电子和Ar_2~ 分子离子的三体离解复合

本文用测量电离的Ar气电导率的方法,在几个大气压和电子平均能量约2.8电子伏的条件下,研究了当5.0×10~(-18)≤E/N≤1.76×10~(-17)伏·厘米~2时电子和Ar_2~ 分子离子的离解复合过程。结果表明,有效复合速率常数的变化从3.79×10~(-7)厘米~3/秒到1.23×10(-7)厘米~3/秒,由此计算,得到了二体离解复合速率常数α_2=(5±2)×10(-8)厘米~3/秒,三体复合反应速率常数K_p=(2.44±1.40)×10~(-27)厘米~6/秒。三体过程的贡献比二体过程约高一个数量级。     

化学发光反应Ba+N_2O产物BaO A~1Σ~+v｀=1→0的弛豫速率和 v｀=0的猝灭速率

我们在热管炉反应器中作了Ba/N_2O的化学发光反应,记录并分析了产物BaO(A~1∑~+→X~1∑~+)的化学发光光谱。计算了温度为993K,Ar压为0.5、2.5、5、12和24托时反应产物BaO A~1∑~+,v'=0—8的相对布居。发现,v'-1、3、6和7有异常高的布居,而 v'=0的布居极低,证明 BaO A~1∑~+态不是化学反应产物的“先驱态”以及此态存在强的微扰。根据反应的特点,建立了在具有足够量缓冲气体时 Ba/N_2O反应产物 BaO A'∑~+v'=0的布居速率方程,求得在氩气中(993K)BaO A'∑~+v'=1→0的弛豫速率常数 k_(1-0)~(Ar)为2.74×10~5托~(-1)·秒~(-1)和 v'=0的电子猝灭速率常数 k_Q~(Ar)为4.59×10~3托~(-1)·秒~(-1),在氮气中(993K)相应速率常数 k_(1-0)~N_2和 k_Q~N_2分别为5.60×10~5托~(-1)·秒~(-1)和4.09×10~(-4)托-1·秒~(-1)。在氮气中传能速率要比在氩气中的大,这是因为氮具有内自由度,使传能中能量转变为平动能的数值△E减小(传能速率随△E指数下降)。     

制造工艺对铌锂锆钛酸铅陶瓷压电特性的影响

研究了制造工艺对铌锂锆钛酸铅(PLN)三元系陶瓷压电特性的影响。以研究结果为据调整工艺条件,从而获得了一种高温稳定性好的压电陶瓷,200℃相对于25℃时,Δf_r/f_r为2.1×10~(-2),Δε_(83)~T/ε_(3a)~T为44×10~(-2),Δk_p/k_p为-3×10~(-2)。     

钕玻璃非线性双光子吸收

利用锁模钕玻璃激光器的单个微微秒激光脉冲,研究了掺钕激光玻璃中钕离子的非线性双光子吸收。根据实验和理论计算给出了钕离子的双光子吸收截面σ=(6.16±1.1)×10~(-33)厘米~4/瓦,非线性吸收系数γ=(1.65±0.29)×10~(-12)厘米/瓦以及光强与透过率的函数关系曲线。双光子吸收限制了钕玻璃放大器的输出峰值强度。实验确定放大器的极限峰值强度为 I_(最大)=(4.15±0.73)×10~(10)瓦/厘米~2。     

Cd0.95Fe0.05Te能隙的温度和压力效应

采用金刚石对顶砧高压装置测量了半磁半导体Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te光吸收边的压力效应,得到其一级和二级压力系数分别为α=8.2×10~(-11)eV/Pa和β=-7.7×10~(-21)eV/Pa~2;测量了不同温度下的Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te吸收谱,得到其能隙温度系数为α=-4.4×10~(-4)eV/K。此外,在低温下发现了一个Fe~(2+)吸收峰,根据晶体场理论判定为Fe~(2+)的~5E→~3T_1跃迁吸收峰。     

钕激活氧代硫化镧——一种新的高增益激光材料

在La_2O_2S(LOS)中观察到1.075微米的Nd激光作用。测量LOS:Nd的激光跃迁横截面是σ_x=(2.1±0.2)×10~(-18)厘米~2,而YAG:Nd为σ=(5.6±0.6)×10~(-19)厘米~2。与YAG:Nd比较,LOS:Nd由于较强抽运带和较大的激光横截面,因此无论是脉冲工作和连续工作都具有较低的阈值。据已获得的充分数据可以预计,当LOS晶体的光学质量达到与现有YAG的质量时,LOS:Nd连续斜率效率比YAG:Nd高8～12倍。     

