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PVC/PP,PVC/PP/SPS共混体系相结构的X射线能谱微区分析 总被引:4,自引:0,他引:4
本文用扫描电子显微微镜(SEM),能谱仪(EDS)和IPP图像处理系统联用对PVC/PP共混体系和磺化聚苯乙烯(SPS)增容PVC/PP共混体系相结构进行了X射线能谱微区分析。结果表明:X射线能谱微区分析方法可用于共混物相结构的研究,所得到的特征元素面分布图像清晰,相归属准确。通过对图像处理得到的相面积百分数能够半定量地说明相间相容性,研究还表明SPS能明显改善PVC和PP的相容性,SPS对PVC和PP共混物的增容效果随SPS磺化度增加而变差,随SPS用量增加而提高。 相似文献
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采用热压工艺制备了PTFE/SiO2微波复合基板材料,研究了热压温度对PTFE/SiO2复合材料的性能及显微结构的影响。差示扫描量热法分析表明PTFE结晶度随热压成型温度上升而升高,熔限先变宽后变窄。同时通过扫描电镜观察发现,热压成型温度升高使复合材料表面出现气孔,材料内部气孔数目增多,从而导致材料密度、相对介电常数下降,吸水率A升高。由于PTFE树脂结晶度与材料显微结构共同作用,介电损耗先降低后增高,热导率Kc则先增高后降低。热压温度为370℃时,复合材料性能较好(εr=2.90,tanδ=0.001 1,A=0.58‰,Kc=0.566W/(m·℃))。 相似文献
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采用有效质量近似下的包络函数方法,对砂同温度上的势我δ掺杂量子阱Si/Ge0.3Si0.7的势位及电子密度分布进行了自洽计算,详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响。 相似文献
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采用搅拌复合方法制备了SiCp/Al-1.2Mg-0.6Si-0.1Ti-1.0Pb复合材料,通过透射电镜研究了复合材料的界面结构。复合材料中增强体SiC与基体合金的界面主要为SiC/Al、SiC/Pb、SiC/Mg2Si,Pb在复合材料中主要以面心立方Ph相形式存在于SiC颗粒的界面上,部分SiC颗粒的界面存在Al4C3。界面Ph相中存在着Ti元素,由于合金元素之间的相互作用使基体合金中的Ph、Ti元素集中存在于SiC的界面上。 相似文献
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采用流延成型工艺制备了硼硅酸盐玻璃/氧化铝陶瓷生瓷带,并经烧结制备了陶瓷试样。研究了烧结温度对所制陶瓷烧结性能、介电性能与微观结构的影响。结果表明:随着烧结温度的升高,所得陶瓷试样的体积密度、烧结收缩和介电常数均先增大后减小;当烧结温度达到850℃时,陶瓷试样中开始析出钙长石晶相;经880℃烧结所得陶瓷性能较佳:体积密度为3.08 g/cm3,在20 MHz下相对介电常数为7.7,介质损耗为2.0×10–4,25~600℃内线膨胀系数为8.3×10–6/℃,满足LTCC基板材料的应用要求。 相似文献
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随着传感技术的发展,传感器的应用领域变得更加 广阔。许多场合需要高精度的温度传感器,干涉型光纤传感器具有灵敏度高、抗电磁干扰等 优点,受到广泛关注。因此,基于复合干涉原理,设计了一种基于锥-单模光 纤-细芯光纤-球结构的传感器。该传感 器是在由单模光纤制作的锥型结构和球型结构之间,插入相同长度的单模光纤和细芯光纤制 成的,在单模光纤与细芯光纤的熔接处,以及细芯光纤和球型结构的熔接处皆发生干涉。当 温度变化时,光纤纤芯模式和包层模式的相位差发生改变,从而使透射谱中的干涉谷发生漂 移。通过测量干涉谷的漂移量,便可得到温度变化量,实现温度传感。对 传感器温度特性进行研究,当温度从30 ℃变化到75 ℃时,透射谱中的两个干涉谷分别向长波长漂移了 1.5 nm和3.75 nm,灵敏度分别为0.033 nm/℃和0.083 nm/℃。本文提出的传感结构体积小 、制作简便、成本低且两个谷的温度灵敏度较高,可望应用在双参量或多参量测量的场合。 相似文献
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采用sol-gel法、固相反应法和掺杂的sol-gel法三种制备工艺,制备了PZT与NiCuZn质量比为3:7和4:6的两种铁电/铁磁复合材料。研究了不同制备工艺对低温烧结复合材料显微结构和电磁性能的影响。结果表明:三种制备工艺都能很好地实现900℃低温烧结,且所制复合材料的ρv大于5.2g·cm–3,μi大于19,Q值大于265,ε′大于45。相对而言,掺杂的sol-gel法所制材料性能最好,其次是固相反应法,再次是sol-gel法。但是,从适于批量生产以及降低成本的角度考虑,固相反应法更符合实际。 相似文献
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T. A. Prikhna 《Journal of Electronic Materials》1995,24(12):1971-1975
The present paper looks at the high pressure and temperature effect on the structure, phase composition, superconductive,
and mechanical behavior of high temperature superconducting ceramics MeBa2Cu3O7−δ (Me < Y, La, Nd, Gd, Sm, Eu), ceramics based on superconductive compounds of the Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O system, the so-called 2212
and 2223 phases, and also on the infinite-layer compounds of the nominal composition Sr0.7Ca0.3CuO2. It has been shown that under high pressure-high temperature conditions, materials with high superconductive and mechanical
characteristics can be obtained and the increase in critical current density can be the result of such a treatment. 相似文献
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利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,研究了Ga和N共掺杂闪锌矿InSb半导体的电子结构和电子性质.研究发现单独掺杂Ga或N对InSb带隙的影响较小.在共掺杂Ga/N的情况下,当Ga/N浓度增加时对InSb的带隙影响明显.这些理论结果对半导体材料的能带工程提供了一定的参考价值. 相似文献