直拉硅单晶生长的现状与发展

综述了制造集成电路(IC)用直拉硅单晶生长的现状与发展．对大直径生长用磁场拉晶技术,硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程),大直径硅中新型原生空位型缺陷,硅外延片与SOI片,太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟,硅熔体与物性研究等进行了论述．     

一种控制硅片表面缺陷产生的新方法

本文通过对直拉硅进行大剂量中子辐照,并对硅片表面缺陷形成机理进行了探讨。研究表明,中照在硅片中引入大量辐照缺陷同硅片中杂质及点缺陷的相互作用,强烈地抑制了硅片表面缺陷的产生。     

NTDCZSi中的辐照施主

中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)在700～900℃范围内退火消除辐照损伤时产生了施主现象,使电阻率低于目标值。它与CZSi中的热施主、新施主有相似的行为,也有明显差异。本文研究了它与热施主、新施主的关系及辐照通量、硅中氧碳杂质对这种施主的产生与浓度的影响。初步认为它可能是以辐照缺陷为核心的“缺陷——杂质(氧、碳)亚稳态复合体”本质上仍属于氧施主范畴。     

铝阳极氧化膜缺陷形成机制及改善方法

铝电解电容器的电介质是一层微米级的氧化铝膜，其本身存在的各种缺陷直接影响电容器的电性能、可靠性及寿命，阐述了铝电解电容器阳极氧化膜杂质缺陷、水化物层缺陷、表面龟裂缺陷的形成机制，并提出改善方法．介绍了选用高纯度原料法、热处理法、电压变化法、水化物去除法和热水处理法，并证明了上述５种方法的有效性．     

静压PHC管桩桩基缺陷分析与处理

结合工程实例,分析了静压PHC管桩桩基缺陷产生的原因,并对桩身不同部位、不同程度的缺陷采用不同的补强处理方案．研究了接桩法、注浆法和钢管混凝土桩补强法在桩基缺陷处理中的应用,可为同类桩基缺陷处理提供借鉴．     

含Cd^2＋离子土壤的ESR测定

采用ESR技术对人工合成混合和天然高岭土，以有混有Cd^2 离子的人工合成混合土和天然高岭土进行了室温、低温条件下的测试分析比较。当土壤中Cd^2 离子存在时，Cd^2 离子进入硅层结构中，使硅层结构缺陷更趋明显，同时土壤中的铁的ESR特征也因Cd^2 离子的存在而出现变化，在低温态时有铁的精细ESR特征出现，因此这些ESR特征反映了土壤中Cd^2 离子对硅层结构缺陷和铁的ESR特征的影响。     

AlN陶瓷中的晶格缺陷

用透射电镜观察了不同热导率的ＡｌＮ陶瓷中存在晶格缺陷，这类缺争主要以位错或线形式呈现，分布不均匀，大多集中大晶界处，一些晶粒中存在反相畴界，热导率不同的试样共缺陷密度明显不同，氧杂质进入ＡｌＮ晶格并形成铝空位是产生晶格缺陷的主要原因，也对晶格参数有显著影响，分析了抑制晶格缺陷形成，提高热导率的工艺措施。     

LiF和AgCl中四角的V2+中心的缺陷结构研究

基于离子簇近似下四角场中3d3离子EPR参量的微扰公式,通过配位场方法对LiF和AgCl中四角V2+中心的缺陷结构和EPR参量进行了理论研究,提出V2+在LiF和AgCl中的缺陷结构模型,即处于杂质离子与C4轴方向上VC间的配体将由于VC的静电排斥作用而朝靠近杂质离子的方向上位移一段距离△Z。根据上述缺陷结构模型得到的EPR参量理论值与实验值吻合较好。     

国产碳化硅晶须的特性及其增韧效果

本文观察分析了两种国产ＳｉＣ晶须的表面杂质元素的形势，得知晶须Ａ表面光滑，其中少量晶须呈弯曲状，晶须Ｂ比较平直，表面粗糙。晶须Ａ中包含有许多堆垛层错，人字状花方缺陷和锯齿缺陷，而晶须Ｂ中仅观察到有堆垛层错，测试了这两晶韧的氧化铝陶瓷刀具材料的性质，并探讨了晶须增韧氧化铝陶瓷刀具材料的机理。     