GaAs和GaAs_(1-x)P_x外延沉积的多片生长系统

本文描述了在多至8个衬底上同时沉积外延层的系统。在外延层中物理和电学特性均具有高度的均匀性。片内层厚的变化低于10％,而每炉片间层厚的典型变化为±5％。GaAs_(1-x)P_x薄层的组分变化无论是在片内或是每炉片间均低于±1％。用几种技术测定的电学数据表明片内和每炉片间具有极高的掺杂均匀性。对于轻掺杂的GaAs薄层在300°K下的迁移率>6000厘米~2/伏·秒,而且>7000厘米~2/伏·秒的迁移率也经常获得。本文中叙述了载流子浓度为1×10~(15)/厘米~3至3×10~(19)/厘米~3的n型和5×10~(16)/厘米~3至5×10~(19)/厘米~3的P型的材料制备工艺。     

用碲作熔剂生长碲镉汞晶体

本文报告了碲镉汞晶体的生长方法,并对我们做的六种生长工艺作了比较。着重介绍用Te作熔剂生长高质量组分均匀Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的实验工艺,以及对所得结果进行分析讨论。所得晶锭中段组分比较均匀,且与预定值相近。单晶经切片退火后,在77K时电子浓度可达到3×10~(4)(厘米~(-3)),迁移率可达10~5厘米~2伏~(-1)秒~(-1),用这样的晶体制成的光导、光伏器件D_(bb~*均可达到6×10~9厘米·赫~(1/2)瓦~(-1)。光伏器件不需要加偏压。响应率较大,可达10~3伏·瓦~(-1)。     

高D~*、快响应钛酸锆酸铅热电探测器

已制得D~*(500°K,1.1)=7×10~8厘米·赫~(1/2)/瓦的大面积PZT探测器和最小响应时间为5毫微秒的快速探测器。热电系数为27毫微库仑/厘米~2°K及对此器件测得的材料灵敏值为2.8×10~(-9)库伦厘米/焦耳。     

InGaAsP/InP异质结双极晶体管的研究

用液相外延方法研制了InGaAsP/InP异质结双极晶体管(HBT),并研究了其直流特性。该HBT的发射区和集电区材料为InP(禁带宽度为1.35eV),基区材料为InGaAsP(禁带宽度0.95eV)。器件采用台面结构,发射结、集电结面积分别为5.0×10~(-5)cm~2、3.46×10~(-5)cm~2。基区宽度约为0.2μm,基区掺杂浓度为(2～3)×10~(17)/cm~3。在I_c=3～5mA,V_(ce)=5～10V时。共射极电流放大倍数达到30～760。符号表 q 电子电荷ε介电常数 k 玻耳兹曼常数 T 绝对温度β共射极电流放大倍数γ发射极注入效率 A_e 发射结面积 I_(ne) 发射极电子电流 I_(pe) 发射极空穴电流 I_(rb) 基区体内复合电流 I_(gre) 发射结空间电荷区产生-复合电流 I_(sb) 基区表面复合电流 I_(nc) 被集电极收集的电子电流 m_(pb)~* 基区中空穴有效质量 m_(?)~* 发射区电子有效质量 N_(Ab) 基区中受主掺杂浓度 N_(D(?)) 发射区施主掺杂浓度 N_(D(?)) 集电区施主掺杂浓度 W_b 基区宽度 L_(ab) 基区中电子扩散长度μ_(ab) 基区中电子迁移率τ_(ab) 基区中电子寿命 V_(no) 从发射区注入到基区电子的平均速度 V_(p(?)) 从基区注入到发射区空穴的平均速度△E_g 发射区与基区的禁带宽度差△E_c 异质结交界面导带不连续量△E_v 异质结交界面价带不连续量。且有:△E_c+△E_v=△E_g A_(?) 基区表面有效复合面积     

钪酸盐阴极的研制及应用

本文介绍了大电流密度钪酸盐阴极的制造工艺。采取共沉淀法,解决了关键工艺—S_(c2)O_3溶于酸的问题。此工艺制备简便、稳定、性能良好。直流发射1000℃大于10安/厘米~2;直流温度补偿数据900℃大于10安/厘米~2;脉冲发射在 f=100周/秒,τ=50微秒时,1000℃大于48.5安/厘米~2,二次发射σ=3.5,活性物质蒸发1000℃时1.2×10~(-10)克/厘米~2秒。     

锆-铝消气剂的吸气性能及其在行波管中的初步应用

本文扼要叙述了非溅散锆-铝消气剂的特性。通过对它的吸气量和吸气速率的实验测定,表明了在300～700℃范围内,它的吸气性能是令人满意的。对空气而言,在700℃,1×10~(-6)乇时,吸气速率约为310厘米3/2厘米~2·秒。700℃时的吸气量达1.0×10~(-1)～1.4 ×10~(-3)厘米~3·乇/2厘米~2。实验用的锆-铝消气剂是采用氢化锆粉(84％)与铝粉(l6％)配制而成。锆-铝合金的生成是在真空烧结过程中,除了有铝的局部蒸发以外,还由于氢化锆的分解,不断放出氢气而形成的,因而使得消气剂涂层更富于多孔性和更为清洁。邮电部北京506厂,将由Zr与Al直接熔炼而成的Zr-Al消气剂运用于行波管中,涂在灯丝托盘上,群频噪声显著下降,缩短了老炼时间,并且很大地简化了使用工艺,取得了初有成效的进展。本文最后展望了它的发展。     

