多量子阱RCE光探测器的响应及调谐特性的实验研究

报道了在国内首次研制成功的 Ga As/ A1Ga As材料系的多量子阱结构的谐振腔增强型(RCE)光探测器。实验测得器件的响应具有明显的波长选择特性 ,其峰值响应波长位于 84 3nm附近 ,半峰值宽度 6 .96 nm,并初步观察到了器件的电调谐特性。经进一步优化改进 ,该器件有望成为窄线宽、可调谐的新型解复用型光探测器。     

量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究

在室温下用偏振差分反射谱技术观察到了 Ga As/Al Ga As、In Ga As/Ga As和 In Ga As/In P三种量子阱材料的平面光学各向异性。我们发现 Ga As/Al Ga As量子阱 1 h→ 1 e跃迁的偏振度与阱宽成反比 ,与 In Ga As/In P量子阱的报道结果类似。 Ga原子偏析引起的界面不对称可以很好地解释这种行为。与之相反 ,In Ga As/Ga As量子阱的光学各向异性倾向于与阱宽成正比。目前还不能很好地解释这种现象。     

掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用

研究了Al Ga As层掺1%的In对Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响.2 5 K的光致发光结果表明,In作为表面活化剂能有效改善Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度.将此方法应用到反型Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构中,Hall测量表明该方法能有效提高反型HEMT的电学性能     

共振隧穿二极管电流密度-电压曲线的计算与分析

用紧束缚能带方法计算双势垒结构 Ga As/ Ga1-x Alx As/ Ga As和 In As/ Ga Sb/ Al Sb的电子、空穴电流密度 ,对计算结果进行分析 ,并对其结果在工艺设计中的应用进行讨论     

β-GaS钝化的GaAs表面的光电子能谱

在 Ga As表面淀积β- Ga S是一种可行的 Ga As表面钝化方法 .用光电子能谱研究了超薄Ga S淀积后的 Ga As表面 ,分析了表面成分 .并发现 Ga S的淀积能使 Ga As原有的表面能带弯曲减小 0 .4e V,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除 .给出了一个半定量的理论模型 ,来解释 Ga S淀积引起的能带弯曲减小与以前湿法钝化引起的能带弯曲增大之间的不同     

GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究

在 1 5 K和 0～ 9GPa静压范围下测量了 Ga N0 .0 1 5As0 .985/ Ga As量子阱的光致发光谱。观察到了 Ga NAs阱和 Ga As垒的发光 ,发现 Ga NAs阱发光峰随压力的变化比 Ga As垒发光峰要小很多。当压力超过 2 .5 GPa后还观察到了与 Ga As中的 N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的 Ga As带边和 N等电子能级的压力行为计算了 Ga NAs发光峰随压力的变化 ,但计算结果与实验结果相差甚大 ,表明二能级模型并不完全适用。对观察到的 Ga NAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。     

立方GaAs(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜

立方 Ga As (10 0 )衬底上制备的 Ga N薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相 ,采用水平常压 MOCVD方法在立方 Ga As (10 0 )衬底上制备出了 Ga N薄膜 . XRD测试表明 ,薄膜具有单一的相 .结合对工艺条件的分析 ,认为薄膜具有六方结构 .最后 ,通过 Raman光谱测试 ,证实在立方 Ga As衬底上制备出了单相六方 Ga N薄膜 .还对立方 Ga As衬底上制备出六方 Ga N薄膜的原因进行了讨论     

基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga,Mn)As

介绍了一种基于 Ga As的新型稀磁半导体材料 ( Ga,Mn) As,包括 ( Ga,Mn) As的制备方法、结构特性、磁性质及磁输运性质。最后 ,展望了 ( Ga,Mn) As的应用前景     

76mm GaAs有源器件模型库

采用基于测量 S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术 ,建立与76 mm Ga As工艺线直接结合的Ga As器件 (MESFET,PHEMT)的 MMIC CAD适用器件模型及模型库 ,并通过对不同种类 Ga As MMIC的设计研制进行了验证与改进 ,模拟结果和测试结果基本一致 .目前此模型和模型库已用于76 m m Ga As工艺线上多种微波 Ga As单片的设计研制 .     

GaAs材料工艺的新进展

一、引言Ga As 材料经过三十年的研究和应用,已在微波和光电器件领域占据重要地位。采用目前的Ga As 材料工艺,已经可以批量生产一些微波器件和光电器件。近几年来,Ga As 材料又进入一个新的发展时期。一系列的有关 Ga As 材料物理研究获得成功;新型的 Ca As 器件、微波单片集成电路、数字集成电路和光集成技术等层出不穷。这些发展对 Ga As材料工艺提出了新的要求,,促使材料工艺加速开发。     

低成本PCI仲裁器逻辑扩展设计

本文论述了飞思卡尔公司32位处理器MPC5200B的PCI接口设计要点,阐述了PCI仲裁器逻辑扩展设计及方法.经过CPLD仿真及实际应用证明,该电路设计正确,针对MPC5200B有效地扩展了PCI仲裁器逻辑,增加了PCI总线上主设备个数.     