集成电路制造中真实缺陷位置的提取方法

提出一种ＩＣ缺陷特征的提取算法,该算法能自动检测出ＩＣ缺陷的位置．在预处理阶段,利用形态开运算消除小缺陷和背景噪音,对开后的结果图像进行形态腐蚀,获得冗余物型缺陷的位置特征．实验证明了该算法的正确性．该结果为计算机自动检测ＩＣ真实缺陷提供了有效的途径．     

压力容器中体积缺陷工程评定方法的研究

本文采用基本突然损伤模型的有限元分析研究了体积型缺陷的工程评定方法,提出将体积型缺陷简化为平面缺陷,并采用常用规范对简化后的平面缺陷进行工程评定的方法,本文还研究了共面平面缺陷的复合及自由表面对缺陷的影响问题。计算结果表明,该方法是安全的,可用于缺陷的工程评定。     

缺陷圆柱壳体外压屈曲的仿真分析

基于Ansys workbench有限元仿真软件,对含初始缺陷的圆柱壳体进行了外压屈曲的仿真研究。首先进行了理想圆柱壳体的特征值屈曲分析,得出前30阶线性屈曲失稳模态作初始几何缺陷。然后基于单一模态缺陷法和组合模态缺陷法建立具有初始几何缺陷的模型,利用有限元仿真分析的非线性稳定算法和弧长法进行非线性屈曲分析。最后设计圆柱壳体静压屈曲实验,得出了临界屈曲载荷。将非线性屈曲分析结果与实验结果、承压结构工程分析方法计算结果作对比分析,结果表明：弧长法与非线性稳定算法相比,预测精度更高;承压结构工程分析方法求出的结果非常保守,临界屈曲载荷远低于实验结果;第1阶模态缺陷不是对圆柱壳体承压能力最不利的初始缺陷,最不利初始缺陷的模态阶数一般为低阶;模型的初始缺陷幅值大小对临界屈曲压力有较大的影响,但对最不利初始缺陷的模态阶数没有影响。2种初始缺陷构造方法都是可行的,但低阶多模态组合缺陷模型具有更精准的预测精度,误差约为3.55%。     

基于水平低应变法的高承台桩缺陷检测研究

通过模型试验探究高承台桩埋藏段存在不同尺寸缺陷时的桩身质点水平速度响应,结合有限元(FEA)分析试验结果. 结果表明,基于桩的水平振动特性的低应变检测方法可以用于识别高承台桩桩身缺陷,且缺陷处截面直径越小,桩身质点水平速度响应曲线中缺陷处反射越明显. 随着缺陷高度的变化,缺陷处顶、底面反射信号可能会产生叠加或分离现象,导致不同缺陷高度下缺陷反射的波形不一致. 在数值模拟中,当采用柔性剪切梁单元模拟高承台桩时,数值模拟结果和试验结果吻合较好. 在实际工程中,当应用水平低应变法检测桩身完整性时,推荐采取近承台处激振、近承台处速度采集,可以根据缺陷处反射起振时间较精确地计算桩身缺陷埋深.     

基于特征与形貌重构的轴件表面缺陷检测方法

针对轴件表面缺陷机器视觉检测方法中的水渍残留误检率高和人工复检效率低问题,提出一种基于特征与形貌重构的轴件表面缺陷检测方法. 对轴件工业高速线扫描图像进行预处理,基于改进的阀值迭代算法完成图像分割,通过去除背景、噪点和干扰提取缺陷图像. 建立基于曲线簇包络轮廓的轴件表面缺陷特征模型,结合分割图像各连通域的面积、面积占比、粗短度训练逻辑回归分类器,对凹坑、裂纹和麻点等轴件表面典型缺陷进行识别,并结合图像深度信息进行缺陷形貌重构,消除水渍等伪缺陷,提高轴件表面缺陷检测鲁棒性. 实验结果表明,所提出的轴件表面缺陷检测方法有效,具有较高的缺陷识别率和鲁棒性能,平均识别时间为3.69 s,缺陷轴加权识别率为98.86%,可以对3类典型缺陷和水渍进行准确识别.     

