有机发光器件中载流子复合特性的数值模拟

考虑单层有机发光器件中注入载流子在电场作用下的漂移运动和Langevin复合,将注入特性量化为电极与有机层接触处的电流密度比,计算了有机层中的电场强度、载流子浓度和复合率分布,研究了注入特性、载流子迁移率及有机层厚度对载流子复合性能的影响。结果表明:正负载流子的迁移率比、注入平衡程度及有机层厚度是影响器件内电场、载流子浓度和复合率分布的重要因素。计算结果对于发光材料选择和有机发光器件结构的优化设计具有重要的指导意义。     

有机发光器件中载流子复合特性的数值模拟

考虑单层有机发光器件中注入载流子在电场作用下的漂移运动和Langevin复合,将注入特性量化为电极与有机层接触处的电流密度比,计算了有机层中的电场强度、载流子浓度和复合率分布,研究了注入特性、载流子迁移率及有机层厚度对载流子复合性能的影响.结果表明正负载流子的迁移率比、注入平衡程度及有机层厚度是影响器件内电场、载流子浓度和复合率分布的重要因素.计算结果对于发光材料选择和有机发光器件结构的优化设计具有重要的指导意义.     

钙钛矿CsPbBr_3中光生载流子的动力学行为

钙钛矿材料的光电性能十分优异,可应用于光电器件,且钙钛矿中光生载流子的动力学行为可以决定光电器件的性能.本研究利用泵浦探测瞬态吸收光谱研究CsPbBr3量子点被激发后光生载流子的动力学行为,通过奇异值分解及全局拟合研究了CsPbBr3量子点被光激发后的瞬态吸收光谱.实验结果表明,激子间的耦合会导致CsPbBr3量子点的能带边沿发生红移,而Burstein-Moss效应会引起其能带边沿发生蓝移.结果同时揭示了CsPbBr3量子点中光生载流子的动力学过程,以及与之对应的指前相关因子光谱,其中,热载流子的弛豫时间约为0. 4 ps,10 ps和100 ps量级的衰减时间可归结为双激子以及带电激子的寿命,而纳秒量级的衰减时间可归结为激子的辐射复合.     

飞秒激光诱导单层二硫化钨的光响应研究

过渡金属硫化物因具有很大的激子束缚能、较强的库仑相互作用以及自旋谷能耦合特性而备受关注,同时该类材料也为研究原子层厚半导体的性质以及开发其在光电器件方向应用的潜力提供机会,研究过渡金属硫化物被激发后的光响应很重要.利用泵浦探测瞬态吸收光谱系统研究单层WS_2中光生载流子的动力学行为,发现激子以俄歇式激子激子湮灭的方式进行无辐射复合,寿命约为27 ps.通过分析不同泵浦光(波长分别为590 nm、580 nm及570 nm)激发条件下位于613 nm的光致漂白信号,证实亚皮秒的衰减组分为激子的形成过程.通过分析A激子共振的漂白和线宽展宽随时间变化,研究导致激子跃迁能发生蓝移和红移的物理过程,结果表明,导致单层WS_2被激发后光响应发生变化的原因有2个,分别是光生载流子导致的多体相互作用以及材料通过声子将热量传递给基底的冷却过程.     

MEH-PPV的短波光与传导电流关系

采用MEH-PPV和SiO2复合制成异质结固态阴极射线发光器件,获得了固态阴极射线发光的特征光谱-双峰谱带。在电场较低时为激子发光,符合分子理论;在电场较高时激子已严重离化,属于带-带跃迁,符合能带理论。利用改进的电桥测量出传导电流,并研究了固态阴极射线发光蓝色发光强度同传导电流的关系。在低电压区,发光强度同传导电流关系近似为线性,在高电压区,由于SiO2的二次特性更加突出,发光强度同传导电流关系表现出超线性。     

