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介绍了半导体可饱和吸收镜的锁模原理和制作方法,通过分析超短脉冲激光与半导体材料作用原理,阐述了提高半导体可饱和吸收镜抗激光损伤阈值的方法,如吸收区掺杂、退火、扩大低温生长区、表面热沉等。实验中通过退火和镀介质薄膜使半导体可饱和吸收镜由不能工作转为能够工作,并且获得稳定的连续锁模脉冲激光输出。 相似文献
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半导体可饱和吸收镜实现高频脉冲激光研究进展 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了作为固体激光器、半导体激光器和光纤激光器被动锁模吸收体的半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本原理和制作方法。详细阐述了利用半导体可饱和吸收镜对同体激光器和光泵垂直外腔面发射半导体激光器进行被动锁模,获得重复率为几吉赫到几百吉赫的超短脉冲激光的方法。 相似文献
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介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法,阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理,并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜. 相似文献
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介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法,阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理,并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜。 相似文献
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为了研究半导体可饱和吸收镜的被动锁模特性,采用中科院半导体所提供的半导体可饱和吸收镜,实现了脉冲式Nd:YAG激光器1.06μm激光的被动锁模,获得了稳定的皮秒激光脉冲序列输出.经自相关实验装置测量,其锁模激光脉冲宽度大约为48.2ps,脉冲序列的能量为24mJ,实验中采用直腔结构的谐振腔,该腔结构简单、易于调整.理论上分析了1.06μm半导体可饱和吸收镜结构及被动锁模基本原理,计算并模拟了半导体可饱和吸收镜中布喇格反射层不同周期时对应的反射谱图以及不同周期时中心频率处布喇格反射层的反射率曲线.结果表明,随着布喇格反射层周期数的增加,其中心波长处的反射率也随着增加.当周期数大于13时,其中心波长反射率超过99%.半导体可饱和吸收镜是实现Nd:YAG激光器的被动锁模的理想锁模器件. 相似文献
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利用半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模技术实现的超快脉冲激光器具有结构简单紧凑、脉冲序列稳定等优点,在许多领域有着重要用途。简述了用半导体可饱和吸收镜锁模固体激光器的具体要求及方案,介绍了采用Z型折叠腔结构和大功率侧面抽运模块实现的半导体可饱和吸收镜被动锁模Nd:YAG固体激光器。得到了平均功率为4.7 W,脉冲重复频率55 MHz,单脉冲能量85 nJ的皮秒激光脉冲,光束质量好,M2因子约为1.2,谱线宽度约为0.1 nm,在小时间尺度上得到较好的锁模效果,对实验现象进行了描述,对实现高功率侧面抽运锁模激光器进行了初步探讨。 相似文献
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砷化镓半导体材料与空气接触的表面存在密度很高的电子表面态,砷化镓材料内部的电子可以通过这种表面进行驰豫,驰豫时间估计在ps量级。依此原理,制作了一种新型的表面态型半导体可饱和吸收镜,用其作为被动锁模吸收体.实现了半导体端面泵浦Nd:YAG激光器被动连续锁模。在泵浦功率为4W的情况下.获得了连续锁模脉冲序列,重复频率150MHz,锁模脉冲平均输出功率为300mW,脉冲宽度为10ps。 相似文献
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较全面地介绍了几种掺钕激光晶体的光学性质。就掺钕激光晶体主要的三个波长探讨了用一种新型的吸收体(半导体可饱和吸收镜)进行被动调Q和锁模。 相似文献
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Delfyett P.J. Hong Shi Gee S. Nitta I. Connolly J.C. Alphonse G.A. 《Quantum Electronics, IEEE Journal of》1999,35(4):487-500
Joint time-frequency ultrafast measurements using frequency-resolved optical gating (FROG) have been used to provide a fundamental understanding of: (1) ultrashort pulse propagation in semiconductor optical amplifiers; (2) the modelocking dynamics in external cavity semiconductor diode lasers; and (3) correlated multiple-wavelength generation from mode locked semiconductor lasers. The pulse shaping and chirping effects measured by FROG are shown to be attributed to intracavity gain and saturable absorbing dynamics, as well as group velocity dispersion. In addition, the intracavity gain dynamics show a regime of transient unsaturated gain, which can be exploited to allow phase-correlated multiple-wavelength modelocked operation from a single-stripe external-cavity semiconductor diode laser. In this case, FROG techniques are used to understand the underlying mechanisms involved in the phase correlation process 相似文献
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Fully self-starting and passively modelocking of a 1.5 /spl mu/m solid-state laser with a GaInNAs semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) has been demonstrated for the first time. A saturation fluence of 20 /spl mu/J/cm/sup 2/, a modulation depth of 0.39% and a fast temporal decay of 18 ps were measured. These well-suited nonlinear optical SESAM parameters allowed for self-starting and passive modelocking of a diode-pumped Er:Yb:glass laser at 1.534 /spl mu/m with a pulse duration of 5 ps at 61 MHz. 相似文献
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Kemp A.J. Stormont B. Agate B. Brown C.T.A. Keller U. Sibbett W. 《Electronics letters》2001,37(24):1457-1458
Gigahertz repetition-rate, fundamental modelocking of a directly diode-pumped femtosecond laser is demonstrated for the first time. Transform-limited pulses of 146 fs duration are produced from a compact Cr:LiSAF laser incorporating a semiconductor saturable absorber mirror and pumped by inexpensive, narrow-stripe red laser diodes 相似文献
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S.D. Brorson S. Bischoff J. Mork A. Moller-Larsen J.M. Nielsen 《Photonics Technology Letters, IEEE》1996,8(10):1308-1310
Femtosecond pump-probe measurements of the dynamics in both forward- and reverse-biased semiconductor optical waveguides are presented. Slow (nanosecond) as well as ultrafast (femtosecond) dynamics are observed in both kinds of structures. These measurements imply that the "slow saturable absorber" theory of modelocking in monolithic CPM devices is incomplete. 相似文献