用外吸除技术消除P型<111>硅片雾缺陷的研究——Ⅰ.背面多晶吸除技术

研究了背面多晶和改进的背面损伤两种外吸除工艺,及其在消除P型<111>硅片雾缺陷中的应用。用TEM、SEM和热氧化等方法分析了背面多晶层和背面损伤层的微观结构和吸除效果。简单叙述了SIMS和MOS c-t少子产生寿命的测试结果以及吸除机理。本文是第一部分,主要内容是背面多晶生长工艺及其在消除P型<111>硅片雾缺陷中的应用。     

硅片和硅器件工艺中的本征吸除技术

本文介绍了本征吸除技术的产生、发展、应用,以及本征吸除的机制。     

铝熔体中的氢的研究

介绍了铝熔体中的氢的来源及其存在形态,分析了铝液吸氢的过程。讨论了铝液中氢的溶解度及其影响因素。分析了熔体中的三种三氧化铝夹杂对氢含量的影响。研究了除氢的动力学过程以及影响除氢速度的因素。     

综合吸除对硅外延片（N／N^＋）性能的影响

本文介绍了使用扫描电镜（ＳＥＭ）、扩展电阻（ＳＲ）、瞬态电容（ｃ－ｔ）和化学腐蚀等技术，对采用不同吸除工艺的重掺Ｓｂ衬底的硅外延片（Ｎ／Ｎ＋）性能进行了研究。结果表明，综合吸除技术不仅能有效地改善Ｗ／Ｎ＋硅外延片的电性能（τｇ）和明显地降低外延层上的表面缺陷密度，而且对硅片剖面的电阻率分布也无影响。文中还对综合吸除的机理作了初步探讨。     

吸除硅片上杂质金的有效措施

众所周知,硅片上的杂质金以及其它重金属元素对器件的性能有严重的危害,为此各国科学家都设法在制备器件前或制备过程中,将硅片上的重金属杂质吸除掉。大量实践已证明,这种吸除对提高器件的成品率与优品率都十分有利,因此这种吸除研究已成为目前半导体中相当活跃的一个领域了。最近加利福尼亚大学的电气和计算机系发表了用离子注入损伤的方法来吸除掉硅片中杂质金的试验,效果比较明显。他们的研究分为如下二个方面:     

硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究

硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题，它是指经过高温（大于１０５０℃）氧化后的ｐ...     

MOS硅外延技术

本文综述了MOS外延技术的发展、外延MOS结构的优越性及MOS器件对外延技术的要求。重点叙述了MOS外延工艺及其与内吸除技术的结合。     

硅中氧行为研究的新进展

本文根据硅片表层器件有源区中的缺陷对器件性能有着严重的影响，以及在制备器件时会引入的杂质和缺陷的事实，提出了使用内吸除技术来改进硅材料与器件的质量，并对与内吸除有关的因素，即硅中氧行为，如硅中氧施主，氧沉淀及其衍生缺陷，硅片中的吸净层，硅片中的氧与翘曲的成因机制等，作了概要介绍。     

用氧化铝除砷

一种经过特殊加工处理的氧化铝能够选择性地吸附砷。吸砷容量约15％,除砷效率大于95％,并可再生循环使用。文章介绍了该种氧化铝除砷机理、性能及工业实践。     

硅中的点缺陷的控制和利用

介绍依靠拉晶速度和固液界面处的轴向温度梯度之比，影响空位和自间隙原子在直拉硅单晶中的分布。合理设计热场分布，减少直拉硅单晶中的缺陷。低剂量氧离子注入能降低SIMOX硅片项层硅中的间隙原子浓度，从而降低穿透位错的密度。最近开发了一种称为MDZ的内吸除新技术，通过快速热退火控制硅片中空位浓度的分布，从而得到理想的氧沉淀行为，实现了可靠、可重复的内吸除。     

取向硅钢连续退火的工艺与设计

分析了影响脱碳效果和结晶行为的各种要素及其相互制约关系,提出了Hi-B连续退火工艺曲线,总结得出快速加热及合理稳态气氛是实现工艺制度的关键.结合实际工程,介绍了在连续退火炉设计中快速加热和气氛设计的考虑方法,并指出随着Hi-B产品的发展,如何改进这些方法将是连退工程研发的方向之一.     

