一种高性能的CMOS四象限模拟乘法器

本文介绍了一种带预处理电路的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器，对其预处理电路（有源衰减器及电平位移电路）和乘法器核心电路的非线性误差作了详细的讨论．设计采用３微米Ｎ阱硅栅ＣＭＯＳ工艺，并给出了电路的ＳＰＩＣＥ模拟结果．当电源电压为±５Ｖ时，功耗小于６．５ｍＷ，线性输入电压范围约为±４Ｖ；当输入电压范围限于±３Ｖ内时，总谐波失真和非线性误差均小于０．３３％，－３ｄＢ带宽为１３．０ＭＨｚ和２．２ＭＨｚ；当输入电压范围限于±２Ｖ内时，总谐波失真小于０．１８％，具有良好的性能．     

一种宽输入范围的Gillbert模拟乘法器设计

本文分析了基于CMOS工艺设计的Gillbert单元乘法器,改进了原有电路工作电压高的缺陷,使它能在更低的电源电压下工作,并在乘法器的输入级加入有源衰减电路,增大乘法器的输入范围。本文采用上华0.6μmCMOS工艺进行设计,并用Cadence Spectre仿真器对电路进行了仿真,得到3V电源电压下,输入范围为0～2V的模拟乘法器。     

一种结构简单的低压CMOS四象限模拟乘法器

提出了一种结构简单、采用有源衰减器的低压ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器。详细分析了电路的结构和设计原理,给出了电路的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果。模拟结果表明,当电源电压为±１．５Ｖ时,功耗小于８０μＷ,线性输入电压范围约为±０．５Ｖ;当输入电压范围限于±０．３Ｖ时,非线性误差小于１．３％;－３ｄＢ带宽约为３．２ＭＨｚ。该乘法器电路可应用于低压模拟信号处理电路中。     

集成CMOS四象限模拟乘法器

给出了一种CMOS型四象限模拟乘法器,该乘法器采用有源衰减器结合吉尔伯特单元结构.利用基于CSMC的0.6μm n阱2p2m工艺SPICE BSIM3V3 MOS模型(level=49)进行仿真,采用单电源5V电压供电.利用HSPICE仿真并给出了仿真的结果及版图实现.     

一种CMOS四象限模拟乘法器的设计

本文提出了一种CMOS四象限模拟乘法器。这种乘法器基于MOS晶体管的电流-电压平方关系,采用线性MOS跨导器、悬浮电压发生器和线性MOS电阻完成乘法运算。这种乘法器具有单端输出电压和较好的温度特性。文章比较详细地介绍了电路特点和工作原理,分析了电路的温度性能,并给出了SPICEⅡ的模拟结果。     

一种高精度模拟乘法器的研究与设计

带宽、功耗与精度是衡量模拟乘法器性能的三个主要指标.目前采用浮栅晶体管等方法实现的低功耗、高带宽模拟乘法器的精度仅在1％左右,而利用传统Gilbert单元进行设计,其精度可达0.5％.本文针对模拟乘法器精度不够的问题,利用Gilbert单元设计了一种高精度模拟乘法器.首先利用反双曲正切函数电路对Gilbert单元的非线...     

宽输入共模电压范围电流检测放大器的研究与设计

针对高端电流检测放大器输入级对宽输入共模电压范围的要求,对宽输入共模电压范围放大器的输入结构开展了研究,提出了一种宽共模输入范围的输入级结构,特点是具有低输入偏置电流,并能兼顾高低共模电平工作的需要.给出了整个电流检测放大器的电路设计.该放大器在1.5μm BCD工艺下设计实现.芯片的测试结果表明,当采用5V单电源供电时,电路的输入共模范围可达0~30V,最大总误差不超过1.67%.     

