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铝衰减膜表面氧化对软X光透过率的影响与修正 总被引:1,自引:0,他引:1
对用不同方法制备的软X光激光实验用的Al衰减膜样品,用Auger电子能谱(AES)结合氩离子束刻蚀进行了组分的表面和深度分布分析,结果表明表面氧化层主要由Al2O3组成,氧化达到饱和时的氧化层厚度≈7.5nm。由于在软X光波段内,氧的吸收系数比铝大一个多数量级,这一氧化层对软X光透过率的影响甚大。将AES测试结果作为参数,使用公式I=I0·exp[-μ(E)·(ρd)]对X光透过强度进行修正。同步辐射软X光对样品透过率的直接测量表明,对于透过率大于20%的Al膜,直接测量结果与按修正公式计算的结果在最大偏差11%范围内符合。 相似文献
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洁净硅表面在电子束的作用下产生诱导氧化现象,在AES分析中已得到证实。本文利用TEM 200CX型电镜研究了洁净硅表面在电子束作用下的结果,实验表明,在TEM中同样存在着电子束诱导硅表面氧化的现象,氧化生成了SiO_2微晶,其氧主要来自硅晶体内氧的局部富集和电镜中残余气体在硅表面的吸附。 相似文献
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纳米硅薄膜的Raman光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
通过等离子增强化学气相沉积法,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响.结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值.X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性,进一步减小声子的平均自由程,导致实验值偏离理论计算值.晶格平移对称性的破缺还体现在,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加,喇曼谱中TA、LA振动模的相对散射强度增加. 相似文献
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纳米硅薄膜的Raman光谱 总被引:18,自引:1,他引:17
通过等离子增强化学气相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加 ,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多 ,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性 ,进一步减小声子的平均自由程 ,导致实验值偏离理论计算值 .晶格平移对称性的破缺还体现在 ,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加 ,喇曼谱中 TA、LA振动模的相对散射强度增加 . 相似文献
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磁控溅射Ge/Si多层膜X射线低角衍射界面结构分析 总被引:6,自引:1,他引:5
本文对磁控溅射不同结构的Ge/Si多层膜样品进行了X射线衍射的测试和分析,并进一步采用有过渡层的光学多层膜衍射模型对衍射谱进行了拟合;获得了扩散层厚度和分层厚度等多层膜的结构参数,定性讨论了多层膜中互扩散与分层厚度铁关系。计算结果与实验结果符合较好。 相似文献
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在XPS分析室内利用超高真空蒸发方法在单晶硅衬底上沉积酞菁铜薄膜,并利用X光电子谱(XPS)作原位分析,研究酞菁铜薄膜的沉积规律,并讨论了不同条件下酞菁铜配合物分子组成及结构的变化。结果发现利用超高真空沉积方法得到酞菁铜为近化学计量,随着蒸发温度的升高,分子中Cu原子的含量逐渐减少,N原子的含理逐渐升高,苯环上的碳原子与类朴啉环上的碳原子的比例逐渐减少,这与酞菁铜分子中各原子的价键状态、酞菁铜分子 相似文献
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在488nm的Ar+激光激发下,Si覆盖的部分氧化多孔硅(POPS)的光致发光谱(PL)在1.78eV处展示了一个稳定的PL峰,它的强度达到刚制备多孔硅的发光强度.使用X射线衍射、Raman散射、傅里叶变换红外吸收和电子自旋共振等对其发光机理进行了系统的研究.结果表明,这个增强的PL峰不是起源于量子限制硅晶粒中的带带复合,也不是起源于样品表面局域态或硅晶粒与氧化物之间的界面态的辐射复合.通过与Ge覆盖的部分氧化多孔硅的相关结果比较,我们认为这个稳定增强的PL峰起源于氧相关缺陷中心的光学跃迁 相似文献
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在488nm的Ar+激光激发下,Si覆盖的部分氧化多孔硅(POPS)的光致发光谱(PL)在1.78eV处展示了一个稳定的PL峰,它的强度达到刚制备多孔硅的发光强度.使用X射线衍射、Raman散射、傅里叶变换红外吸收和电子自旋共振等对其发光机理进行了系统的研究.结果表明,这个增强的PL峰不是起源于量子限制硅晶粒中的带带复合,也不是起源于样品表面局域态或硅晶粒与氧化物之间的界面态的辐射复合.通过与Ge覆盖的部分氧化多孔硅的相关结果比较,我们认为这个稳定增强的PL峰起源于氧相关缺陷中心的光学跃迁. 相似文献
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本文报道在氮氧混合气体中用射频反应溅射法在硅表面成功淀积氮氧铝膜的实验研究结果。给出膜淀积工艺、膜的原子组元和浓度、含有不同氧原子浓度的膜的折射率和击穿电场强度以及膜的X-光衍射谱。 相似文献