齐纳二极管测试表

众所周之,利用普通万用表是很难直接检测齐纳二极管(常用稳压二极管)的稳压值的。本文介绍一种齐纳二极管测试表,它采用了限流的高压电源,将输出电压加在齐纳二极管上进行直接测量,再从LCD(液晶显示)显示器上读出被测管的击穿电压(稳压值),其测量精度为±0.1V。 电路工作原理 齐纳二极管测试电路如图所示。该电路是一种单管振荡器,其振荡频率为3kHz,其中的变压器T1用作升压变换。T1的初级绕组(2×4.5V)是晶体管Tr1的集电极负载;次级绕组(0～240V)升压后供给BR1桥式整流。当     

采用△VBE电路的低电压参考

最近常常在讨论齐纳二极管电压参考的作用与优势。尽管齐纳二极管是一种既稳定又精确的电压参考，但它们也要求高偏置电压（通常最小为8V）。这种高偏压要求将大多数齐纳二极管参考排除在源电压为5V（或更低）的电路以外。尽管能使用低偏压齐纳二极管，但其温飘会使其不能用于精密应用中。所有半导体结构都具有对温度敏感的基本电路，因此任何半导体参考都必须采用某种形式的内置温度补偿。齐纳二极管参考即采用内部串联二极管来进行温度补偿。基一射极偏差电压电路也具有同样的温飘问题和相应的解决方案，但由于其不依靠齐纳结，因此能在较低电压上工作。     

泰科电子推出新的2．3APOLYZE器件

日前,泰科电子宣布该公司的聚合物保护的精密增强型齐纳二极管微型模块PolyZenTM系列增加了两种新产品。这些新产品具有更高的保持电流（23A）,可对汽车全球定位系统（GPS）、智能电话、游戏机、便携式媒体播放器（PMP）和其他视频外设进行保护电路。PolyZen微型模块中包含一个稳定的齐纳二极管和一个高分子聚合物正温度系数（PPTC）保护元件。齐纳二极管能精确将电压箝位,     

精密基准电压电路

文章介绍了在精密测量系统中，当前广泛采用的离子注入淹埋齐纳二极管基准电压及带隙基准电压电路原理；带隙基准电压器件ＡＤ５８０；淹埋技术齐纳二极管基准电压器件ＡＤ５８８；Ｋｅｌｖｉｎ连接及４线欧姆测量应用。     

聚合物器件与齐纳二极管协同保护电路

在传统的电路保护组件中,经常采用齐纳二极管来防止电路中的极性反转,但是齐纳二极管也同时面临被反向电压击穿的可能.     

齐纳二极管调整器设计

IC电压参考很受电路设计者的欢迎，因为它们不仅精确而且飘移很小。在今后的一些专栏文章中，将陆续讨论三种IC电压参考：埋人式齐纳二极管、带隙及XFET。当您用齐纳二极管进行参考设计时，由于齐纳二极管相对较简单，因此可用它来演示设计过程，而使用中的问题会让您庆幸有IC电压参考。电路指标为：VCC=30V±10％、8．445V≤VRFF≤9．555V、ΔVREF≤200mV、100kΩ≤RLOAD≤200kΩ及0℃≤TA≤80℃。     

电压基准源的选择

大部多数字电路、混合信号和模拟电路需要使用电压基准源,因此了解基准电压的参数、不同类型基准源的特点和选择方法,对于系统设计是一个颇为重要的因素。本文比较了齐纳二极管、隐埋齐纳二极管和带隙电     

快速大功率齐纳二极管电路

４８０．快速大功率齐纳二极管电路这种齐纳二极管电路设计的目的，在于获得能提供大电流的快速电压调节电路。该电路是建立在典型的ＢＵＺ１０ＳＩＰＭＯＳ晶体管基础上的，具有高损耗并能承受大电流。外接一个功率源，它的电压必须比要求的标准值大约高２Ｖ，则Ｐ＿１－...     

集成电路数模转换器(下)

四、固体基准源在单片D/A转换器设计中,稳定基准的设计最为关键。稳定基准源的主要指标是热稳定性。 (一)齐纳二极管基准源齐纳二极管基准源是电子系统应用较早且较广的一种固体基准源。产生基准电压的方法不外乎图11所示的四种。即(a)利用齐纳二极管在适当偏置电流下的零温度系数击穿点产生基准电压。(b)利用齐纳管端电压的正温度系数和正偏,二极管端电压的负温度系数串联补偿的原理产生基准电压。(c)利用建立电阻比来获得基准电压。(d)利用平衡电桥产生基准电压。电路计算表明(c)的输出基准为:     

HITACHI公司齐纳二极管产品目录

ＨＩＴＡＣＨＩ公司齐纳二极管产品目录ＭＨＤ封装的ＨＺＳ—Ｂ系列通用齐纳二极管通电４０ｍｓ后测量齐纳二极管电压。订货时请指明ＨＺＳ２．７ＮＢ１，…，ＨＺＳ９．１ＮＢ３。封装：ＤＯ—３４（ＭＨＤ）。HITACHI公司齐纳二极管产品目录...     

