直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜

为研究氧化铱（ＩｒＯ２）对ＰＺＴ铁电薄膜疲性能的影响。利用直流（ＤＣ）磁控反应溅射（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工艺成功地在ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制得了高度取向的ＩｒＯ２薄膜,并在其上制成ＰＺＴ铁电薄膜,讨论了溅射参数（溅射功率、Ａｒ／Ｏ２比、衬底温度）以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶,取向和形态的影响。     

快速热处理对PZT薄膜的微结构及电性能的影响

采用改进的溶胶一凝胶技术,在Ｐｔ／Ｔｉ／ＴｉＯ２／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）基片上制备了太电ＰＺＴ薄膜,用ＸＲＤ和ＡＦＭ技术分析了不同热处理工艺条件下ＰＺＴ薄膜的微观形貌变化及相结构演化,系统测试了ＰＺＴ薄膜的铁电性能。工艺－结构－性能研究结果表明：快速热处理工艺（ＲＴＡ）有利于ＰＺＴ薄膜保持较低的漏电流密度,热处理温度是影响晶粒大小的主要因素,而保温时间则对ＰＺＴ薄膜的致密性、晶粒均匀度和晶界结合     

溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响

采用射频磁控溅射工艺,在（１１１）Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上用ＰＺＴ（５３／４７）陶瓷靶制备铁电薄膜。用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行ＲＴＡ处理。     

Pt扩散阻挡层对PZT／Si薄膜化学结构和性能的影响

运用ＸＰＳ和ＡＥＳ研究了Ｐｔ扩散阻挡层对ＰＺＴ薄膜／Ｓｉ界面休学结构和性能的影响：在ＰＺＴ薄膜和Ｓｉ工间增加Ｐｔ扩散阻挡层，可以抑制ＴｉＣｘ物种和ＴｉＳｉｘ物种的形成，促进ＰＺＴ薄膜的形成反应。Ｐｔ扩散阻挡层的存在阻断了氧和Ｓｉ的相互扩散反应，促进ＰＺＴ物种形成钙钛矿型晶体结构，使得形成的ＰＴ薄膜具有和体相材料相摈 电常数和铁电性能。     

直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜

为研究氧化依（ＩｒＯ_２）对ＰＺＴ铁电薄膜疲劳性能的影响,利用直流（ＤＣ）磁控反应溅射（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工艺成功地在ＳｉＯ_２／Ｓｉ（１００）衬底上制得了高度取向的ＩｒＯ_２薄膜．并在其上制成ＰＺＴ铁电薄膜．讨论了溅射参数（溅射功率、 Ａｒ／Ｏ_２比、衬底温度）以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响．     

铅基钙钛矿型结构铁电薄膜的介电及热释电性能研究

用改进的溶胶－凝胶旋转涂履技术,在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基片上研制出了１－２μｍ厚,具有钙钛矿型结构的ＰｂＴｉＯ３、ＰＬＴ和ＰＺＴ铅基铁电薄膜。该类铁电薄膜具有良好的结晶特性、优异的介电和热释电性能。     

PZT／Si薄膜的扩散反应研究

运用ＸＰＳ和ＡＥＳ研究了ＰＺＴ膜／Ｓｉ在热处理过程中的薄膜及界面化学反应；在热处理过程中，气氛中的气通过ＰＺＴ的缺陷通道扩散到ＰＺＴ／Ｓｉ同旧，并与界面上的硅发生氧化反应形成ＳｉＯ２界面层。同时基底上的硅通过ＰＺＴ的缺陷扩散么样品表面形成ＳｉＯ２表面层。此外，在ＰＺＴ／Ｓｉ界面上，Ｔｉ的氧化物和Ｓｉ发生还原反应，形成了ＴｉＳｉｘ金属硅化物，并残留在ＰＺＴ膜层和和ＳｉＯ２界面层中。在ＰＺＴ膜层内，有     

