铝箔表面化学镀锌对其在HCl-H 2 SO 4体系中电蚀性能的影响

将高压铝电解电容器用电子铝箔在含Zn2＋的5.0%NaOH溶液中实施化学镀锌处理,然后在HCl＋H2SO4电解液中进行直流电解扩面腐蚀得到腐蚀箔;采用极化曲线研究化学镀锌处理对扩面腐蚀时铝箔点蚀电流、点蚀电位的影响,利用电化学交流阻抗（EIS）研究化学镀锌处理对铝箔电解腐蚀时电化学特征的影响;使用扫描电镜（SEM）观察化学镀锌处理对腐蚀箔表面和横截面形貌的影响;测试100 V形成电压下腐蚀箔的比电容。结果表明：铝箔表面化学镀锌形成的Zn-Al微电偶有助于电蚀时降低点蚀电极反应的阻力,提高点蚀电流密度,增加铝箔表面蚀孔密度和蚀孔分布的均匀性;随着碱液中Zn2＋浓度的提高,腐蚀箔的比电容逐渐增加。     

高温退火对阴极铝箔腐蚀性能的影响

采用扫描电子显微镜、透射电镜分析和腐蚀量试验，研究了高温退火对铝箔第二相形貌及分布和对阴极箔腐蚀性能的影响。结果表明：3003合金中第二相粒子呈条状时，其周围基体中的位错密度分布不均，尖角部位位错密度高，成为优先腐蚀的区域，导致阴极箔腐蚀形貌不均，易发生剥落腐蚀；第二相粒子呈球状且弥散分布时，阴极箔的腐蚀均匀性好，无剥落腐蚀；在630℃高温下退火，第二相发生溶解，并在空冷时重新析出，重新析出的第二相数目减少，形状细小且弥散分布在基体中，从而提高了铝箔的抗腐蚀性能和腐蚀均匀性。630℃退火4h为最佳工艺。     

退火工艺对低压铝箔氧化膜和比电容的影响

纯度99.988%的铝箔在300,400和500℃分别进行0.5,1和2h真空退火,然后利用电容法,间接测出退火箔的氧化膜厚度.用扫描电子显微镜观察部分退火箔的腐蚀形貌,测出相应的比电容.结果表明,在400℃退火时,铝箔的氧化膜厚度最小,300℃居中,500℃最大.在300℃退火时,随着保温时间的延长,铝箔的氧化膜厚度减小;而在400℃和500℃退火时,氧化膜厚度增大.500℃退火的铝箔,表面微量元素的分布接近于平衡状态,分布较均匀,铝箔表面腐蚀孔坑较细小,蚀坑密度大,比电容较高.而低温退火的箔样,微量元素偏聚在铝箔表面的位错露头附近,使铝箔表面出现大量的腐蚀孔坑,降低了比电容.     

Relationship between Trace Mn and the Pitting Behavior of Aluminum Foil Used for High Voltage Electrolytic Capacitors

研究了微量锰元素添加对高压电解电容器阳极用铝箔的点蚀行为以及腐蚀箔性质的影响。使用二次离子质谱仪分析了轧制及退火铝箔中锰的元素分布。结果表明,锰在铝箔中的深度分布随着锰含量的增加而变化,但退火后铝箔中形成的立方织构的体积分数保持稳定。随锰含量增加,锰在退火铝箔表面的偏聚趋势增强。在相同的加电腐蚀条件下,腐蚀后锰含量高的铝箔表面具有更高密度的方形点蚀孔,并且并孔更少,点蚀孔分布更加均匀。在所研究的范围内(2.3~14.7μg/g),在520 V形成的腐蚀箔的比电容随锰含量的增加而提高。     

微量Mn与高压电解电容器用阳极铝箔的点蚀行为关系（英文）

研究了微量锰元素添加对高压电解电容器阳极用铝箔的点蚀行为以及腐蚀箔性质的影响。使用二次离子质谱仪分析了轧制及退火铝箔中锰的元素分布。结果表明,锰在铝箔中的深度分布随着锰含量的增加而变化,但退火后铝箔中形成的立方织构的体积分数保持稳定。随锰含量增加,锰在退火铝箔表面的偏聚趋势增强。在相同的加电腐蚀条件下,腐蚀后锰含量高的铝箔表面具有更高密度的方形点蚀孔,并且并孔更少,点蚀孔分布更加均匀。在所研究的范围内(2.3~14.7μg/g),在520 V形成的腐蚀箔的比电容随锰含量的增加而提高。     

双阴极电解腐蚀工艺对阳极铝箔侵蚀性能的影响

为改善阳极铝箔腐蚀形貌,增大腐蚀比表面积,减少铝箔的质量损失,采用在直流电作用下,外加垂直于铝箔的石墨板与原有石墨板共同构成腐蚀阴极,铝箔为阳极,在H_2SO_4和HCl混酸中进行电蚀发孔,对腐蚀铝箔的失重率,减薄率进行分析,用扫描电镜(SEM)检测铝箔腐蚀后形貌。结果表明,在直流电蚀工艺下,通过调整阴极极板面积和放置方式,铝箔表面能产生较均匀、浅而长的表面隧道,且在表面隧道中,能继续形成点蚀孔,使腐蚀铝箔比表面积增大,比容相对增加;一定腐蚀时间范围内,腐蚀时间对铝箔减薄率影响很小,腐蚀时间适应范围较宽,有利于工艺调整;最佳的电解腐蚀工艺参数为:腐蚀温度80℃、腐蚀电流密度0.10 A/cm~2、腐蚀时间120 s。     