世界半导体硅工业新动向

文章从技术和市场两方面概括了近年来世界半导体硅工业的新动向。评述了单晶中的氧行为,CLF-CZ、FCCZ、MCZ等方法的应用,分析了硅工业的发展方向与国际市场的变化。     

硅片的直接键合

介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等     

Endoscopic carpal tunnel release

The aspects of various techniques for endoscopic carpal tunnel release, including the Chow technique, the Japanese technique, and the Agee technique, are reviewed. Anesthesia, portal placement, and ligament cutting techniques are considered. Clinical results, complications, and long-term outcomes of the Chow technique are summarized.     

黑钨与锡石分离技术研究

介绍了笔者研究的三种黑钨与锡石混合粗精矿分离技术既干式强磁分离技术、湿式强磁分离技术、浮选分离技术.研究结果表明,采用三种黑钨与锡石分离技术均可获得较好的黑钨与锡石分离指标.     

大功率晶闸管整流机组冷却水的优化方案

对大功率晶闸管整流机组冷却用水水质、水温等的特殊要求，在调查、分析、论证的基础上，提出了其冷却用水采用制冷机辅助降温的优化设计方案。并从技术经济角度论述了该方案的必要性和可行性。     

Recent Progress on Non‐oriented Silicon Steel

Control of crystalline orientation and consequent enhancement of magnetic properties are important for decreasing core loss of non‐oriented silicon steel as well as grain‐oriented silicon steel. Through the development of special process techniques to produce clean refined steel, it is now possible to use any element to improve the crystalline texture control of steel without producing harmful effects. Utilization of these effects have actually lowered the core loss and raised the magnetic flux density of the products, and a product series of high‐efficiency non‐oriented silicon steel has been developed. Recently, demand has grown for non‐oriented silicon steel with particular properties, such as lower core loss at high frequencies or high strength, as high‐speed motors have progressed in regard to high efficiency and miniaturization. In response to this trend, non‐oriented thin gauge silicon steel with a thickness of 0.20 and 0.15mm and high strength non‐oriented thin gauge silicon steel with the same thickness but a yield strength of more than 570MPa and 780MPa have been developed.     

SiC复相陶瓷的强化增韧趋势

SiC陶瓷因其具有优良的性能而广泛应用于军事和民用领域.但陶瓷固有的脆性严重影响了其作为结构材料的应用潜力,因此sic陶瓷的强化增韧成为了近年来研究的热点.综述了siC基复相陶瓷的几种主要强化增韧方式,讨论了其强化增韧机制.采用纳米颗粒、晶须协同强化增韧和特殊技术制备纳米复相陶瓷将是提高SiC基陶瓷性能的有效途径.     

智能集成优化控制技术及其在工业中的应用

研究和讨论了复杂工业过程的优化控制技术 ,提出了智能集成优化控制的理论框架。以冶金工业生产中三个典型的复杂生产过程为应用背景 ,分别将模糊神经网络集成建模、基于改进模拟退火算法的混合罚函数目标优化技术、基于混沌神经网络的优化技术及基于模型的专家优化控制技术应用于工业生产过程控制 ,为企业带来了巨大的经济效益和社会效益。     

半导体硅材料的发展概况

本文根据1991年前的资料综合评述了世界半导体硅材料的发展情况。首先从电子工业的最新发展对硅材料的新要求出发,介绍了硅材料的市场和大直径化、MCZ技术、连续投料拉晶、粒状多晶等工艺问题,并展望了发展趋势。