谐光谱范围770.0-1036.0nm,最大激光输出能量1.17J,斜率效率1.27%;阈值17.6J。 相似文献
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测量了不同温度下Cr,Tm:YAG晶体的荧光光谱和荧光寿命,研究了温度对Cr^3+→Tm^3+能量转移的影响,结果表明,随着温度不断升高,能量转移速率持续增加,能量转移效率先增加后下降,在120K出现极大值。 相似文献
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周稳观 《激光与光电子学进展》1997,34(10):17-19
寻找近期能获得更广泛应用的新固体激光激活介质是一个很重要的任务[1]。实现了一系列基底,用二极管泵浦时它们中的Nd3+离子能获得高效振荡。首先需提到的介质有:Nd3+:Y3Al5O12[12],Nd3+:YLiF[3]Nd3+GdLiF4[4],Nd3+:YVO4[5]和Nd3+:LCSc3(BO3)4[6],它们的特点是阈值低,振荡效率高(微分效率等于55~70%)。本文首次研究由Nd3+离子激活的CaGdAlO4晶体。CaGdAlO4的机械强度好(莫氏硬度为6),导热率高,热扩散系数适中(9×10-6K-1),使其能长出含钛离子浓度高的大尺寸晶体,这些品体可以当… 相似文献
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白光 《激光与光电子学进展》1997,34(9):29-29,17
带有三价澜系元素离子(Ln3+)的氟化物虽然数量不多(已知氟化物有12种单中心结构,而氧化物却有35种),但它们在近代量子电子学中起着重大作用。其中根据激光的巨大潜力(用不同的泵浦方法能在56个4fN—4FN通道(对Ln3+激活剂已知69个通道)和三个4fN-15d1-4fN多重化通道的斯塔克跃迁间在菱形晶体BaLu2F8(1)和单斜晶体BaY2F8(2)中的Nd3+离子在300K时的发光光谱(4F3/2—4F11/2)重跃迁宽光谱范围内实现振荡),分出四组有序结构化合物。这就是四方晶类LiRF4、单斜晶类BaR2F8和LiKRF3以及菱形晶类RF3(式中R=Y和Ln)… 相似文献
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利用1 565 nm激光作为Tm3 :HO3 共掺石英光纤激光器的泵浦带是一项较新的研究内容.动态特性能够有效反映激光振荡机制建立过程中能级粒子数和激光功率的变化情况.为系统实验的优化提供理论依据.建立了该泵浦带下系统的理论模型,基于速率方程和功率传输方程,采用离散算法,在Matlab软件中设置泵浦功率为3 W、光纤长度2.5 m条件下,分别对Tm3 :Ho3 共掺石英光纤的输入端、中点处和输出端的动态变化特性进行理论研究.结果表明:不同位置处.光纤对泵浦功率的吸收程度不同;光纤中粒子数和激光功率的弛豫振荡开始和持续的时间表现出较大差异,信号光振荡峰值远大于达到稳态时的功率:系统的光一光转化效率达到56%. 相似文献
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铟铈铜铌酸锂晶体光谱特性及抗光损伤能力 总被引:1,自引:1,他引:1
在铌酸锂LiNbO3(LN)中掺入0.1 mol%CeO2,0.1 mol%CuO和0.5 mol%、1 mol%和1.5 mol%In2O3,用Czochralski技术生长In:Ce:Cu:LN晶体.利用Avatar-360型FT-IR红外光谱仪测试了晶体的红外光谱,发现In(3 mol%):Ce:Cu:LN晶体的OH-吸收峰由LN的3 484 cm-1移到3 508 cm-1.利用WFZ-26A型紫外.可见光分光分度计测试了晶体的紫外可见光谱,发现当In掺量小于3 mol%时.随In掺量的增加,基础吸收边向短波方向移动,即发生紫移,在掺入量达到3 mol%时,基础吸收边红移.采用透射光斑畸变法测试了晶体的抗光损伤能力,结果表明:In(3 mol%):Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力比其他样品明显增强,较Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力高出两个数量级.探讨了In:Ce:Cu:LN晶体OH-吸收峰及基础吸收边移动和抗光致散射能力增强的机理. 相似文献