集成精密基准电压源NG199

迄今为止,电路中使用的基准电压源主要由齐纳二极管来担任。但是一般齐纳二极管存在一些问题,第一是动态内阻大,一般均在十几欧姆以上,尤其在小电流下,内阻更大;因此稳压性能很不理想。第二是稳压值易受环境温度影响,温漂大。第三,一般齐纳二极管的击穿电压容易受硅片表面状态的影响,噪声性能很差。精密有源基准 NG199(参考美国国家半导体的LM199而设计的)则克服了齐纳二极管的上述缺点,具有一般齐纳二极管所不及的性能指标,其温漂可低于1ppm/℃。在电子线路中,凡使用稳压管的地方几乎都可用NG199代替,并且能使线路性能大大改善。在模数转换、精密电压源、精密电流源等方面都有广阔的应用前景。     

MHD封装的HZS—N系列通用齐纳二极管

ＭＨＤ封装的ＨＺＳ—Ｎ系列通用齐纳二极管通电４０ｍｓ后测量齐纳二极管电压。订货时请指明ＨＺＳ２．７ＮＢ１，…，ＨＺＳ９．１ＮＢ３。封装：ＤＯ—３４（ＭＨＤ）。MHD封装的HZS—N系列通用齐纳二极管...     

对称齐纳二极管及其应用

齐纳二极管就是大家熟悉的硅稳压二极管的另一种叫法。硅稳压管的特性是,一个方向具有稳定电压的作用,另一方向则具有与普通整流二极管一样的单向导电特性,所以硅稳压管只能应用在直流电路之中。而对称齐纳二极管则相当于两只对接的硅稳压管,因此它无论以何种方式连接于电路中,均可起到稳压管的作用。正是由于对称齐纳二极管没有极性的要求,所以这种新型器件可以直接使用在交流电路之中。我们可以利用硅稳压管的对接法来组成对称齐纳     

功能独特的稳压二极管

稳压二极管（又名齐纳二极管）简称稳压管，顾名思义它是一种专门用来稳定电路工作电压的二极管。我们知道，当普通二极管外加的反向电压大到一定数值后，反向电流会突然增大。将管子损坏，这种现象叫做“击穿”。但是由于稳压二极管内部构造的特点，它却正适合在反向击穿状态下工作，只要限制电流的大小，这种击穿是非破坏性的。这时尽管通过稳压二极管的电流在很大范围内变化，但是稳压二极管两端的电压几乎不变，保持稳定。     

新颖应用电路·实用电路集ANP．484～492

新颖应用电路·实用电路集ＡＮＰ．４８４～４９２４８４．齐纳二极管电桥这里介绍的这种电源电路使用２个齐纳二极管和２个整流二极管，代替通常使用的４个整流二极管和１个齐纳二极管。假设Ｄ＿１—Ｄ＿３的结点电位对应于Ｄ＿２—Ｄ＿４为正且高于齐纳二极管的电压（＋...     

新型2．3APolyZen电路保护器件

精密增强型齐纳二极管微型模块PolyZen系列增加了两种新产品，具有更高的保持电流（2、3A），可对GPS、智能电话、游戏机、PMP和其他视频外设进行保护电路。PolyZen微型模块中包含一个稳定的齐纳二极管和一个高分子聚合物正温度系数（PPTC）保护元件。     

Central半导体温度补偿齐纳二极管

Central半导体推出一款温度补偿(TC)齐纳二极管CMKTC825A,它采用ULTRAmini SOT-363表面封装。据称该产品是世界上首款采用塑料表面封装的TC齐纳二极管。CMKTC825A采用专利的处理工艺,能提供恒定的参考电压6.2V,在-55°C至 100°C温度范围内的电压变化只有0.28mV/°C。CMKTC825A     

泰科电子推出2．3A POLYZEN新器件

泰科电子为增强型齐纳二极管微型模块PolyZen系列增加了两种新产品。新产品具有更高的保持电流（2．3A）。PolyZen微型模块中包含一个稳定的齐纳二极管和一个高分子聚合物正温度系数（PPTC）保护元件。PolyZen器件能够削平和平滑电感性电压尖脉冲,防止过电压和反相偏压传到下游电子电路而造成损坏。     

输出100mA时产生5V输出电压的SEPIC

有些应用场合要求集成电路的输入电压高于其电源引脚的击穿电压。在升压变换器和SEPIC(单端初级电感变换器)中,可以把集成电路的V_(IN)引脚与输入电感器分开,并使用简单的齐纳稳压器来产生集成电路的电源电压。图1示出了一种使用4～28V输入电压、在输出电流为100mA时产生5V输出电压的SEPIC。在这一应用中,因为电源电压超过了IC_1的最大输入电压,所以IC_1的电源电压是由Q_1和Q_2产生的。该电路使用Q_1代替齐纳二极管以节约成本。Q_1的射极-基极击穿电压提供了稳定的6V基准电压。Q_2是一个跟随器,它为集成电路提供电源电压。此电路展示了一种拓宽集成电路输入电压范     

齐纳二极管在瞬态干扰抑制中的应用

随着小（微）型化的电子元器件组成的集成电路在电子设备中的广泛应用,以及空间中越来越复杂的电磁环境,使得电子设备所面临的各种瞬态干扰信号也随之增多。瞬态干扰对电子设备的正常工作构成了严重的威胁,其防护日显重要。本文首先提出了瞬态干扰的特点及其危害,然后根据瞬态干扰和齐纳二极管的特性,介绍了齐纳二极管瞬态干扰抑制原理,并给出了相应的防护电路,最后通过对实际例子的分析表明齐纳二极管能够有效的抑制瞬态干扰。