Y—PSZ对Al2O3纳米粉烧结特性及性能的影响

在Ａｌ２Ｏ３纳米粉中加入１００－４００ｍｇ．ｇ＾－１的０．０２５ｍｏｌＹ２Ｏ２（Ｙ－ＰＳＺ），探讨了加入量对Ａｌ２Ｏ３纳米粉的烧结特性和烧成陶瓷力学性能的影响，结果表明，Ｙ－ＰＳＺ可促进烧结致密化，降低烧结温度，并且有效地抑制烧结时Ａｌ２Ｏ３晶粒的长大，提高烧成陶瓷的性能。     

镧掺杂对CdO—SnO2系物相及性能的影响

在ＣｄＯ－ＳｎＯ２体系中加入Ｌａ＆３＋可以提高钛铁矿型β－ＣｄＳｎＯ３的热稳定性。通过对掺镧材料的物相及微结构的研究，认为Ｌａ＾２＋部分固溶到β－ＣｄＳｎＯ２晶格中要提高其稳定性的主要原因。并可控制掺镧方式及热处理温度来合成不同相组成的气敏材料，改善ＣｄＯ－ＳｎＯ２系的气敏性能。     

SiO2—C—N2系统中气相对相稳定的影响

研究了ＳｉＯ２－Ｃ－Ｎ２系统中一定Ｎ２分压下，温度与Ｏ２、ＳｉＯ、ＣＯ气体分压对相稳定性的影响，绘制了平衡状态下的相稳定性关系图，并以此指导碳热还原氮化法合成高纯Ｓｉ３Ｎ４粉的工艺制备条件。     

CaO—MgO—Fe2O3—Al2O3—SiO2渣系玻璃晶化动力学

根据玻璃形成动力学理论,计算了ＣａＯ－ＭｇＯ－Ｆｅ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２渣系中成核速率（Ｉ）和晶体长大速度（Ｕ）,获得晶体形成的最佳温度,研究了热处理温度对ＣａＯ－ＭｇＯ－Ｆｅ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２渣系晶体的影响,计算的晶体形成的最佳温度结果表明与该体系的最佳热处理温度一致。     

低压ZnO—Bo2O3—TiO2系材料的退火特性及显微结构

研究了退火温度对ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－ＴｉＯ２系材料相结构，显微形态及电性能的影响，得出５００℃以下退火，材料的性能稳定并有所改善，５００℃以上退火材料的压敏电压升高，非线性特性变坏。     

Al—Al2O3粉末成形体烧结性的研究

分析研究了金属Ａｌ在１０００℃左右温度下的存在状态以及Ａｌ２Ｏ３上浸润性问题，讨论了Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３两相末成形的烧结性能及助烧剂，烧结气氛对材料烧结性能的影响。结果表明，由于金属Ａｌ的活泼性以及生成的Ａｌ２Ｏ３膜的稳定性和金属Ａｌ对Ａ２Ｏ３表面浸润性差等原因决定了Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３粉未成形体在１０００℃时的烧结性能极差。     

ZrO2—Y2O3纳米晶的制备及其湿敏性能

以化学共沉淀法为基础，配合高速剪切均质并添加表面活性剂制备了粒径为２０￣４０ｎｍ的ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３纳米晶，经ＸＲＤ分析为稳定立方相结构。用ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３纳米晶为感湿材料制作了厚膜型湿敏元件，测试结果表明：（１）元件电阻随相对温度上升而下降。（２）在总电导中，离子电导占主要成分。（３）元件有较快的感湿响应速度。     

ZrO2（Y—TZP）—Si3N4复合材料中抑制ZrN生成研究

研究了气氛加压烧成ＺｒＯ２（Ｙ－ＴＺＰ）－Ｓｉ３Ｎ４复合材料中抑制ＺｒＮ生成工艺问题，相组成分析表明：无论添加≤２０ｗｔ％工业ＺｒＯ２或者Ｙ－ＴＺＰ（３ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３）的氮化硅复合材料，在低于１８５０℃，３ＭＰａ氮气压力下烧成，表面无ＺｒＮ生成。     