磁致涡流效应对阳极铝箔形貌及比电容的影响

针对盐酸-硫酸体系,通过耦合外加磁场对铝箔进行直流电化学腐蚀,系统研究磁致涡流效应(MagnetoHydrodynamics,MHD效应)对铝箔电化学行为、界面行为以及质量传递的影响。采用X射线衍射(XRD)、低温氮气吸附、扫描电镜(SEM)等手段对腐蚀箔样品进行表征。同时,通过计时电位法、极化曲线、循环伏安法、电化学阻抗法研究MHD效应对铝箔电化学性能的影响。结果表明,MHD效应能够抑制氧化膜的生长,增加铝箔表面Cl-的吸附量,减小扩散层厚度,强化Cl-/Al3+向孔内/孔外的传质,减小电解液中离子传递阻力。通过引入磁场,明显提高了腐蚀箔的蚀孔密度、平均孔径以及平均蚀孔深度的均一性,继而增大了阳极电子铝箔的比电容。     

再结晶退火对纯铝系负极箔组织及腐蚀性能的影响

利用光学显微镜(OM)、数字电桥(LCR)、分析天平等手段研究了再结晶退火温度与保温时间对纯铝系负极箔坯料显微组织和成品箔腐蚀性能的影响。结果表明,0.4 mm厚的冷轧板在250℃~440℃之间退火,保温2 h时,再结晶晶粒尺寸随退火温度的升高先减小后增大,400℃时晶粒最小(45μm);当退火温度为400℃时,坯料内部析出大量细小的第二相颗粒,随保温时间的延长,再结晶晶粒长大缓慢;第二相颗粒析出数目先增多后减少,2 h时第二相颗粒析出数目最多;冷轧至0.043 mm厚成品铝箔表面腐蚀均匀,比电容达到490μf/cm2。     

再结晶退火对3003电子铝箔组织和腐蚀形貌的影响

利用光学显微镜（OM）和数字电桥等手段研究了不同退火温度对铸轧3003电子铝箔坯料的显微组织和成品铝箔腐蚀后表面质量的影响。结果表明：0.55 mm厚3003坯料的再结晶开始温度为295℃,终了温度为320℃;在320～460℃之间退火时,再结晶晶粒尺寸随退火温度的升高而逐渐减小。经过295℃退火处理的0.55 mm厚坯料由于内部晶粒大小不一,导致冷轧后成品铝箔表面腐蚀后出现大量腐蚀条纹,而退火温度提高到320℃时,成品铝箔腐蚀后表面质量较好。     

制箔工艺对Al—Mn箔比电容量的影响

本文研究了480℃预处理、200～300℃下中间退火和终轧变形量对Al-Mn合金箔腐蚀形貌及比电容的影响,并用SEM(附WDS)和TEM观察了铝箔腐蚀形貌和显微组织.已发现,经预处理后的箔材有利于形成均匀细密的蚀孔,从而提高了Al-Mn箔的比电容;在200～300℃下退火,可析出少量的Mn,但对Al-Mn箔腐蚀形貌及比电容量的影响较小;增大终轧变形量,有利于提高箔材的比电容量.     

均匀化退火对铸轧1235铝合金双零箔坯料质量和箔材成品针孔的影响

试验研究了1235铝合金铸轧坯料的晶粒破碎程度及不同均匀化退火温度对坯料的组织、性能及箔材成品针孔数量的影响.通过金相分析和试验结果得出,合适的第一道次冷轧加工率和均匀化退火温度有利于减少铝箔成品的针孑L数量及箔轧时的断带次数.     

强立方织构超薄型高压阳极铝箔的研制及检测

采用增加冷轧道次、提高中间退火温度等手段改进了传统高压阳极铝箔的生产工艺,以制备超薄型高压阳极铝箔。并用三维取向分布函数织构定量检测和扫描电子显微镜观察、研究了超薄型高压阳极铝箔的立方织构及其对腐蚀比电容的影响。结果表明,增加冷轧道次有利于铝箔的均匀变形并促进立方织构的生成,较高的中间退火温度可以促使最终退火过程中立方取向晶粒的形核,最终获得很强的立方织构。     

铝箔的分切质量对除油效果的影响

铝箔（指单零箔和双零箔）退火有两个目的，一是调整机械性能；二是除油，保证铝箔表面清洁、无味、无油污，从而能满足使用上的要求。影响铝箔退火后的清洁程度的因素较多，铝箔分切质量是重要影响因素之一。１　影响铝箔分切质量的几个主要因素及相应措施１．１　铝箔分切时的张力控制铝箔轧制后均要根据用户的宽度要求进行分切和退火，我厂以前有部分成品铝箔（特别是厚度小于０．１ｍｍ的铝箔）在用户上机使用时打不开，出现粘连或者由于粘连造成铝箔表面有横皱纹产生，以致进行复合或印刷时出现因铝箔的起皱达不到要求而产生不合格品。…     