三种缺陷态光子晶体的比较研究

利用光学传输矩阵法对3种基于均匀结构光子晶体的一维缺陷态光子晶体进行了比较研究.研究发现,对于每种结构,当缺陷介质层厚度变大时,缺陷模中心波长向长波区移动,且缺陷模式的带宽随之增加,当缺陷层介质厚度增加到一定数值时会出现多个缺陷模.对于缺陷层两侧为高折射率介质层的结构一和结构三,缺陷模波长与缺陷层厚度呈非线性比例增加关系;对于缺陷层两侧为低折射率介质层的结构二,缺陷模波长与缺陷层厚度呈线性比例增加关系.对于结构一和结构三,在特定的中间缺陷层厚度时光子禁带区内的缺陷模会消失,而对于结构二,禁带区域内始终存在缺陷模式.     

一种软件缺陷排除成本预测方法

基于缺陷分析来预测缺陷排除成本,有利于分析软件过程质量、平衡软件成本和控制开发进度。传统上,一般采用单个缺陷排除成本的平均值乘以缺陷数的方法,来预测缺陷排除总成本,这种方法忽略了不同类型的缺陷排除成本差异,导致较大的成本预测偏差。论文提供了另外一种成本预测方法:基于项目历史数据,拟制软件开发阶段不同缺陷类型的排除成本矩阵,来预测项目的缺陷排除成本。改进的成本预测方法能够较好地弥补传统方法的不足,可得到较为准确的缺陷预测数据。     

一种提取局部区域共同向量的瑕疵分类算法

针对同类布匹瑕疵外形和纹理差异性大,异类布匹瑕疵又存在一定的相似性,造成难以分类的问题,提出了选择瑕疵局部区域特征作为特征空间,采用共同向量方法提取布匹瑕疵特征与分类算法.局部区域特征是指瑕疵局部区域灰度直方图特征和瑕疵几何特征.首先通过最优化多通道二维Gabor小波检测出瑕疵区域,然后选择瑕疵局部区域灰度直方图统计特征、瑕疵长宽比特征和方向特征;再采用共同向量方法提取瑕疵共同向量特征;最后采用最小距离方法进行分类.该方法具有小样本学习能力、计算量小、识别率高等特点.     

灌浆缺陷对半灌浆套筒连接件强度的影响

为研究半灌浆套筒连接件受灌浆缺陷影响的规律,对含端部、中部和均布灌浆缺陷及灌浆饱满的连接件进行单向拉伸试验,通过有限元软件分析研究灌浆缺陷类型和缺陷尺寸对连接件拉伸强度的影响。结果表明:灌浆缺陷导致半灌浆套筒连接件拉伸强度降低,相同尺寸的均布缺陷对C25 连接件拉伸强度影响最大,中部缺陷次之,端部缺陷最小。随着灌浆缺陷长度的增大,含灌浆缺陷连接件的破坏形态均由钢筋拉断破坏转变为钢筋拔出破坏。并且,连接件屈服强度和极限抗拉强度的降低速率与灌浆缺陷类型相关,含均布缺陷的连接件降低最快,含端部缺陷的连接件最慢。为确保C25 半灌浆套筒连接件满足I 级接头要求,含端部、中部和均布灌浆缺陷的连接件钢筋最小锚固长度分别为125、150 和175 mm。     

纳观金属材料拉伸强度的影响因素

应用分子动力学中嵌入原子法(EAM)势函数模拟纳米单晶铜的拉伸过程,得出具有完整结构和各种缺陷结构模型拉伸时的强度极限应力,并分析了缺陷对模型拉伸强度的影响.结果表明:孔洞会降低纳米金属材料拉伸强度,表面缺陷是降低纳米金属材料拉伸强度的最主要因素,不同大小的空穴对纳米金属材料拉伸强度有不同的影响.