C—V法液晶弹性常数的测定

本文描述了近几年发展的电容—电压或电容频率测量技术,即相敏电容桥。该测量系统由计算机控制,测定频率范围为30Hz-10kHz、利用STN—0020/01SBE液晶材料在不同温度条件下测定了弹性常数K_(11)～14.9×10~(-12)N.K_(33)～15.3×10~(-2)。在玻璃板上镀金膜作为液晶分子平行取向排列层兼作为电极。本测试系统的误差和精度分别在电容值的测量误差为±5％,正弦波(30Hz—10KHz)的频率精度±1％、给出弹性常数K_(11)、K_(22)、K_(33)的误差为±5％～±10％。     

制备高度取向超薄聚合物薄膜的新方法

近十几年来,有关应变诱导结晶的聚合物纤维的形态结构和结晶机理做了大量的研究工作,其理论解释是基于在流动过程中的溶液或熔体的纵向流动梯度。为制得高取向的聚合物材料,提高纵向流动梯度是一种有效的途径。在工业生产上,通过高纺速(1×10~4厘米/秒)可以获得高的纵向流动梯度,而对于实验室研究,Petermann提出的熔融拉伸方法(1)是很方便的。该方法的特点是以较低的拉伸速率(4厘米/秒)在很短的流动区域内(0.5—1.0微米)获得非常高的纵向流动梯度(4×10~4/秒)和过冷速率。依此方法可以制得高度取向的聚合物薄膜。     

C轴取向ZnO压电薄膜的制备

本文扼要叙述用直流溅射法制备具有较高电阻,C轴取向好的ZnO压电薄膜的方法.沉积条件为:溅射电流密度J=1.2—1.5毫安/厘米~2,溅射气压P=6×10~(-2)—1×10~(-1)毛,基片温度Ts=160—280℃,沉积速率V=0.1—0.4微米/小时,得到的薄膜洁净透明,分散度α<6°,偏离度M≤3°,电阻率ρv=105—10~7欧-厘米,粒度300—500埃.并探索了温度,基片位置,气体组分对薄膜性能的影响.     

PMMA的离子束曝光特性

用B~+、F~+离子束曝光PMMA,实验得到灵敏度为(1-8)×10~(12)离子/厘米~2,饱和曝光深度t由能量损失的深度分布范围决定,且t≌R_p+2△R_p,阈值能量8_m=(30-330)焦耳/厘米~3,并估算了本实验条件下离子束曝光PMMA的分辨率d～(25-100)纳米.XPS分析结果表明,在剂量D>1×10~(13)离子/厘米~2时,PMMA表层中含氧量才显著减少,由此推想在离子束曝光常用剂量范围内,PMMA发生降解反应时并不伴随含氧侧基的脱落.     

掺铬砷化镓汽相外延

使用 Ga/As Cl_3H_2系统,以 CrO_2Cl_2作掺杂剂生长半绝缘掺铬GaAs 外延层,电阻率的数量级可达10~8欧姆·厘米。这表明铬起着深能级受主的作用,其激活能为0.57电子伏,约可补偿浓度为10~(16)厘米~(-3)的浅能级施主。载流子浓度为1.2×10~(17)厘米~(-3)、迁移率为5200厘米~2/伏·秒的掺硫 n 型层可在一次试验中连续生长在半绝缘外延层上。边界层陡峭适用于场效应晶体管。     

InSb/Pb_(0.79)Sn_(0.21)Te双色夹层式探测器

用InSb和Pb_(0.79)Sn_(0.21)Te光伏探测器制备了双色探测系统。探测器排成同心形式,在结构上是分开的,从而在探测表面之间形成0.125毫米间隙。在300K2π视场背景条件下于77K工作时,PbSnTe和InSb的D_(λp)~*值已分别达到1.4×10~(10)厘米赫~(1/2)瓦~(-1)和9×10~(10)厘米赫~(1/2)瓦~(-1)。     

镥二酞花青膜的阴极电致变色显示

一种迁移界面的技术研究了在绝缘基片上镥二酞花青膜的阴极电致变色显示。通过金接触注入电子以及从液体电解质注入阳离子发生了反应。在含水或有机的碱金属盐溶液中形成淡蓝色生成物,而在盐酸的水溶液中形成深紫色生成物。深紫色材料的载流子迁移率为8×10~(-7)厘米~2/伏×秒并且估计体电阻率为1800欧姆-厘米。还原着色看来象是固态的阳离子导体。     

轰击区的非辐射复合对作用区注入载流子空间分布的影响

在质子轰击型GaAs-AlGaAs DH条形激光器中,轰击区的非辐射复合速度v_B高达(7±1)×10~5厘米/秒.这对深轰击(轰击前沿越过作用层)条形激光器作用区注入载流子的空间分布必将产生重要影响.然而,过去的理论分析并未考虑此点.本文报导我们在考虑了这一因素后所得到的结果.