预变形及退火对高纯铝箔立方织构的影响

应用TEM和晶体取向分布函数方法研究和分析了预变形和退火工艺对高纯铝箔立方织构的影响。研究结果表明 ,预变形及退火主要通过影响晶体内的储存能大小 ,来影响Fe、Si的析出过程 ,影响成品箔材中立方织构 { 10 0 }〈0 0 1〉取向密度的大小。由于成品退火前Fe、Si能充分固溶在铝基体中 ,成品低温退火阶段可促使Fe、Si析出 ,增加立方取向晶粒的形核率 ,使成品在高温退火阶段晶粒沿立方取向择优长大 ,大大增加了高纯铝箔中立方织构的比例     

工艺条件对宽幅单张铝箱退火质量的影响

按原有工艺生产厚度０．０２－０．０７毫米，宽度５００－１０００毫米的铝箔时，箔卷经成品退火后不同程度地出现管芯塌陷，卷内异味，表面桔皮和油斑等缺陷，严重影响铝箔的质量。通过一系列试验，发现成品退火制度，箔材表面轧制油吸附量，轧制油中的机械油含量，箔材表面形貌均对其有影响，其中以表面形貌的影响最大。     

电化学转化膜在铝箔高压腐蚀中的应用

通过利用电化学转化膜在铝及铝合金表面形成原理，成功地以中等强度氧化性酸在国产高压箔表面形成一层致密的多孔氧化膜，而该多孔膜孔洞的致密性及分布的均匀性决定了后道腐蚀中孔洞的形貌及深度，从而决定了整个腐蚀工序中铝箔比表面积的能否有效扩大。     

Fe杂质对高纯铝箔再结晶织构及比电容的影响

对不同杂质含量的高纯铝锭按特定生产工艺得到高压阳极软态光箔和腐蚀箔。采用Ｘ射线衍射法测得板面晶面衍射强度,蚀坑法显示晶粒取向形貌,采用极图、取向分布函数（ＯＤＦ）研究晶粒取向及其分布情况。研究了铝箔再结晶织构随Ｆｅ等杂质含量的变化,分析了Ｆｅ杂质元素对铝箔再结晶行为的影响。借助扫描电镜观察箔材腐蚀坑形貌,并分析沿不均匀的亮区、暗区成分的分布。研究结果表明：铝箔的再结晶织构主要由立方织构｛１００｝〈００１〉及Ｒ织构｛１２４｝〈２１１〉构成,两者的相对强弱随Ｆｅ等杂质含量有规律地变化。铝箔的比电容随立方织构的增加而增加。铝箔的再结晶行为及腐蚀性能受Ｆｅ等杂质含量与分布的控制。这些研究结果为探索高压阳极电容铝箔的最佳Ｆｅ等杂质含量范围、制定最佳生产工艺,获得高比例的立方织构（＞８８％）和高比电容（＞１．０μＦ／ｃｍ２,３７５Ｖ）提供了理论依据和实验资料     

中间退火对高纯铝箔立方织构的影响

:采用晶体取向分布函数 (ODF)研究和分析了中间退火对高纯铝箔立方织构的影响。研究结果表明 ,中间退火对高纯铝箔冷轧形变织构影响不大 ,但对成品退火箔材中立方织构和R织构含量产生重要影响 ,在 30 0℃× 2h中间退火条件下 ,成品箔材中再结晶立方织构取向密度最大 ,R织构比例较小。其作用机理是中间退火影响铁的存在状态 ,导致成品退火时影响原位再结晶和不连续再结晶过程     

冷轧工艺对铝箔坯料退火产生粗大晶粒的影响

试验研究了变形程度、道次加工率、润滑等对铝箔坯料退火产生粗大晶粒的影响。指出：变形程度大于70%对冷轧后铝箔坯料退火产生粗大晶粒的影响不大;采用开始道次压下量大,少道次和润滑充足的冷轧工艺,可以使冷轧后铝箔坯料退火产生粗大晶粒的温度有很大提高。     

退火对电沉积纳米晶镍在不同腐蚀液中耐蚀性影响的研究

采用直流电沉积法制备纳米晶Ni镀层,通过电化学法研究了不同热处理温度下电沉积纳米晶镍的耐蚀性。结果表明：电沉积纳米晶镍在200 ℃以下退火,晶粒尺寸变化不明显,300 ℃退火后,晶粒显著增大,但尺寸仍为纳米级;电沉积纳米晶镍经过200和300 ℃的退火处理,有利于改善抗高浓度NaOH和NaCl腐蚀液腐蚀的能力;纳米晶镍在NaOH和NaCl腐蚀液中的耐蚀性能不同,Cl^-对纳米晶镍的腐蚀性远高于OH^-腐蚀。