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通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p型硅片表面的污染,采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术,对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究.结果表明,当氢氟酸溶液中同时含有ppb水平(1e-9)的铜铁杂质时,不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染,而且还导致硅片表面的碳污染,并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论. 相似文献
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LCoS反射层的实验研究 总被引:5,自引:5,他引:0
LCoS技术是硅基CMOS半导体集成电路技术和液晶显示技术相结合的新技术。铝膜作为LCoS的反射电极,要求有较高的反射率和电导率。采用电子束蒸发的方法,以高纯度的Al为靶材,硅片为衬底,制备了不同厚度的Al反射膜,并测量了在可见光范围内反射率曲线,分析了薄膜的致密性和电导率。实验结果表明,当Al层很薄时,膜的连续性较差,呈岛状或网状结构,膜的导电性不好;如果沉积较厚(1μm以上)则容易形成“铝丘”,即出现多晶态的Al分布,一方面使Al膜表面粗糙,降低其镜面反射率,同样也将严重影响Al膜的电学性能。选定50nm厚度Al膜作为LCoS的反射层为最佳。 相似文献
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我们介绍了一种在绝缘衬底上制备硅厚膜的技术。我们的做法是,先在制备有SiO_2条形图形的硅片上用传统的方法沉积—层薄的多晶硅膜。然后用聚焦卤灯的光能使衬底的表面部分融化。融化的深度受硅融化时条形SiO_2下陷深度控制。随着扫描融化区域,硅就在前沿固化,于是就在衬底上得到一些被籽晶区隔开的20~/40μm厚的SiO_2上的条形无缺陷硅膜。 相似文献
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信息产业已成为现代经济的先导产业,以集成电路为核心的电子元器件是信息产业的基础,硅片是集成电路最主要的基础功能材料,在信息产业发展中占有重要的地位和作用。目前世界半导体工业正开始由8英寸硅片的0.25微米技术向12英寸硅片的0.13-0.10微米技术转移,对12英寸硅片的市场需求将逐步扩大。 相似文献
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采用PECVD技术在1.55μm InGaAsP—InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5~74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量。对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P—O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV。在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜。 相似文献
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采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以CH4和H2为源气体,硅片为衬底制备了碳膜。利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜成功研究了基板偏压、沉积时间、CH4浓度等工艺参数的改变对碳膜絮状结构的影响。通过分析碳膜结构和形貌,得出纳米絮状碳膜的最佳工艺参数。通过电流密度-电场(J-E)曲线和Fowler-Nordheim(F-N)曲线,研究了CH4浓度对纳米絮状碳膜的场发射特性的影响。随着CH4浓度的增加,碳膜的阈值电场逐渐降低,发射电流密度逐渐增加。 相似文献
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陈兆铮 《固体电子学研究与进展》1994,(1)
256M DRAM单晶铝布线据《学会志》1992年第12期报道,日本东芝公司已研制成在绝缘膜上形成单晶铝布线的技术。以前的多晶铝布线,在晶粒间界集中电流和应力,容易引起破断,可用于线宽0.3卜m左右的LSI。在该技术中,在硅氧化膜上制作细沟,沉积铝膜... 相似文献
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用热丝化学气相沉积方法研究了低温(~550℃)和低反应气压(~7 Torr)下硅片上金刚石膜的成核和生长.成核过程中采用2.5%的CH4浓度,在经充分超声波预处理的硅片上获得了高达1.5×1011cm-2的成核密度.随CH4浓度的增加所成膜中的金刚石晶粒尺寸由亚微米转变到纳米级.成功合成了表面粗糙度小于4nm、超薄(厚度小于500nm)和晶粒尺寸小于50nm的纳米金刚石膜.膜与衬底结合牢固.膜从可见光至红外的光吸收系数小于2×104cm-1.用我们常规的HFCVD技术,在低温度和低压下可以生长出表面光滑超薄的纳米金刚石膜. 相似文献
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氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用PECVD法,反应温度为250℃,反应气体为NH3,SiH4,在抛光硅片上沉积0.2~0.4μm厚的氮化硅薄膜。对这种Si3N4薄膜的光学性能和电学性能进行了测试,其光学折射率为1.875,电阻率及击穿场强分别为8×1016Ω·cm及1×107V/cm,并用FTIR谱分析了薄膜的化学结构。 相似文献
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山风 《激光与光电子学进展》2007,44(6):11-12
英国格拉斯哥大学的研究人员.实现了一种快速可靠的太赫兹器件压印技术。该技术使用硅片作为掩模板在聚丙烯中压印太赫兹衍射器件,制作成本低廉。 相似文献
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本文分析了硅/玻璃静电键合过程中硅表面SiO2钝化膜的作用.SiO2膜的存在使键合过程中的静电力减弱,键合工艺所选择的电压上限受SiO2膜击穿电压的控制,对于商用抛光硅片与玻璃,要完成良好的键合,一般SiO2厚度要小于0.5μm. 相似文献
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本文采用微加工技术在硅片上制作了铂金叉指电极,通过真空共蒸发沉积制备了聚苯胺/十六氯酞菁锌气敏薄膜,借助SEM对沉积膜进行了表征分析,并分析了氯气作用下影响该薄膜自身性能的相关因素,同时也对该传感器进行了气敏性能测试。实验结果表明:当聚苯胺与十六氯酞菁锌化学计量比为2:3时,薄膜对氯气有很好的敏感特性;最佳的蒸发沉积条件为基片温度160 ℃、蒸发温度425 ℃、薄膜厚度75 nm;提高工作温度(100 ℃以上)或增加气体浓度(100 ppm以上),均可以提高响应特性,但二者都将存在一个上限值。最后,我们也对该气敏薄膜的敏感机理进行了讨论。 相似文献
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本文利用多排直丝化学气相沉积技术,以H2+CH4的混合气体为工作物质,在单晶硅片上沉积出了高质量的金刚石膜,并首次将该金刚石膜为传声器振动膜,结果极大地拓宽了传声器的频率响应范围,提高了传声器的灵敏度,使传声器的声学性能和使用性能同时得以显著改革。 相似文献