氧化锰对铌锑锆钛酸铅(PNSZT)压电陶瓷性能的影响

本文研究了氧化猛对铌锑锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响,探讨了氧化锰的作用机理,为用氧化锰改性锆钛酸铅压电陶瓷提供了理论依据。     

(K0.485Na0.485Li0.03)NbO3-Pb(Zr0.53Ti0.47)O3压电陶瓷的压电性能与微观结构

采用传统电子陶瓷制备技术和工业原料制备了新型(1-x)(K0.485Na0.485>Li0.03)NbO3-Pb(Zr0.53Ti0.47)O3少铅压电陶瓷,研究了该体系陶瓷的压电性能及微观结构.X射线衍射分析表明:在1250℃烧结3h的条件下,所有陶瓷样品都具有纯的钙钛矿结构和高致密性,并且在室温下形成了正交相和四方相共存的结构.x=0.75时,陶瓷的压电性能达到最佳:压电常数d33=363 pC/N,机电耦合系数kp=63%,相对介电常数εr=1 590,介质损耗tanδ=1.70%.     

高d_(33)·g_(33)PZT压电陶瓷的制备

通过传统固相烧结方法,研究不同Sb2O3掺入量和有机粘合剂聚乙烯醇(PVA)掺入对锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷性能的影响,制备了高d33·g33PZT压电陶瓷。采用扫描电子显微镜,阻抗分析仪,压电参数分析手段,对PZT压电陶瓷的性能进行了测试,结果为:机电耦合系数Kp=63.5%,介电损耗tanδ=0.018,相对介电系数εr=2004,压电性能d33=512pC/N,g33=29×10-3Vm/N,d33·g33=14.62pC·Vm/N2。该材料可应用于多个领域。     

压电陶瓷变压器材料PMMN-PZT的研究

研究了一种四元系压电陶瓷变压器材料PMMN -PZT。XRD分析证明 ,采用二步法预合成的PMMN -PZT粉料不如一步法 ;SEM分析进一步证实了一步法预合成的粉料能制成性能更好的陶瓷样品。造粒工艺对陶瓷样品的显微结构和压电性能也有重要的影响。最后制得了性能较好的PMMN -PZT压电陶瓷材料 ,其Kp=0 .5 18,Qm=3887,tanδ =0 .71% ,εT3 3 /ε0 =70 1,d3 3 =2 0 3,基本上能满足压电变压器的要求     

不同氧化锰引入形式对铌锑锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响

研究了不同氧化锰引入形式对Ｐｂ（Ｓｈ１／５Ｎｂ１／２）Ｏ３－Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３（ｐｓｎｚｔ）压电陶瓷机电性能的影响。结果有明,以ＭｎＯ２引入氧化锰的受主作用比ＭｎＣＯ３引入的要大。     

PZT二元系压电陶瓷的掺杂改性

锆钛酸铅系的压电陶瓷应用较广泛，不同的用途对材料性能的要求不同，因此必须寻找获得不同性能的途径。本文叙述了材料组成的改变和添加物的加入对材料性能的影响。其中着重就掺杂改性作了一些研究和探讨。通过实验总结出等价离子和不等价离子置换Ｐｂ＾２＋引起材料性能改变的一般规律，其中不等价离子包括“硬性”添加物和“软性”添加物，以及其它一些添加物。同时实验还表明，单独加入一种添加物往往不能满足性能的要求。为了取     

PBSZT系大功率压电陶瓷极化工艺的研究

为探索大功率低损耗压电陶瓷材料的最佳制备工艺,对改性锆钛酸铅压电陶瓷Pb0.9Ba0.05Sr0.05(Sn1/3Nb2/3)0.06(Zn1/3Nb2/3)0.06Ti0.44Zr0.44O3 0.5wt%MnO2 0.5wt%Sb2O3的极化工艺进行研究。结果表明,该体系的最佳极化电场为4Kv/mm,极化温度120℃左右,此时得到的陶瓷性能较佳。     

La置换Pb对Sb掺杂PZT压电陶瓷介电和压电性能的影响

研究了Pb1–xLax(Zr1–yTiy)1–x/4O3+1.5%(质量分数)Sb2O5陶瓷(PLSZT)的介电、压电性能及其微观结构,获得了高压电性能、小晶粒尺寸的压电陶瓷材料。结果显示:x≤5%时,晶体结构为纯钙钛矿相;x>5%时,为钙钛矿和焦绿石两相混和物。随着x的增大,介电常数和压电常数均呈现先增大后减小的趋势。介电常数在x=6%、y=0.45时最大,最大介电常数εmax≈3900,介电损耗tgδ≈1.8%;压电性能在x=4%、y=0.45时最强,压电应变常数d33≈600pC/N,径向机电耦合系数kp≈0.7,厚度机电耦合系数kt≈0.51,此时的平均晶粒尺寸约为2μm。     

分散剂对PNN-PZT压电陶瓷组织与性能的影响

压电陶瓷作为能够将机械能和电能相互转换的功能陶瓷在国防领域以及民用领域得到了非常广泛的应用。当今为了追求更高性能的压电陶瓷材料,世界各国的研究人员都将注意力由压电陶瓷材料的研究转向了压电陶瓷的制作工艺。本课题研究的目的主要是在传统的压电陶瓷制备工艺的基础上,通过在球磨过程中加入分散剂制备出性能参数更高更为稳定的压电陶瓷材料。本次实验研究发现,柠檬酸铵的分散效果较为显著,当采用烧结温度1200℃,柠檬酸铵分散剂浓度15%时能得到一个综合性能都比较稳定的压电陶瓷材料,其压电常数为603pC/N,机电耦合系数为0.536,介电常数为5354,介电损耗为2.197%。     

压电陶瓷在显示技术中的应用

本文首先阐述了压电陶瓷显示器的工作原理,压电陶瓷显示器利用压电陶瓷的逆压电效应,采用压电陶瓷驱动器作为像素驱动源.其次,介绍了显示器用压电陶瓷驱动器的制备工艺,分析了显示器用压电陶瓷可用的材料体系.最后,对制约陶瓷显示器发展的关键技术作了探讨.     