溅射PZT薄膜的晶体结构和快速热处理

采用常温射频（ＲＦ）溅射法和快速热处理相结合的技术，在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上，制备出具有铁电性的ＰＺＴ薄膜。研究了快速热处理工艺条件对ＰＺＴ薄膜性能的影响。通过Ｚ射线衍射法、ＳＥＭ和ＡＥＳ等方法，分析了ＰＺＴ薄膜的晶体结构、微结构、薄膜和电极间的界面效应。     

非晶态铁电薄膜的铁电相转变

用ＡｒＦ脉冲激光在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上合成了非晶态ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９铁电薄膜,研究了铁电相转变。采用常规热退火、激光诱导和低温高压水热法使非晶态ＳＢＴ薄膜发生铁电相转变。     

高取向度PZT铁电薄膜的研制

用无机盐替代锆卤,通过Ｓｏｌ＝Ｇｅｌ方法,合成均匀、稳定的ＰＺＴ溶胶。采用Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｐｉ基片加入ＰＴ过渡层,经快速热处理制备出沿（１００）高度定向的ＰＺＴ陶瓷薄膜,此薄膜具有良好的铁电性能。     

Sr对AM50显微组织和力学性能的影响

研究了不同含量Sr对AM50合金微观组织和力学性能的影响.结果表明,添加Sr后,AM50合金铸体组织β-Mg17Al12变得细小,晶粒明显细化;Sr基本上与Al结合生成高熔点、高稳定的Al4Sr相,能够强化晶界并阻碍位错滑移,从而强化合金.适量的Sr明显提高了室温下合金的屈服强度和抗拉强度,而且不影响合金的延伸率,而过量的Sr会导致AM50延伸率和轻度的降低.含0.5%Sr的铸态合金可得到最高抗拉强度233MPa,屈服强度90MPa,延伸率16.3%的性能.     

过喷粉热压烧结Al50Si50合金的摩擦磨损性能研究

利用喷射沉积过喷粉热压烧结制备了 Al50Si50合金,用 MMW-1型立式万能摩擦磨损试验机来测试不同热压烧结工艺条件下所制备合金的摩擦磨损性能,用金相显微镜和扫描电镜观察其组织和磨损形貌,并分析其磨损机理。研究结果表明：随着烧结压力增加、温度升高、时间延长,热压烧结试样的密度和致密度增加,摩擦系数和比磨损率降低。试样的磨损过程中存在磨料磨损和黏着磨损两种机制,且由于摩擦磨损过程中 Si 相的存在导致材料以磨料磨损为主。     

具有优异力敏特性的纳米Fe50Ni50粉体/丁基橡胶复合材料薄膜

为开发力敏性能更为优异的复合材料薄膜,首先,通过液相还原法制备了粒径约为100 nm的纳米Fe50Ni50粉体,并通过液态混合分散工艺将纳米粉体与丁基橡胶(IIR)混合分散;然后,通过机械混炼及压制得到了粉体分布均匀、含量为65wt%的纳米Fe50Ni50粉体/IIR复合材料薄膜;最后,研究了在连续加载/卸载速度为0.10 mm/min、测试频率为1 kHz的条件下,纳米Fe50Ni50粉体/IIR复合材料薄膜的力敏特性。结果表明:液态混合分散工艺可使Fe50Ni50粉体在复合材料薄膜中达到纳米级均匀分散效果;当压应力为0.20~0.90 MPa时,薄膜越厚,其标准偏差越大,力敏稳定性越差;随压应力增大,厚度为185μm的薄膜在加载阶段的阻抗近似线性下降,力敏灵敏度稳定在40~60范围内,标准偏差约为1~2。所得结论表明在压应力为0.20~0.90 MPa时,制备的薄膜具有优异的力敏特性。      

G50钢动态力学性能的实验研究

对我国自行设计的专利产品G50钢的动态力学性能进行了实验研究。实验结果表明:G50钢是应变率不敏感材料,其动态压缩时会产生45°剪切破坏。金相细观分析表明,G50钢的应变率不敏感性是由其细观结构所决定的,材料的45°剪切破坏则是由于其热塑失稳、绝热剪切造成的。     