石墨还原一次烧成SrTiO3基电容—压敏复合功能陶瓷材料的研究

采用石墨还原一次烧成工艺制备了ＳｒＴｉＯ３基电容－－压敏复合功能陶瓷材料探讨了施主Ｎｂ，受主Ｍｎ掺量对材料介电性能的影响。结果表明：Ｎｂ２Ｏ５的掺杂量在０．６ｍｏｌ％时可获得高介电常数，低电阻率的材料；Ｍｎ有助于形成晶界势垒，提高材料的压敏非一，Ｍｎ（ＮＯ３）２添加量为０．０５－０．０６ｍｏｌ％可获得电容－压敏综合性能较好的陶瓷材料，通过对比空气中烧成和石墨还原一次烧成新工艺，认为石墨还原烧成工艺     

MgO—B2O3—SiO2—Al2O3—CaO中含硼组分析晶动力学

根据玻璃形成动力学理论，计算了ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＣａＯ渣系中含硼组分２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３的成核速度（Ｉ）和晶体长大速度（Ｕ），获得了２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成的最佳温度．采用化学分析、Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）和差热分析（ＤＴＡ）等方法研究了热处理温度对ＭｇＯ—Ｂ２Ｏ３—ＳｉＯ２—Ａｌ２Ｏ３—ＣａＯ渣系硼提取率的影响．结果表明：硼渣最佳热处理温度与２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成最佳温度一致。     

La1—xSrxCoO3—y导电陶瓷制备工艺的研究

用固相反应法制备了Ｌａ１－ｘＳｒｘＣｏＯ３－ｙ导电陶瓷瓷材料，研究了制备工艺对烧性能的影响。实验结果表明，烧结体的致密度取决于预烧温度，烧成温度及保温时间，此外还与成型方法等因素有关，在１０００～１３００℃保温２～１５ｈ获得了高密度，导电性良好的立方钙钛矿型Ｌａ１－ｘＳｒｘＣｏＯ３－ｙ（ｘ＝０．５，０．６）陶瓷材料。用Ｘ射线分析了材料的相组成和结构。     

Si及α—Al2O3超细粉对Al2O3—ZrO2—C系材料显微结构的影响

本文探讨了Ｓｉ及α－Ａｌ２Ｏ３超细粉对Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－Ｃ系材料显微结构的影响。认为在Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－Ｃ系材料中同时加入Ｓｉ和α－Ａｌ２Ｏ３超细粉，Ｓｉ粉除了与Ｃ生成了ＳｉＣ纤维外，其反应产物ＳｉＯ２还与α－Ａｌ２Ｏ３超细粉及ＺｒＯ２生成了莫来石（Ａ３Ｓ２）和Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－ＳｉＯ２（ＡＺＳ）固溶体，这些新生成的矿物相对试样的显微结构产生重要的作用。     

ZrO2-Ti系材料的热力学分析与显微结构研究

通过热力学数据的预报与计算,对ＺｒＯ２－Ｔｉ体系的相间热力学稳定性进行了分析,并确定了材料民折和学条件。在此基础上常压烧结合不同组分配比的ＺｒＯ２－Ｔｉ系复合材料,并采用ＸＲＤ,ＳＥＭ,ＴＥＭ等方法对材料的显微结构进行了表征,ＺｒＯ２－Ｔｉ系均质复合材料由α－Ｔｉ相,四方ＺｒＯ２相和少量的单斜ＺｒＯ２相组成,ＸＲＤ和ＴＥＭ分析表明,组元Ｔｉ、ＺｒＯ２之间没有发生明显的化学反应,上有良好的化学相窝性     