基于PowerPC的嵌入式系统设计

介绍了以Freescale公司的高性能嵌入式芯片MPC5200B为处理器的嵌入式系统的设计,设计了外部存储器、通信接口部分、显示控制部分等,并对其系统软件VxWorks的BSP进行了配置。MPC5200B集成有高性能的MPC603e内核和丰富的外设接口,提高了MPC5200B的处理能力,可为大多数视频处理算法提供足够的支持。最后对系统进行了验证,系统很好地满足了嵌入式视频信号处理系统的要求。     

基于MPC5200的音视频采集系统

本文介绍了基于MPC5200的嵌入式音视频采集系统的实现。在硬件方面重点介绍了以MPC5200为主处理器的基本特点和系统的硬件结构,在软件方面重点介绍了驱动程序和应用程序的设计。     

最小外型全功能波形监测仪满足视频测试

一直以来,泰克(Tektronix)公司在不断地推动视频产业链的技术创新和演进。2010年推出了WVR8300/8200,支持立体3D视频测量。WFM/WVR6xxx/7xxx系列产品新增了音频响度测量。     

基于电力线载波的远程自动智能抄表系统

通过对现有各种抄表方式的对比,设计出的成本低、高效率的自动远程智能抄表系统。介绍了系统的内部结构,各组成部分的原理及工作过程。系统利用目前的低压电力线载波技术,利用现有的电力线网络,不需重新布线,接入成本低。实验证明,该系统能实现远程自动抄表功能,而且扩展性强、维护方便、经济实用,节省了大量抄表人力,而且抄表准确性强,具有很大的发展空间。     

新型毫米波微带带通滤波器

介绍了一种新型的加载电容型毫米波微带带通滤波器。对这种滤波器进行了分析,推导出了滤波器中所用谐振单元间的耦合系数。该滤波器通过加载电容而出现慢波效应,使得在不改变电路性能的情况下,减小了电路尺寸。同时由于电路中加载电容形成的慢波效应而出现了带阻效应,因此对谐波有很好的抑制作用。利用高频分析软件CST仿真分析并设计了这种新型的加载电容型毫米波微带带通滤波器,实验结果与设计曲线结果相符。     

基于总体变差模型的数字滤波器设计及其性能研究

根据经典总体变差恢复模型,设计了一种新型的应用于图像去噪的数字TV滤波器的一种算法。该新型滤波器是绝对稳定的低通滤波器,在抑制噪声的同时能够很好的保留图像的细节信息。与一般的统计滤波器不同,该滤波器充分利用了局部数据的梯度信息精确计算滤波器系数,滤波过程是图像自适应的。文中直接给出了新型滤波器固定的模板形式,使滤波过程简单易行。最后将新型滤波器与中值滤波器、均值滤波器、高斯滤波器等进行性能比较,效果更好。     

扇形微带短截线型滤波器的设计

采用扇形微带短截线作为滤波器的基本单元,设计出具有宽频特性的滤波器,在微波平面电路的设计中有着良好的应用前景。通过设计扇形微带短截线单元的物理尺寸,能够实现特定频段的高选择性滤波器。用ADS和HFSS对这种新型滤波器与传统直形滤波器进行了特性对比,在特性方面,新型滤波器比传统滤波器具有更陡峭的过渡带和更宽的频带等优点;在结构方面,新型滤波器电路相对传统滤波器可以减少基板面积。     

级联COSINE滤波器在抽取滤波中的研究

为了解决高速抽取滤波器系统中传统CIC滤波器旁瓣抑制不够的问题,通过对级联COSINE抽取滤波器和传统CIC抽取滤波器的原理推导进行对比,分析出级联COSINE滤波器在幅频特性上同CIC滤波器具有很大相似之处,且在满足高速抽取滤波器的情况下,同时具备很好的低通特性和硬件实现性。通过MATLAB仿真实验得到,级联COSINE滤波器在进行32倍整数抽取时,第一旁瓣衰减约是传统CIC滤波器的2倍,进而说明相对于传统CIC滤波器,级联COSINE滤波器具有更好的旁瓣抑制性能。     

Design of active transimpedance band-pass filters with different Q values

Transimpedance filter is a filter which realises a transimpedance transfer function. In this article, the design methods for the transimpedance band-pass filter are presented. The circuit topologies and parameter calculation formulas of three bi-quadratic transimpedance band-pass filter topologies with low-, medium- and high-Q values are proposed, respectively. A high-order transimpedance filter can be obtained by realising a bi-quadratic transimpedance filter first and then cascaded with voltage-mode bi-quads. A high-order transimpedance filter design example is given; the simulation and the measured results verify the effectiveness of the proposed transimpedance filter design method.