一种新的V_T基准源

从理论上分析了适合于纯CMOS工艺的VT基准电流源的温度特性,用该电路同时实现基准 电压和基准电流。并用0．18μm纯CMOS工艺模型(BSIM 3V3 Level=49)在Hspice U2003．9中 进行了仿真验证。该电路具有较小的面积、较高的电源电压抑制比和较低的温度系数。     

一种低成本高精度CMOS基准电压源设计

利用电子迁移率和MOS管阈值电压对温度的变化呈反向趋势的原理,基于0.13μm标准CMOS工艺,设计实现了一款非带隙的基准源电路.Hspice仿真显示该基准能提供0.715V基准输出,并可以根据需要在0.4V～1V范围内进行调节.在-25℃～125℃范围内,温度系数为21.6ppm,在25℃时输出基准线性度为0.237%.     

一种新型基准电流源电路设计

模拟电路工作在低电源电压下是集成电路小型化和低功耗要解决的首要难题,而基准电流源电路是模拟电路中最常用的模块。因此,低压基准电流源电路对集成电路低功耗设计具有重要意义。描述了一种在0.13μm、1.2 V CMOS工艺下实现的基准电流源电路,后仿真结果表明,电路能够在1.2 V电源电压下工作,功耗380μW,温漂值为15×10-6·℃-1。     

一种新型的应用于DC-DC转换器的斜率补偿设计

在分析峰值电流控制模式DC-DC转换器的稳定性基础上,提出了一种新型的四段式补偿法.该方法是根据输出占空比的大小进行不同程度的斜率补偿.结合所设计的峰值电流控制模式DC-DC转换器对该斜率补偿进行了分析.采用0.5μm CSMC DPDM工艺模型仿真并采用该工艺流片.由仿真和测试结果表明,设计的四段式斜率补偿电路在提高电路性能的同时可以有效地提高了系统的稳定性.     

一种用于AC/DC控制器中电压基准源的设计

提出了一种新颖的可用于AC/DC控制芯片中的基准电压源电路。此电路以PTAT（proportional to absolutetemperature）电流为偏置电流,利用二极管连接的MOS晶体管迁移率和阈值电压的温度系数可相互补偿的特性,产生与温度无关的栅源电压。该电路结构简单,既无启动电路也无运放,避免了运放失调对基准源的影响,设计采用CSMC0.5μm BCD工艺。仿真结果表明,该基准电压源具有较低的温度系数和高电源电压抑制比,可作为AC/DC控制芯片中迟滞比较器的参考源。     

电流叠加型CMOS基准电压源

介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,可以按需要任意调节输出基准电压的值,而且可以同时提供多个基准电压。电流叠加型基准电压源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在2.2 V左右,温度系数为80 ppm/℃。     

一种改进的超低压电压基准源设计

本文利用NMOS管与PMOS管栅源电压的温度特性及衬底偏置效应,设计了一种带曲率补偿输出电压约为233mV的电压基准源。该电路结构简单,电源抑制特性较好,并与传统带隙基准电压的温度特性相似。利用0.5-CMOS工艺对电路进行仿真,仿真结果表明:电源电压为1V时,在-40℃至125℃温度范围内,基准源的温度系数约为11ppm/℃;在100Hz和10MHz时电源抑制比分别为-58.6dB和-40dB。     

基于CMOS阈值电压的基准电路设计

在数/模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一.针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点,提出一种新的设计方案,电路中不使用双极晶体管,利用PMOS和NMOS的阚值电压产生两个独立于电源电压和晶体管迁移率的负温度系数电压,通过将其相减抵消温度系数,从而得到任意大小的零温度系数基准电压值.该设计方案基于某公司0.5 μm CMOS工艺设计,经HSpice仿真验证表明,各项指标均已达到设计要求.     

一种用于PWM控制Buck型DC-DC变换器的带隙基准源

在DC-DC转换器芯片设计中,用于产生参考电压的带隙基准精度直接影响芯片的控制精度,设计了一种用于低压型DC-DC转换器芯片内的基准电路。电路基于BJT的Widler型电压基准基本原理,经过理论分析和仿真模拟,采用东部BD 0.35um BCD工艺流片成功。在-40～160℃温度范围条件下进行仿真,当VIN=4.75V,-25℃~160℃的温度系数是22ppm/℃,低频下PSRR为-57.37dB。电源电压从7.5V~18V的变化范围内,基准输出变化了0.03mV/V。整个带隙基准电压源具有好的综合性能。     

