AuGeNi/n—InP欧姆接触研究

本文对金属—n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的接触电阻进行了理论分析,研究了AuGeNi/n-InP欧姆接触的电学特性、冶金性质和组分分布,其最佳工艺条件已用于器件制造.     

Ⅲ～Ⅴ族化合物半导体欧姆接触理论和工艺述评

本文评述Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触工艺。首先介绍了金属-半导体接触(肖特基势垒)内电流输运的基本原理。所研究的电流输运方式是越过势垒的热离子发射和隧穿过势垒的热离子场或场发射。特别注意决定导电主要方式的温度和掺杂浓度这两个参数。当基本的导电方式从热离子发射为主转变到隧穿为主时,接触的电流-电压特性亦从整流性变到欧姆性。然后描述制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的实验技术。讨论了适用于特定器件的接触问题。最后,讨论Ⅲ-Ⅴ混晶接触的困难。     

Ⅲ族氮化物基发光二极管制造工艺

Ⅲ族氮化物是近年来半导体发光器件研究领域中的热点。由于InN,GaN,AlN及由其组成的连续变化固溶体合金所构成的半导体微结构材料,具有宽禁带宽电子漂移饱和速度高、介电常数小及导热性能好等特点,使其在制作短波长、高亮度的发光器件方面具有极其光明的前景。本文系统介绍了以氮化镓为代表的Ⅲ族氮化物基发光二极管的制造工艺。从工作原理、材料生长、掺杂和欧姆接触等各方面,介绍了各种氮化物二极管的不同器件结构和制造工艺。在介绍国际上最新制造技术的同时,对其发展前景做出了展望。     

砷化镓半导体器件

一、引言锗、硅元素半导体在器件制造中已得到了很广泛的应用,在制造高频、大功率、高速开关晶体管方面也取得了非常可观的进展.为进一步改进晶体管的频率、功率、开关速度、使用温度等性能,以及扩展半导体器件的种类和应用,国外对新型半导体材料及其器件的探索相当重视.特别值得提出的是Ⅲ-V族化合物半导体及其器件.1952年Welker就已开始了Ⅲ-V族化合物半导体的研究,他指出这种化合物半导体有类似于锗、硅等Ⅳ族元素半导体的特性.十余年来,国外对这种半导体进行了许多研究工作,利用这种     

GaAs—GaAlAs双异质结发光管的欧姆接触

一、前言欧姆接触是制管工艺的主要环节之一,欧姆接触的好坏对器件性能有很大的影响。为了使所需的电压电流顺利地加到发光器件上,发光二极管必须具有N面和P面电极。电极和器件之间应形成良好的欧姆接触。良好的欧姆接触应具备下列条件:(一)具有低的接触电阻;(二) 电极材料不宜过深掺入半导体内,由于制作接触电极而引起的半导体结构上的变化不致于引起器件其他特性的变化;(三) 电极和半导体接触面必     

关于Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体激光器的欧姆接触问题的分析

本文对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器的欧姆接触提出了研究方向,综述了主要材料GaAs和Inp的欧姆接触的各个方面。同时对最佳合金条件进行了理论分析。     

关于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的理论和工艺技术的述评

评论了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的欧姆接触工艺技术。首先介绍在金属—半导体(肖脱基势垒)接触中电流输运的基本原理。电流输运方式是跨越势垒的热离子发射和由于热离子场致发射或场致发射而引起的穿越的隧道效应。特别着重研究决定主要传导方式的温度参量和掺杂浓度参量。当主要传导方式从以热离子发射为主变为以隧道效应为主时,接触的电流-电压特性也从整流特性变为欧姆接触特性。其次,介绍制造Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的工艺技术。研究了与具体器件的应用有关的接触问题。最后讨论了目前配制Ⅲ-Ⅴ族晶体接触中存在的一些困难。     

AlGaN器件欧姆接触的研究进展

作为制备光电子器件例如紫外光子探测器、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结场效应管等的一种宽禁带半导体材料, III V 族氮化物AlGaN器件近年来颇受关注.AlGaN与金属之间的低阻欧姆接触的实现问题阻碍了AlGaN(基)器件的发展.通过对相关文献的归纳分析,介绍了近年来AlGaN器件在欧姆接触形成、金属化方案、合金化工艺及表面处理等方面的研究进展.     