压电陶瓷PZN-PZT对压电复合材料性能的影响

本研究采用固相烧结法合成了PZN-PZT压电陶瓷粉体,并用XRD分析了其晶相组成。将PZN-PZT陶瓷粉体与PVDF复合,制备出PZN-PZT/PVDF0-3型压电复合材料,研究了陶瓷质量分数对复合材料铁电性、介电性及压电性的影响。结果表明,复合材料的铁电性、介电性和压电性能随陶瓷含量的增加而增强,当陶瓷含量为90%时,复合材料的剩余极化强度Pr达到5.27μC·cm-2,矫顽场EC为76kV·cm-1,介电常数εr为188,介电损耗tanδ为0.065,压电常数d33则达到33.4pC/N。     

BNBMT无铅压电陶瓷的制备及性能研究

本文采用新型溶胶-凝胶制粉技术和传统陶瓷生产工艺制备了0.93Bi0.5Na0.5TiO3-0.07Ba1-xMgxTiO3（简称BNBMT100x）体系无铅压电陶瓷,并对BNBMT陶瓷的晶相特征及其介电和压电性能进行了讨论。XRD分析表明,陶瓷样品均形成了单一的钙钛矿结构固溶体;Mg的加入对陶瓷的介电、压电性能有显著影响;陶瓷的铁电-顺电相变峰显著降低、展宽;介电损耗在室温至200℃范围内较平缓。当x=0.04时,机电耦合系数kp和kt最大,分别为16%和19%,压电常数d33值为111pC/N。     

压电陶瓷变压器的研究

近年来随着压电变压器新材料的不断发现,新工艺的不断产生,其应用领域在不断拓宽,压电变压器开始进入一个大规模实用开发的新阶段.本文对目前压电变压器的主要形式及工作原理作了较为详尽的分析和阐述,并对压电陶瓷变压器的基本构成、制备工艺过程、目前使用领域以及将来应用前景作了介绍,指出了压电变压器今后发展的方向及有待解决的问题.     

BNT系无铅压电陶瓷的研究进展

(Bi1/2Na1/2)TiO3基无铅压电陶瓷是目前研究最广泛,最具吸引力的无铅压电陶瓷体系.本文主要综述了近几年国内外专家重点研究的以BNT为基的4类无铅压电陶瓷,并指出目前国内外学者对钛酸铋钠粉体合成的关注.     

高d33PLZT压电陶瓷的制备及性能研究

制备了高性能的PLZT系列压电陶瓷,测量了其压电性能,探讨了掺杂、工艺制度对材料性能的影响,观察了材料的形貌及断口情况。     

压电陶瓷材料的研究现状与发展趋势

本主要概述了国内外关于压电陶瓷材料的发展历史进程和研究现状,探讨了其发展趋势和应用前景：指出了现代压电陶瓷材料正在向着复合化、薄膜化、无铅化及纳米化方向发展．应用前景广阔．是一种极有发展潜力的材料。     

三方/四方相共存铌锑锆钛酸铅压电陶瓷极化的研究

研究了极化条件对三方 /四方相共存 (即准同型相界 ,简称MPB)的铌锑锆钛酸铅 (PNSZT)压电陶瓷性能和结构的影响 .利用XRD探讨了三方、四方相共存PNSZT压电陶瓷极化过程中畴转向、相变、晶格常数的变化、应变 ,分析讨论了极化作用机理 .XRD结果分析表明 :两相共存压电陶瓷极化过程中畴转向的同时伴随着相变 (四方相→三方相 )、应变、晶格常数变化 ;随着极化程度的提高 ,试样的应变量和 90°畴转向率不断增加 ;当达到极化饱和状态时 ,它们也达到最大值 ,其中应变的最大值为 0 .4% ,90°畴的转向率最大值为 41.6 % ,此时样品的介电常数和机电耦合系数也达到最大值 .当 90°畴转向率高和应变大时 ,材料的机电耦合系数和介电常数也大 .90°畴转向率和应变是表征极化程度的微观结构物理量 .最优极化条件是得到最佳压电性能陶瓷的关键之一     

(1-x)BaTiO3-xKNbO3陶瓷的制备及性能研究

采用复合溶胶凝胶法制粉技术结合传统陶瓷制备工艺,制备了(1-x)BaTiO_3-xKNbO_3陶瓷,对其晶相特征、介电及压电铁电性能进行了研究。在1250℃下烧结的陶瓷形成了单一相的钙钛矿结构固熔体。介电常数随着KNbO_3含量的增加先减小后增加,KNbO_3的加入降低了陶瓷的介电损耗。样品的居里温度也在120℃之间波动。KNbO_3的加入使样品的压电常数d_33值逐渐减小。样品BT的d_33值最大,为140pC/N。样品的剩余极化强度(Pr)随着KNbO_3含量的增加而减小,由7μC/cm~2降为3μC/cm~2;矫顽场强(EC)随KNbO_3含量的增加呈现出变小的趋势,样品BT-KN10的矫顽场强(E_C)为4kV/cm。