应力发光材料BaZrSi3O9的制备与发光特性研究

采用高温固相法制备了BaZrSi₃O₉样品,通过X 射线粉末衍射仪、荧光光谱仪和热释光计量计测试了样品的物相结构、荧光光谱、余辉衰减曲线、热释光温度曲线和应力发光特性.测试结果表明：发射光谱峰位于435 nm,具有可重复利用性,属于非破坏性发光,样品应力发光强度与承受的机械应力在一定范围内成正比的规律性.研究表明应力发光的原理与长余辉相似,缺陷势阱捕获的电荷载流子受到外界的影响而释放,与发光中心复合从而产生发光.样品波长属于可见光,可以用作检测应力强度及探测结构破坏位置的图像传感器,从而实现非破坏性应力实时监测及应力可视化.     

基于TADF共掺杂的蓝光OLED器件性能研究

为提升蓝光OLED的发光性能,采用DPEPO和DMAC-DPS两种热活化延迟荧光(TADF)材料构成的主客体掺杂结构作为蓝光OLED器件的发光层,研究器件结构、客体掺杂浓度等因素对器件性能的影响。实验结果表明:采用MoO3薄膜作为空穴注入层有助于增强空穴注入和传输能力,进而提升器件性能。当DMAC-DPS掺杂浓度为30%时,器件性能是最优的,最大亮度为5650cd/m2,最大外量子效率(EQE)为8.63%。掺杂浓度进一步增大会导致器件性能的衰退,可能是因为高浓度导致的激子淬灭导致的。TADF有助于提升蓝光OLED器件的性能并有望应用于商业化的蓝光OLED器件中。     

用红外脉冲光源测量太阳电池的少数载流子寿命

我们根据J.E.Mahan在1979年提出的光致开路电压衰减法的原理,研制了红外高速脉冲光源,用它激动太阳电池,注入大量过剩的少数载流子,用一般的脉冲示波器连续稳定显示和测量电池开路电压衰减曲线,通过计算得到被测太阳电池的少数载流子寿命。我们采用这种测量方案一般实验条件下可以实现,而且可以方便地应用于生产单位。我们利用该装置对一些试样进行了测试条件与测量结果关系的试验和讨论,以便确定少数载流子寿命测试仪的合理设计依据。     

影响AlInGaP LED光致发光与电致发光谱的决定性因素

对AlInGaP红色发光二极管(LED)芯片的发光特性进行了测试分析,在注入强度相等的条件下,EL与PL形状相似,但存在差异,对其光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了测试分析,研究结果表明,EL与PL有着相同的产生机理,影响其发光谱的因素完全相同;发光光谱之间的差异并不是注入方式的差异,而是源于载流子的不同注入方式给LEDpn结温度带来的不同影响。     

NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响

随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展，负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重．研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题．首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响，这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应；然后给出了这种混合效应的解释．最后提出了一种分解负偏置温度不稳定性和热载流子注入这两种效应的方法．     

隧穿注入量子点体系的载流子动力学研究

通过考虑载流子在量子点中的隧穿、弛豫、热逃逸和非辐射复合等主要输运过程,并建立速率方程模型,研究了隧穿注入量子点体系的载流子动力学过程,探讨了隧穿注入量子点发射光谱对温度和隧穿几率的依赖性．理论分析表明：共振隧穿结构对量子点尺寸色散导致的激光展宽具有一定的抑制作用．     

MOCVD法生长的ZnSe外延单晶膜的光致发射光谱特性的研究

本文研究了在MOCVD系统上生长的ZnSe单晶膜的光致发光特性,观察到77K下自由激子发射,束缚激子发射,施主受主对发射及其声子伴线。Raman背散射测量表明ZnSe LO声子能量31mev。     

ZnO/PVP纳米复合膜的光学特性

采用高分子网络原位合成法制备了ZnO/PVP纳米复合膜.并且通过多种测试手段对ZnO/PVP纳米复合膜的光学特性进行了分析.通过XRD,TEM的测试结果可知,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为模板,原位合成ZnO纳米粒子,具有六角纤锌矿结构;分散性好,粒径分布窄等特点;从光致发光谱中可以看出由于PVP的引入,使得ZnO纳米粒...     