多功能NiO—SnO2气敏材料的敏感特性

采用化学共淀淀法合成了不同配比的ＮｉＯ－ＳｎＯ２气敏材料，用Ｘ射线衍射法分析材料的结构与组成，测试了元件的气敏性能，并利用表面催化作用较好的解释了材料的敏感机理，通过改变ＮｉＯ的掺杂量及气敏元件的加热功率，ＮｉＯ－ＳｎＯ２材料可分别实现对Ｈ２，Ｃ２Ｈ５ＯＨ的选择性检测以及对Ｃ２Ｈ５ＯＨ、Ｈ２、ＣＯ、Ｃ４Ｈ１０和汽油等气体的广谱检测。     

ZrO2-Ti系材料的热力学分析与显微结构研究

通过热力学数据的预报与计算,对ＺｒＯ_２－Ｔｉ体系的相间热力学稳定性进行了分析,并确定了材料合成的热力学条件．在此基础上常压烧结合成了不同组分配比的ＺｒＯ_２－Ｔｉ系复合材料,并采用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ等方法对材料的显微结构进行了表征．ＺｒＯ_２－Ｔｉ系均质复合材料由α－Ｔｉ相,四方ＺｒＯ_２相和少量的单斜ＺｒＯ_２相组成．ＸＲＤ和ＴＥＭ分析表明,组元Ｔｉ和ＺｒＯ_２之间没有发生明显的化学反应,具有良好的化学相容性．     

Q相—C2S系统中V2O5对β—C2S稳定性的研究

本文研究了Ｑ相－Ｃ２Ｓ配合料中Ｖ２Ｏ５对β－Ｃ２Ｓ的稳定性问题,结果表明,微量Ｖ２Ｏ５可以稳定β－Ｃ２Ｓ,使Ｑ相与β－Ｃ２Ｓ可在常温下共存;Ｑ相－Ｃ２Ｓ配合料中Ｖ２Ｏ５／Ｃ２Ｓ在０．８～１．０％的范围内Ｖ２Ｏ５稳定β－Ｃ２Ｓ的效果最好。     

SnO2气敏元件烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析

采用平面丝网印刷工艺制备ＳｎＯ２厚膜气敏试样,分别在不同烧结温度和保温时间下于空气中烧成,测量试样的灵敏度和稳定性,并通过复阻抗分析方法,研究了ＳｎＯ２气敏元件烧结工艺和电性能的关系,探讨烧结工艺对敏感材料微结构的影响,结果表明,适当调整结工艺参数可以使元件既有较高的气体灵敏度又有良好的长期稳定性,复阻抗分析表明,随保温时间延长,试样的电阻－电工线半圆弧的弥散角逐渐减小至零,说明适当延长保温时间使     

三元系ZrO2—Y2O3—Yb2O3材料的低温电性能

采用复阻抗技术对三元系ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－Ｙｂ２Ｏ３材料在５７３－８７３Ｋ内的离子电导率随组成的变化关系进行了研究,发现该材料的低温电导率随Ｙｂ２Ｏ２含量的增加而降低。用Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ公式对实验数据进行的分析表明,电导率降低的原因在于Ｙｂ＾２＋与结构中氧空位之间的缔合比Ｙ＾３＋与氧空位之间的缔合更甚,阻碍了氧空位在低温下的定向迁移。     

镧掺杂对CdO－SnO_2系物相及性能的影响

在ＣｄＯ－ＳｎＯ＿２体系中加入Ｌａ￣（３＋）可以提高学钛铁矿型β－ＣｄＳｎＯ＿３的热稳定性。通过对掺镧材料的物相及微结构的研究、认为Ｌａ￣（３＋）部分固溶到β－ＣｄＳｎＯ＿３品格中是提高其稳定性的主要原因。并可控制掺镧方式及热处理温度来合成不同相组成的气敏材料，改善ＣｄＯ－ＳｎＯ＿２系的气敏性能。     

SiO_2－C－N_2系统中气相对相稳定的影响

研究了ＳｉＯ２－Ｃ－Ｎ２系统中一定Ｎ２分压下，温度与Ｏ２、ＳｉＯ２、ＣＯ气体分压对相稳定性的影响，绘制了平衡状态下的相稳定性关系图．并以此指导碳热还原氮化法合成高纯Ｓｉ３Ｎ４粉的工艺制备条件．