Ⅲ—Ⅴ旗化合物半导体欧姆接触制作技术评述

扼要介绍了影响欧姆接触形成的因素,对金属—半导体结构进行了测量,对Ⅲ—Ⅴ族化合物的欧姆接触进行了评述。我们讨论了用各种工艺形成的金属—半导体系的热性能(合金、烧结,采用了激光和电子束)。同时还评述了金属淀积前对半导体表面的重掺杂工艺(扩散、离子注入、外延)。一般来讲,金属—ⅢⅤ族半导体之间的相互作用将形成化合物。从电学观点来看,虽然化合物的出现改变了界面的化学组成,但似乎并不因此而使势垒高度有大的改变。微粒的淀积会使界面粗糙。我们认为,迄今所有制作接触的工艺均简便可行,但是和理想情况相比还相差很远。     

用激光形成Ⅲ—V族化合物半导体的欧姆接触

本文报导了采用聚焦激光束在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体表面上形成欧姆接触。我们利用脉冲红宝石激光器(λ=0.6943微米),脉冲钇铝石榴石激光器(λ=1.06微米)和Q-开关CO_2激光器(λ=10.6微米)的脉冲群,已在几种Ⅲ—Ⅴ族化合物(Gap,GaAs,GaSb,InAs和InSb)上形成了“欧姆”接触。初步结果表明,只有波长落在半导体吸收带内(自由载流子吸收或带到带跃迁区)的那些激光器能够成功地用于这种目的。用这种方法制作的接触所给出的欧姆特性类似于用常规技术得到的特性。用这种方法制备欧姆接触不需要任何特殊的表面制备,而且,因为加热被限制在局部的表面区,因此,它对器件的结特性没有影响。     

金属/氮化物肖特基势垒和欧姆接触研究进展

金属 /氮化物肖特基势垒和欧姆接触是蓝紫光光学器件及高温大功率电子器件中的关键工艺。氮化物半导体是一种极性材料 ,表面态密度较低 ,费米能级钉扎效应较弱 ,表面处理能显著影响接触特性。样品表面的沾污和氧化层也会使接触特性显著退化。宽禁带材料的杂质离化能高 ,重掺杂比较困难。深能级陷阱对载流子的俘获效应很强。这些因素都增加了接触的制作难度 ,促使人们寻求新的方案来改进接触特性。文中从金属 /半导体接触的物理模型出发来综述肖特基势垒和欧姆接触的研究进展 ,希望能给器件研究者提供新的思路。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物低维半导体材料制备技术及进展

低维半导体材料特别是Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料日益受到人们的重视和深入的研究。文章回顾和评述了近几年Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料包括量子阱、量子线、量子点的制备技术的进展 ,展望了这些技术在光电子器件等方面的应用前景。     

AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制

研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· cm2 的欧姆接触。实验结果表明 ,Al Ga N/Ga N上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是Ga N HFET器件研制的技术难点     

发光二极管及其芯片研究和生产进展

Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体是制作显示器件的重要材料，随着制作工艺日趋成熟，发光二极管已广泛应用于国民经济各部门，文章主要介绍日本及中华台北的发光二极管的结构、特性。     

压电半导体上耗尽型表面波换能技术

一、引言砷化镓材料技术的进展,促使砷化镓微波集成电路、电荷耦合器件以及数字集成电路等技术的快速发展。砷化镓等Ⅲ-V族化合物半导体又具有内在的压电特性,因此为声表面波技术与半导体集成电路技术相结合并开发研制新型信号处理器件和分系统提供了新的可能性。但是,在载流子浓度较高的压电半导体上应用声表面波技术中传统的叉指换能器结     

n型GaN欧姆接触的研究进展

Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件等方面的应用潜能而被广为研究.其中,低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键.金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能及可靠性的一个问题.对于各种应用来说, GaN的欧姆接触需要得到改进.通过对相关文献的归纳分析,本文主要介绍了近年来在改进n-GaN工艺,提高欧姆接触性能等方面的研究进展.     

p型GaN器件欧姆接触的研究进展

Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究.低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键.由于低掺杂和空穴电离等原因,p-GaN上的低阻接触难于制备.制备稳定的P-GaN欧姆接触一直是一个挑战.主要通过对有关英语期刊文献的归纳分析,介绍了近年来在改进P-GaN工艺、提高欧姆接触性能等方面的研究进展.     

半导体量子线场效应管研究现状及趋势

综述了Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难,并展望了进一步的发展趋势。     

近红外响应的III-V族半导体光电阴极材料及工艺

随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。     

近红外响应的Ⅲ-V族半导体光电阴极材料及工艺北大核心

随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。