晶闸管挖槽法制造工艺

介绍一种挖槽法制造晶闸管新工艺,它具有简化制作工序、提高器件芯片成品率的特点,适合批量生产.     

硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管

本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺，结合光刻门极化学挖槽技术，简化制管工序，改善了器件的电性能指标。     

晶闸管制造工艺改进

由于抛光、氧化、光刻工艺的流程较长,而且抛光去掉的厚度误差较大,击穿特性软,所以我们欲将抛光工序取消,进行实验,工艺流程如下:磨片→硼铝涂层扩散→氧化→光刻→磷扩散→烧结→镀膜合金→反刻→台面处理→封装→…….去掉抛光工序,工艺大大简化,一扩后表面浓度不再受抛光影响,扩散参数的一致性和均匀性容易保证.但是,粗糙的表面,形成的氧化层是否连续?也就是说,能否屏蔽高温长时间的N~+选择扩散?形成发射结(阴极-门极     

高灵敏触发晶闸管的设计和制造

本文介绍一种高灵敏触发晶闸管,其通态电流为5A、正反向转折电压大于400V、门极触发电流小于200μA。     

腐蚀挖槽和P,N型杂质一步掺杂制造晶闸管

本文介绍了腐蚀挖槽和硅中P、N型杂质一步扩散掺杂的晶闸管制造工艺,应用该技术提高了产品的性能/价格比。     

挖槽工艺在我国晶闸管制造历史上的作用

本刊上期介绍了晶闸管制造的前十年，是一定要用大量黄金的。照此下去，电力电子势必成为国民经济的耗金大户；而且这种“扩散一合金工艺”限制了晶闸管向大面积(扩展电流容量)、高电压、快速性、高性能及派生新器件的方向发展。尽管开发了石墨粉压接、真空吸片、倒装等保证烧结质量(主要是保证金锑片、金硼钯片同扩散好的p-n-p结构的     

制造高压整流管的新工艺

利用开管扩散方式，将元素Ｇａ分为低浓度、高浓度两段掺杂，在Ｎ型Ｓｉ的衬底上形成Ｐ区和Ｐ＾＋区用于整流管芯片的制作，能较好地协调元件阻断特性与通态特性的矛盾。     

阳极短路GTO制造工艺的研究

阳极短路型门极可关断（ＧＴＯ）晶闸管制造技术的关键工艺是短路区的制作。实验证明，短路区的制作可以用先选择性扩散Ｎ＾＋层，然后再扩散镓的方法来实现。通过扩散工艺的精确控制，以调节短路电阻，从而获得电特性的优化。     

微电子制造科学与技术计划中的硅片清洗

在由得州仪器公司、美国国防部远景规划局和美国空军联合资助的微电子制造科学与技术（ＭＭＳＴ）计划中，硅片清洗的目标是开发旨在完全取代湿法清洗工艺的单片、全干法或汽相清洗工艺。氢氟酸（ＨＦ）汽相清洗和等离子体处理在去除氧化物、氮化物和金属刻蚀后的残余物方面取得了成功。但是，有效的干法工艺并不能取代炉前清洗所用的工业标准（ＲＣＡ）清洗和水冲洗。全干法工艺可能都还要花５到１０年才能成熟。以后几年，将开始采     

集成电路制造工艺及其使用的气体

本文从半导体制造工艺晶体生长与衬底制备、氧化、扩散、外延生长、化学汽相淀积、物理淀积、离子注入、刻蚀、光刻、合全化和焊接等方面，叙述了对气体使用的要求。     

半导体硅片键合:MEMS制造工序中的成熟技术

新型MEMS应用领域的发展为现有的制造技术带来了很大的挑战,并促使了满足新加工要求的制造能力的发展。根据目前MEMS制造中普遍采用的不同的晶圆键合方法及其主要工艺参数要求,开发了一种新型的晶圆键合技术。     

浅谈浸渍式钨酸盐阴极的制造

介绍了浸渍式钨酸盐钡钨阴极制造的工艺流程，并对钨海绵的压制、磨削夹具的设计、钨酸盐的制备、钨酸盐的浸渍等几个关键工艺进行了详细的探讨，指出只有严格按照相关工艺操作，才能制备出性能良好的阴极。     

波状p基区IEC-GCT制造工艺研究

波状基区结构是一种电力半导体器件的最新高功率制造技术,在p基区中引入该结构可以改善IECGCT的RBSOA特性与门极开关均匀性.提出该器件的工艺制造方案,数值模拟结果表明建议方案可行,所得器件结构参数符合目标要求.模拟并分析了门极挖槽工艺对波状基区形状的影响及铝杂质扩散对阳极结构的影响,挖槽工艺顺序和挖槽深度对阴极掩蔽...     

非深冷型量子红外探测器的优化、设计和制造

本文提出了对中红外双异质结构光伏探测器的探测率优化研究。本文把关于暗电流的简单近似分析表达式同全数字计算作了比较,并阐述了对支配暗电流的物理机制的认识。从简单的p-n结到完整的双异质结构,分析工作是逐步进行的。分析内容包括温度、双异质结构中的势垒带隙能量以及激活区中的掺杂对扩散和产生一复合机制的影响。文中对如何通过控制激活区的掺杂来提高双异质结构光伏探测器的性能作了说明。尽管如此,器件加工中出现的难点仍限制着器件的发展。例如,用于蚀刻法来加工InAs0．91Sb0.09p-i-n光伏探测器会引起台面边缘严重漏电。通过先用离子束蚀刻然后用化学蚀刻,器件的R0A特性可在低温下提高n个数量级。这种加工方法证明,探测器的性能实际上受限于空穴的扩散电流。最后,本文讨论如何用InAs／Alsb超晶格制成的n型势垒来避免空穴的扩散并改善探测器的R0A特性。     

ADI公司发布创新的制造工艺ICMOS

美国模拟器件公司近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合，它使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。与采用传统CMOS制造工艺不同，按照iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC能承受高达30V电源电压，同时能提供突破的性能水平，降低系统设计成本，而且降低85％的功耗和减小30％的封装尺寸。     

沟道刻蚀型a—SiTFT矩阵的制造工艺

沟道刻蚀型a-SiTFT是TFT的一种。本文介绍了沟道刻蚀型a-SiTFT矩阵的结构和原理．重点介绍了它的制造工艺。     

IMEC计划2015年以后逐步引入450 mm工艺研发能力美国将继续领先下一代半导体制造技术

欧洲半导体工艺研发机构IMEC总裁Luc Van den hove日前透露,IMEC将在2015年以后,有选择地对部分450 mm硅片关键工艺形成研发能力,这些关键工艺包括光刻和晶体管控制栅的制造。     

聚丙烯薄膜电容器CBB12产品关键制造工艺的研究

通过对控制 CBB12型电容器包封开裂率的关键工艺的探索 ,解决了生产制造过程中影响产品成品率的关键——开裂率问题。对其耐电压性能的改进进行了研究 ,解决了影响产品可靠性水平的关键指标——耐压击穿问题。将酚醛包封材料改性和芯子结构改进工艺方法相结合 ,形成了一整套比原引进技术适用范围更广、产品可靠性更高、满足用户更大需求的 CBB12型电容器产品制造关键工艺最佳方案。