共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀 总被引:2,自引:2,他引:0
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。 相似文献
3.
4.
掺锡氧化铟膜在二次表面镜上的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
掺锡氧化铟膜(ITO 膜)是一种具有良好导电性能,在太阳光谱区有很高光学透过率和抗辐照的涂层,它还具有硬度高、耐磨损等特点;这种涂层在航天器上已有很广泛的应用。我们采用磁控溅射新工艺,将 ITO 膜用作为二次表面镜(SSM)前表面的抗静电防护层。给出 SSM 用 ITO 膜的制备工艺及其对膜的光、电性能的影响,还给出 ITO 膜对 SSM 光(热学性能影响的研究结果,提出了 SSM 用 ITO 膜的设计要求和相关的制备工艺。 相似文献
5.
随着液晶显示器件(LCD)产业的飞速发展,对作为平板显示器透明电极的ITO导电玻璃的需求也日益增长,并由于LCD正向大型化和高精细化发展,因而对ITO膜的特性提出了许多新的更为严格的要求。本文综述性介绍透明导电膜制造中最常用的ITO膜磁控溅射成膜技术和设备以及靶的现状。 相似文献
6.
7.
8.
赵银女 《材料科学与工程学报》2015,(4):559-563
用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2O3/ITO周期多层膜。样品在300~800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响。400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和3.47×10-3Ω·cm,载流子浓度和霍尔迁移率高达1.30×1020cm-3和14.02cm2 V-1s-1。退火温度超过500℃后,Ga2O3膜层和ITO膜层之间开始相互扩散,薄膜结晶质量和导电性变差。所有退火薄膜在紫外-可见光范围的平均光学透过率高于83%,光学带边吸收随退火温度增加发生蓝移,光学带隙从4.59eV增加到4.78eV。 相似文献
9.
ITO/Al2O3复合透明导电膜的制备及光电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用磁控溅射技术 ,在预先沉积有金属Al膜的玻璃衬底上制备了ITO薄膜。通过高温热处理 ,获得了透射率高、导电性能好的ITO/Al2 O3 复合透明导电膜。研究了不同Al薄膜厚度下ITO薄膜的晶体结构及其光、电性能 ,结果表明 ,当预沉积Al层厚度为 4 0nm左右时 ,ITO的结晶质量得到提高 ,取向性能变好 ,电阻降低 ,而且在 4 0 0 - 80 0nm范围内具有很高的可见光透过率。实验表明 ,通过改变预沉积Al膜的厚度 ,可以改变ITO薄膜最大透过率对应的波长 ,实现ITO预器件工作波长的匹配 相似文献
10.
薄膜厚度对ITO膜结构与性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对所研究的直流磁控溅射法制备的ITO透明导电薄膜,采用X射线衍射技术进行了膜层晶体结构与薄膜厚度关系的分析, 并测量了薄膜电阻率及透光率随薄膜厚度的变化情况.实验结果表明,当控制薄膜厚度达70 nm以上时,可获得结晶性好、电阻率低和透光率高的ITO透明导电薄膜,所镀制的ITO膜电阻率已降到1.8×10^-4 Ωcm,可见光透过率达80%以上.最后还对所镀制的ITO透明导电薄膜的质量指标作了评估. 相似文献
11.
Bi-Shiou Chiou Jen-Huan Tsai 《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》1999,10(7):491-495
The refractive index n of radio-frequency (r.f.) magnetron sputtered indium tin oxide (ITO) films varies with sputtering parameters, such as sputtering power and oxygen percentage in the sputtering ambient. In this study, the feasibility to fabricate multilayer antireflective (AR) coating with a single ITO target by controlling the sputtering conditions is explored. Reduction in the reflectance can be achieved by using a one-quarter-wavelength inner layer ITO with a refractive index n = 1.87 and a one-quarter-wavelength outer layer ITO with n = 2.17. Hence, a single ITO target suffices in the preparation of multilayer AR coating. This simplifies the deposition processes and equipment for the fabrication of AR coating. Surface corrugation, another approach to the reduction of reflectance, is also discussed. 相似文献
12.
磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜.分别用分光光度计和四探针仪测试了所制备ITO薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率,研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响.研究结果表明,制备ITO薄膜的最佳工艺参数为:溅射气压0.6 Pa,氧氩流量比1:40,溅射功率108 W.采用此工艺参数制备的ITO薄膜在可见光区平均透过率为81.18%,薄膜电阻率为8.9197×10-3Ω·cm. 相似文献
13.
14.
15.
本实验的ITO薄膜样品是利用直流磁控溅射技术在玻璃基片上沉积而成的。通过改变溅射功率,研究不同溅射功率对ITO薄膜光学性能的影响。经各实验测试后发现:在实验给定的功率区间内,ITO薄膜的厚度随着溅射功率的增加而增加,其可见光透过率则随之降低。 相似文献
16.
17.
利用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,分别采用两种方法对薄膜进行氮化处理,即:(1)利用氩气溅射在室温下制备薄膜,随后在氮气和氨气气氛下对薄膜进行热处理;(2)利用氩气/氮气共溅射成膜.利用X射线衍射、霍尔效应、UV-vis-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,对比研究了两种氮化处理方法对ITO薄膜光电特性的影响.结果发现对于低温生长的薄膜,两种方法均能明显提高其在可见光区的透过率.氩气/氮气共溅射的方法会降低薄膜的结晶程度,降低载流子浓度,但使得其紫外/可见/近红外光谱发生明显红移;而热处理方法则能增加薄膜的结晶程度,提高其导电能力. 相似文献
18.
19.
F. Horstmann 《Thin solid films》2009,517(10):3178-971
In this study, indium tin oxide (ITO) films were prepared by high power pulse magnetron sputtering [D. J. Christie, F. Tomasel, W. D. Sproul, D. C. Carter, J. Vac. Sci. Technol. A, 22 (2004) 1415. [1]] without substrate heating. The ITO films were deposited from a ceramic target at a deposition rate of approx. 5.5 nm?m/min kW. Afterwards, the ITO films were covered with a siliconoxynitride film sputtered from a silicon alloy target in order to prevent oxidation of the ITO film during annealing at 650 °C for 10 min in air. The optical and electrical properties as well as the texture and morphology of these films were investigated before and after annealing. Mechanical durability of the annealed films was evaluated at different test conditions. The results were compared with state-of-the art ITO films which were obtained at optimized direct current magnetron sputtering conditions. 相似文献
20.
在室温条件下通过直流磁控溅射法在普通玻璃基体上制备了光电性能优良的ITO薄膜。靶材为ITO陶瓷靶,其中In2O3与SnO2的质量比为9∶1。运用UV-2550紫外可见光光度计测量样品的透光率,采用SZT-2四探针测试仪测量样品表面的电阻率,用扫描电镜(SEM)对样品进行表征。研究了溅射压强、溅射功率等参数对薄膜光电性能的影响。研究表明,ITO薄膜的电阻率随着溅射功率的增大而减小,在溅射功率为110W时ITO薄膜的透光率有相对好的数值。溅射压强为1.0Pa时既能保持ITO薄膜低的电阻率又能保证高的透光率。 相似文献