载流子平衡的低压高效有机白光器件

研究了结构为ITO/m-MTDATA:x%4F-TCNQ/NPB/TBADN:EBDP:DCJTB/Bphen:Liq/LiF/Al的有机白光电致发光器件(WOLED)。分别在ITO与NPB间加入高迁移率的m-MTDATA:4F-TCNQ来增强器件的空穴注入,在阴极和发光层间加入高迁移率的Bphen:Liq层增强器件的电子注入,降低驱动电压,提高器件效率。同时,由于注入的电子和空穴数量偏离平衡,器件的效率也会受到影响。实验中,通过调节4F-TCNQ的掺杂浓度来调控空穴的注入和传输,使载流子达到高度平衡。器件的最大电流效率和流明效率分别达到了9.3cd/A和4.6 lm/W。     

Novel high-brightness tunneling-regenerated multi-active-region AlGaInP light-emitting diode

High-brightness AlGaInP light-emitting diodes (LEDs) are becoming increasingly important and have found a variety of applications, such as outdoor displayers and automobile indicators[1—3]. Those AlGaInP LEDs can be tuned from reddish orange to yellow-green by changing Al composi-tion[1—4], since the quaternary direct band-gap material AlGaInP alloys can be precisely lattice- matched to GaAs substrate in a large range of Al composition. But the external quantum efficiency and the bri…     

Optical Characteristics of InAs Quantum Dots on GaAs Matrix by Using Various InGaAs Structures

The effcts of various InGaAs layers on the structural and optical properties of InAs self-assembled quantum dots（ QDs ） grown by molecular-beam epitaxy （MBE） were investigated. The emission wavelength of 1317 nm was obtained by embedding InAs QDs in InGaAs / GaAs quantum well. The temperature-dependent and time-resolved photoluminescence （ TDPL and TRPL ） were used to study the dynomic characteristics of carriers. InGaAs cap layer may improve the quality of quantum dots for the strain relaxation around QDs, which results in a stronger PL inteasity and an increase of PL peak lifetime up to 170 K. We found that InGaAs buffer layer may reduce the PL peak lifetime of InAs QDs, which is due to the buffer layer accelerating the carrier migration. The results also show that InGaAs cap layer can increase the temperature point when the thermal reemission and nonradiative recombination contribute significantly to the carrier dynamics.     

新型电致发光聚合物的合成

根据电致发光原理,经过精妙的分子结构设计,我们合成了一种新型芴类电致发光聚合物,该聚合物既包含空穴传输性能优良三苯胺单元,又含有电子亲和性很强的氰基官能团.所以该聚合物具有较为平衡的载流子迁移率,有望成为高性能的电致发光材料用作聚合物电致发光器件的发光层.     

Carrier transport across grain boundaries in polycrystalline silicon thin film transistors

We established a model for investigating polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs). The effect of grain boundaries (GBs) on the transfer characteristics of TFT was analyzed by considering the number and the width of grain boundaries in the channel region, and the dominant transport mechanism of carrier across grain boundaries was subsequently determined. It is shown that the thermionic emission (TE) is dominant in the subthreshold operating region of TFT regardless of the number and the width of grain boundary. To a poly-Si TFT model with a 1 nm-width grain boundary, in the linear region, thermionic emission is similar to that of tunneling (TU), however, with increasing grain boundary width and number, tunneling becomes dominant.     

自动化表面处理生产线吊车运动流程规划方案

自动化表面处理生产线吊车吊运流程规划中，关键的问题是吊车到各工位吊运的顺序和在相应工位下放和提升工件的结束和开始时刻。根据产品加工工艺流程，确定吊车吊运流程，是一个根据非连续量确定非连续量的问题，是一个动态的多阶段决策问题。本文根据这一特点，讨论了求解该问题的程序化、规律性的动态规划算法。