一种新颖的DC-DC转换器初级电流检测方法

本文介绍了一种新颖的DC-DC转换器初级电流检测方法。基本原理是利用输入滤波差模电感做电流互感器,检测DC-DC转换器初级电流,本文还推导了其计算公式。     

一种适用于单片集成DC-DC变换器的带隙基准电路

文章设计了一种用于单片集成DC-DC变换器的高性能带隙基准电压电路。当温度从-40℃～125℃变化时,温度系数为23ppm/k,其电源抑制比(PSRR)为54dB。当输入电压在2.5V～6V变化时,基准电压的变化范围为±0.055mV。     

A Super Performance Bandgap Voltage Reference with Adjustable Output for DC-DC Converter

1IntroductionIn the modern world,switching mode power suppliesare indispensable in our day-to-day life,which are widelyused in computers,communication equipment,medicalelectronic equipment and aerospace power systems.DC-DCconverters are used to convert an…     

一种用于DC-DC转换器的精密振荡器设计

提出了一种用于DC-DC转换器的高频、精密张驰振荡器的设计方法.基于V-i转换器原理,设计了精密电流产生电路;基于基极电流补偿技术,设计了一种结构新颖的比较器门限电压产生电路,从而有效地提高了振荡器频率稳定性和精度.通过外接可调电阻,振荡器可调工作频率为100 kHz～3 MHz,并能同时提供占空比85%的方波信号和用于斜率补偿的锯齿波信号,还具有与外接时钟信号同步振荡的功能.流片测试结果表明该振荡器满足设计指标.     

升压型 DC-DC转换器的设计与研究

主要研究了一种高转换效率、低输出纹波的升压型DC-DC转换器．该转换器具有很高的转换效率、低工作电压、欠电流与过电流检测和节电模式控制等特性．通过带隙基准电压源对转换器内部工作点提供偏置,大大地提高了系统的稳定性,提高了抗电源电压波动,温度的变化以及噪声引起的干扰的抑制．采用0．25μmCMOS工艺,其转换效率可达到90％以上．在输入电压为2．5V的条件下,输出电压为标准的3．3V和5V ．     

基于片上DC-DC的CMOS光接收机前置放大器

利用CSMC 0.6μm CMOS工艺,设计了基于片上DC-DC转换器的光接收机前置放大器。电路采用可调跨阻放大器与片上DC-DC结构,有效地克服了单端跨阻放大器易受电源波动的干扰,并解决了高灵敏度与低失真相互矛盾的问题。模拟结果表明,输入动态范围为83 dB(峰-峰值=0.2μA~3 mA),等效输入电流噪声为1.2 pA/Hz(155 MHz),可稳定工作在155 Mb/s速率上;在5 V电源电压下,功耗为95 mW。     

用于DC-DC变换器中稳定性保护模块的设计

针对现代电子系统中预偏置电压保护与电压边际界限的情况,提出了一种应用于DC/DC数字控制芯片的预偏置电压保护与电压边际界限功能模块的设计.利用CPLD验证该模块的正确性,实现了预偏置电压保护与电压边际界限功能.     

新型低电压能隙基准电压源

介绍了一种新型能隙基准电压源电路,此电路在smic 0.18 rfms工艺条件下设计,它可以输出大小为616mV的基准电压,只要当电源电压在1.1,2.5V之间,此基准电压的输出浮动不超过2.2mV.     

一种新型CMOS电流模带隙基准源的设计

设计了一种新型电流模带隙基准源电路和一个3bit的微调电路。该带隙基准源可以输出可调的基准电压和基准电流,避免了在应用中使用运算放大器进行基准电压放大和利用外接高精度电阻产生基准电流的缺点,同时该结构克服了传统电流模带隙基准源的系统失调、输出电压的下限限制以及电源抑制比低等问题。该带隙基准源采用0.5μm CMOS混合信号工艺进行实现,有效面积450μm×480μm;测试结果表明在3 V电源电压下消耗1.5mW功耗,电源抑制比在1 kHz下为72dB,当温度从-40～85°C变化时,基准电压的有效温度系数为30×10-6V/°C。该带隙基准电路成功应用在一款高速高分辨率模数转换器电路中。     

一种无均流外环并联DC-DC变换器的设计

设计了一种无均流外环并联DC-DC变换器,采用平均电流模式控制,通过控制最大编程电感电流,实现并联变换器的精确均流.采用小信号模型分析了并联变换器的均流误差和稳定性,电路实现了稳定的电流特性和快速的瞬态响应,具有优良的负载电流调节能力.仿真结果表明,该电路的均流误差在8‰以下,并联变换器在重载和轻载之间跳变时,1.5m...     

一种升压式PFM DC-DC转换器的设计

讨论了一种PFM升压式DC－DC电压转称器的设计，重点对其关键的基准电压产生，振荡控制信号产生及比较器设计进行了分析，并采用3μmCOMOS工艺完成芯片的设计。