一种高线性度的CMOS调幅电路设计

本文设计出一种CMOS工艺调幅电路,该电路具有线性输入范围宽、线性度高的特点。文中介绍了该电路的结构,分析了电路基本工作原理,并使用仿真软件Pspice给出了电路的模拟仿真结果。     

一种宽输入范围高电源抑制比的带隙基准源

基于CSMC 0.5 μm BCD工艺,设计了一种具有高电源抑制比的带隙基准电路。此电路可以在较宽电源电压(4~36 V)范围内实现较小的温度系数变化,－40 ℃~125 ℃范围内的温度系数为8.93×10-6/℃~9.02×10-6/℃。通过将基准参考点设置于负反馈环路中,能够有效地提高基准电路的电源抑制性能。当电源电压为4~36 V时,电源抑制比分别为－132~－98 dB@dc,－54.7～－55.5 dB@1 MHz,线性调整率为0.009%/V,满足DC-DC转换器的应用需求。     

一种低抖动、宽调节范围的带宽自适应CMOS锁相环

提出了一种低抖动、宽调节范围的带宽自适应CMOS锁相环.由于环路带宽可根据输入频率进行自动调节,电路性能可在整个工作频率范围内得到优化.为了进一步提高电路的抖动特性,在电荷泵电路中采用匹配技术,并在压控振荡器中应用电压-电压转换电路以减小压控振荡器的增益.芯片采用SMIC 0.35μm CMOS工艺加工.测试结果表明该锁相环电路可在200MHz～1.1GHz的输出频率范围内保持良好的抖动性能.     

集成CMOS四象限模拟乘法器

给出了一种CMOS型四象限模拟乘法器，该乘法器采用有源衰减器结合吉尔伯特单元结构.利用基于CSMC的0.6μm n阱2p2m工艺SPICE BSIM3V3 MOS模型(level=49)进行仿真，采用单电源5V电压供电.利用HSPICE仿真并给出了仿真的结果及版图实现.     

一种低压高线性CMOS模拟乘法器设计

提出了一种新颖的CMOS四象限模拟乘法器电路．该乘法器基于交叉耦合平方电路结构,并采用减法电路来实现。它采用0．18μmCMOS工艺,使用HSPICE软件仿真。仿真结果显示,该乘法器电路在1．8V的电源电压下工作时,静态功耗可低至80μW,其线性输入范围达到±0．3V,-3dB带宽可达到1GHz,而且与先前低电压乘法器电路相比,在同样的功耗和电源电压下,具有更好的线性度。     

宽输入共模电压范围电流检测放大器的研究与设计

针对高端电流检测放大器输入级对宽输入共模电压范围的要求,对宽输入共模电压范围放大器的输入结构开展了研究,提出了一种宽共模输入范围的输入级结构,特点是具有低输入偏置电流,并能兼顾高低共模电平工作的需要.给出了整个电流检测放大器的电路设计.该放大器在1.5μm BCD工艺下设计实现.芯片的测试结果表明,当采用5V单电源供电时,电路的输入共模范围可达0~30V,最大总误差不超过1.67%.     

宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计

在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。     

基于双积分模拟重构大动态范围CIS系统研究

提出一种采用列共用模拟重构电路和双积分三采样工作时序的CMOS图像传感器(CIS)系统架构,可实现光电响应曲线压缩和像素固定模式噪声(FPN)消除,提高传感器动态范围到83 dB,使成像质量提高.该结构具有与单采样相同的像素阵列,仅增加很小的处理电路.改进的工作时序优化了长积分、短积分和信号处理的时序分配.系统控制由FPGA实现.功能和数模混合仿真验证表明,方案是可行的.     

一种基于动态阈值NMOS的1.2 V CMOS模拟乘法器

分析了以动态阈值NMOS晶体管作为输入信号的输入晶体管,利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻设计和实现的一种1.2 V低功耗CMOS模拟乘法器电路。该电路具有节省输入晶体管数目、偏置晶体管和偏置电路,以及性能指标优良的特点。其主要参数指标达到:一、三次谐波差值40 dB,输出信号频带宽度375 MHz,平均电源电流约30 μA,动态功耗约36 μW。可直接应用于低功耗通信集成电路设计。     

一种基于亚阈值区特性的CMOS四象限模拟乘法器

讨论了基于ＭＯＳ晶体管亚阈值区特性的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器的设计。分析了四种乘法器核的直流传输特性，给出的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果验证了理论分析。模拟结果表明，对于电源电压为１．５Ｖ（或±１．５Ｖ），当输入电压范围限于±０．０８Ｖ时，非线性误差小于１％；－３ｄＢ带宽约为３４０ｋＨｚ，静态功耗小于１μＷ。给出的乘法器核可应用在便携式电子系统模拟信号处理电路中，特别适于在神经网络系统中的应用。