纳米M50钢的制备研究进展

纳米Ｍ５０钢是一种具有产业化前景的铁基合金新型材料。阐述了它的主要制备方法，指出了存在的问题，并对其应用前景进行了展望。     

50CrVA扭杆断裂原因分析

对断裂的50CrVA扭杆进行断口宏微观观察、金相组织检查、硬度测试及疲劳强度校核.疲劳强度校核结果说明扭转载荷过大是扭杆疲劳断裂的主要原因.材质分析显示扭杆中含有大尺寸富Zn夹杂物,它促进了疲劳裂纹的萌生,缩短了扭杆的疲劳寿命.     

MDI-50型聚氨酯弹性体材料合成及性能研究

利用MDI-50、聚醚多元醇和3,3′-二氯-4,4′-二氨基-二苯基甲烷(MOCA)扩链剂制备了MDI-50型聚氨酯弹性体,研究了游离异氰酸酯基质量含量、聚醚多元醇相对分子质量对MDI-50聚氨酯弹性体力学性能的影响,采用示差扫描量热分析(DSC)、热重分析(TG)、红外光谱(FTIR)及力学性能等测试方法对MDI-50型聚氨酯弹性体的结构及性能进行了表征和分析,并与TDI-80型聚氨酯弹性体相比较。结果表明:MDI-50型聚氨酯弹性体的综合性能明显优于TDI-80型。MDI-50型弹性体的硬度、撕裂强度和抗拉强度都随预聚体游离-NCO质量含量的提高而增大,随聚醚多元醇软链段相对分子质量增大而减小,而断裂伸长率相反。     

Laser induced changes of As50Se50 nanolayers studied by synchrotron radiation photoelectron spectroscopy

The influence of near bandgap laser irradiation on the structure of the As₅₀Se₅₀ thin film has been investigated by synchrotron radiation photoelectron spectroscopy. The As 3d and Se 3d photoemission peaks of the irradiated sample show significant differences in shapes and positions in comparison with those obtained for non-irradiated amorphous film. The experimental data processing and quantifications are performed analyzing As 3d and Se 3d core-level components obtained by curve fitting. The relative contribution of the As and Se atoms in different chemical states to the whole As 3d and Se 3d signal, its structural origins as well as their relation to the As₅₀Se₅₀ nanolayers structure before and after laser irradiation is analyzed and discussed in detail.     

Hybrid III 50th假人胸部位移传感器的应用

通过对进行Hybrid III 50th假人胸部位移传感器两种灵敏度计算结果的试验研究，结合SAE J2517-2006胸部位移传感器的标定程序的解读，讨论了胸部位移传感器在低速和高速胸部标定时的应用方法。     

Effect of annealing on the characteristics of Au layers grown on the high-temperature deposited Ni50Fe50 layers

80 nm-thick Ni₅₀Fe₅₀ layers were sputter-deposited on glass substrates at 400 °C and then Au layers were sputter-deposited on the Ni₅₀Fe₅₀ layers. The Au/Ni₅₀Fe₅₀ bilayer films were annealed in a vacuum of 5×10⁻⁴ Pa from 250 to 450 °C for 30 min or 90 min. The characteristics of the Au layers were studied by Auger electron spectroscopy, field emission scanning electron microscopy, X-ray diffraction and a four-point probe technique. When the annealing temperature reaches 450 °C, Fe and Ni atoms diffuse markedly into the Au layer and the Fe content is more than the Ni content. When the annealing temperature is lower than 450 °C, the grain size of the Au layers does not change markedly with annealing temperature. However, as the annealing temperature reaches 450 °C, the annealing promotes the grain growth of the Au layer. As the annealing temperature exceeds 300 °C, the resistivity of the bilayer films increases with increasing annealing temperature. The diffusion of Fe and Ni atoms into the Au layer results in an increase in the resistivity of the annealed bilayer film. Large numbers of Fe and Ni atoms diffusing into the Au layer of the annealed Au/Ni₅₀Fe₅₀ bilayer film lead to a significant decrease in the lattice constant of the Au layer.