半经验CNDO自洽场分子轨道法在共价半导体研究中的应用

对模拟共价半导体晶体的集团作了半经验CNDO(全略微分交迭)自洽计算.我们发现,为了使结果能合理地描述晶体的性质,除了需要恰当地选取集团边界原子外,CNDO计算中所用的原子成键参数必须加以重新确定.     

赝原子轨道集团方法计算Si和GaAs中的空位

本文提出了由赝原子轨道组成的集团计算半导体中深能级的方法.通过比较在布里洲区原点能带能量的方法,确定了赝原子轨道的局域参量.用赝原子轨道的线性组合,得到了较好的能带结构.采用Baraff的Si空位自洽赝势,计算得到的局域态和共振态能级与格林函数方法的结果基本一致.此外,还得到了空位态波函数在空间分布的形状.对GaAs进行类似的计算,结果发现,在禁带中存在Ga空位的浅能级和As空位的深能级.     

氢在金刚石表面的吸附

运用集团模型和自洽EHT方法研究氢原子在金刚石表面的吸附.计算表明,氢在金刚石表面倾向于顶位吸附,且根据吸附后电子态的变化,可以对金刚石表面其禁带中是否存在本征表面态这一理论与实验的不一致给予一定的解释.     

分区变分法和固体能带的计算

本文简要介绍了分区变分法和Ⅳ族半导体能带的计算,给出了金刚石、硅和锗的能带.在此基础上又讨论了自洽能带计算和经验调整能带计算方法,从而给出了分区变分法的一个完整的概貌.用新的合金能带计算模型计算了锗硅合金的能带,对无序体系电子态的计算进行了一次初步的尝试.最后从计算方法、势场特性和波函数衔接等方面对现有能带计算方法进行了分析和比较,从中看出分区变分法的优点.     

Ag在Si(111)面上吸附的理论研究

本文用集团模型和电荷自洽的推广的休克尔方法,对 Ag在Si(111)面上覆盖度较高的情况作了研究.得到了 Ag集团在 Si(111)面上稳定的吸附构型和与一些UPS实验结果符合得较好的电子态密度.对Ag在Si(111)面形成的凝聚相也进行了讨论.     

a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索

本文提出在宽带隙的a-SiCx∶H或β-SiC中共掺铒和氧以实现铒的1.54μm光发射。用集团模型和电荷自洽的EHMO理论计算了β-SiC中Er缺陷的电子结构,并在实验上实现了Er在a-SiCx∶H中的1.54μm光致发光(77K).结果表明,β-SiC或a-SiCx:H有可能是实现Er的1.54m室温高效发光的优良基质材料.     

a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索

本文提出在宽带隙的a SiCx∶H或 β SiC中共掺铒和氧以实现铒的 1 5 4μm光发射。用集团模型和电荷自洽的EHMO理论计算了 β SiC中Er缺陷的电子结构 ,并在实验上实现了Er在a SiCx∶H中的 1 5 4μm光致发光(77K) .结果表明 ,β SiC或a SiCx :H有可能是实现Er的 1 5 4m室温高效发光的优良基质材     

半导体纳米粒子的电容

用简谐势描述量子点中电子所受的约束,通过简谐势模型利用自洽迭代的方法计算了CdS、PbS等半导体纳米粒子的充电电容,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径.     

半导体纳米粒子的电容

用简谐势描述量子点中电子所受的约束 ,通过简谐势模型利用自洽迭代的方法计算了Cd S、Pb S等半导体纳米粒子的充电电容 ,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径 .     

半导体超晶格界面附近的电荷转移

本文采用LMTO能带从头计算方法,研究了(GaAs)_1(AlAs)_1(001)和(GaAs)_2(AlAs)_2(001)超晶格界面附近的电荷转移状况,分析了引起电荷转移的电负性和对称性因素,给出了电荷转移方向的判据.     

28GHz二次谐波回旋振荡管的自洽非线性计算

中等功率的连续波回旋管在工业领域有着重要的应用前景．本文对工作在28GHz频率的工业应用回旋振荡管进行了自洽非线性计算．结果表明,在二次谐波工作条件下,选取TE02模式,当电压为32kV、电流为6A时,可以获得连续波输出功率-50kW,效率-28％．     

不同碳源对碳热还原法合成Li_2FeSiO_4/C电化学性能的影响

以Li2CO3为锂源、Fe2O3为铁源、Si(OCH2CH3)4为硅源、羟乙基纤维素和蔗糖分别为碳源,采用碳热还原法制备了Li2FeSiO4/C锂离子电池复合正极材料,考察了羟乙基纤维素和蔗糖分别作为碳源对合成的Li2FeSiO4/C电化学性能的影响。结果表明:当烧结温度为600℃、烧结时间为10 h时,由羟乙基纤维素作为碳源制备的Li2FeSiO4/C样品在1.5～4.7 V、0.2C和20℃时的首次放电比容量为113.6 mAh/g,20次循环后放电比容量仍保持在102.3 mAh/g。较之蔗糖碳源样品,颗粒更小、分布更均匀,其电荷转移阻抗减小了80%、锂离子扩散系数增加了20%。     

考虑碰撞电离下的亚微米MOSFET的二维数值模拟和分析

本文讨论了准确模拟亚微米MOSFET碰撞电离所用的模型和算法。碰撞电离项被自洽地加到器件模拟程序PISCES中,用这个程序,我们计算了PN结击穿电压和0.75μm MOS-FET不同偏压下的衬底电流,结果和实验符合。     

半导体折射率波导激光器谐振模式的自洽计算

用数值方法对半导体折射率波导激光器的模式进行了研究．提出了一种方法可以高效并且自洽地求得谐振腔内的模式分布．利用该方法对一种ＧＲＩＮ－ＳＣＨＢＨＳＱＷ激光器的波导谐振腔的光子能量相关的模式特性进行了数值计算,分析了阱宽、阱内载流子浓度等因素的影响     

Cr:Mg2SiO4晶体中络离子(CrO4)4-的自旋极化MS-Xα计算

本文采用自旋极化MS-Xα方法计算了Cr:Mg2SiO4晶体中络离子(CrO4)4-的电子结构,给出了Td群和C(3v)群下的单电子能量本征值、本征函数和自旋极化分裂值。用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。采用Case-Karplus电荷分配法计算得到自旋-轨道耦合常数ζ(?)。讨论了配位体的距离对单电子轨道和基态组态的影响,也讨论了对称性变化的影响。     

半导体纳米粒子电容的自洽计算

通过球方阱的模型利用自洽迭代的方法计算了Si,InAs等半导体纳米粒子的充电电容,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径.     

多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计

利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。     

ZnSe_(1-x)S_x中3d过渡金属杂质施主能级

本文用一个自旋极化的自洽紧束缚格林函数方法预言了ZnSe_(1-x)S_x合金系统中Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni和Cu等9个3d过渡金属杂质引入的施主能级.文中还就与施主能级变化趋势有关的物理问题进行了讨论.     

特殊自洽面非稳腔衍射理论的讨论

本文对费涅尔-基尔霍夫衍射公式的近似条件作了讨论,选择了一个特殊自洽面一共轭波面,导出了非稳腔自洽场积分方程,对方程本身作了一些讨论,用解析的方法获得一些场分布的特性,并进行了数值计算,得出腔内场分布及输出近场分布、输出功率百分比、单次相移。     

彩色显像管校正透镜的设计

本文阐述一种新的彩色显像管校正透镜计算机辅助设计方法,由于新方法中采用了逐点直接积分法、相对计算法、自洽法与自校法等,使得校正透镜的镜面精度和着屏精度的计算结果都有明显的提高。