绝缘栅双极型晶体管过流保护的分析与研究

绝缘栅双极晶体管运用广泛,但是要设计出稳定可靠的驱动电路或过流保护电路等一直是个难题.本文对绝缘栅双极型晶体管过流保护进行理论分析,阐述其过流的特点和过流保护的方法,结合实际设计案例进行分析研究与试验,通过试验测试实际使用过流保护电路时存在的问题,了解绝缘栅双极型晶体管过流保护的相关特点.让读者在设计过流保护电路的时候应充分考虑这些特点,选用合适的电子器件,搭建合适的过流保护电路.这对工程设计和工程现场有很好的指导意义.     

基于NI-VISA和C#的示波器数据采集测试系统

介绍一种在.Net平台下使用C#基于NIVISA组件和SCPI指令对示波器进行控制,对示波器波形数据进行采集的方法和测试系统方案。同时,利用该方法搭建双脉冲实验数据采集平台,对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件进行自动化测试。     

新品快报

<正>IR推出绝缘栅双极晶体管在线选择工具国际整流器公司(IR)推出全新的绝缘栅双极晶体管(IGBT)在线选择工具。该工具可有效优化多种应用设计,包括马达驱动、不间断电源系统(UPS)、太阳能逆变器和焊接。     

基于退化数据和DBN算法的IGBT健康参数预测方法

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等电子元器件被广泛用于运输和能源部门,其健康状态对于设备安全和有效至关重要;在对IGBT的结构和损伤机制分析基础上,结合NASA艾姆斯中心开展的IGBT加速退化试验,选择集电极-发射极关断峰值电压作为失效特征参数,提出了一种基于深度信念网络的预测模型对其进行分析和预测;以Levenberg-Marquardt(LM)算法模型作为对比,实验结果显示文章提出的三隐藏层DBN模型相比于LM模型有更好的预测性能和更高的预测精度。     

ADI公司推出小型隔离式栅极驱动器

<正>ADI宣布推出小型隔离式栅极驱动器,这些产品专门针对SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等电源开关技术所需的更高开关速度和系统尺寸限制而设计,同时仍然提供对IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)配置的开关特性的可靠控制。ADuM4120和     

状态变量方程辨识Cauer热模型参数的方法

绝缘栅双极性晶体管IGBT模块热网络与可靠性密切相关。Cauer模型简单直观,为了得到模型中各元件的参数,提出一种基于现代控制理论中任意系统转换为能观标准型的一般方法,将模型的一般的状态空间表达式通过矩阵变换的方法转换为特殊的能观标准型。通过实验或仿真得到系统的传递函数,将传递函数与能观标准型进行比较,可以得到若干个方程组并求解得到所需的元件参数。通过仿真验证了该方法的可行性。     

用IGBT晶体管制作CFL电子镇流器

在荧光灯电子镇流器中作为开关使用的晶体管主要有双极型和MOS-FET两种。绝缘栅双极晶体管(IGBT)本来是一种大功率电力电子器件,于20世纪80年代末实现商品化。90年代中期后,适用于荧光灯尤其是紧凑型荧光灯(CFL)电子镇流器的低功率IG-BT应运而生,且崭露头角。 IGBT的图形符号及其主要特点 IGBT可以看作是由一只MOSFET输入跟随器和一个双极型晶体管的复合结构组成,图1(a)为N沟     

WATTPOWER“维纳斯”系列UPS

瓦特好(WATTPOWER)UPS是法国国防部指定的军用UPS,为法军各部所装备。产品分五大系列,其中最具特色的“维纳斯”系列为第四代串联在线式UPS。采用最先进的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术代替过去的MOSFET和双极型晶体管的混合型晶体管。其快速、低耗和易控性质决定了UPS更高的效率和更加稳定的输出,满载整机效率>90％,输出稳定度±1％。     

基于IPSO-LSTM神经网络的短期负荷预测

在电网负荷预测方面,LSTM模型有较好的预测精度.但模型参数需要手动设置,网络训练时间长.提出一种改进粒子群算法(IPSO)与长短期记忆网络(LSTM)相结合的预测模型(IPSO-LSTM).利用IPSO对LSTM网络的神经元数,学习率等参数进行优化,自动寻找合适参数,提高预测精度和收敛速度.以某地电力公司的历史负荷数据作为输入数据,迭代训练网络.对比IPSO-LSTM模型和由经验公式所得的LSTM模型的预测结果,发现新模型的MAPE比LSTM网络降低了0.8％,最大相对误差比LSTM网络降低了 4％,收敛速度更快.实验表明所提新模型拥有更高的预测精度和收敛速度.     

采用IGBT的直流电机调速控制器

介绍直流电机调速控制器的原理及其系统构成.其主功率开关器件选用绝缘栅控双极型晶体管——IGBT.控制电路采用速度(或电压)、电流双环调节,采用TL494作为脉宽调制器以驱动IGBT,使新波频率高达18KHz缩小了系统体积,并使运行无噪音污染.本文重点分析了IGBT的控制和保护电路.