纳米碳管催化CVD工艺中多物理场的耦合模拟分析

为了研究工艺参数对于化学气相沉积工艺制备纳米碳管的影响,建立了描述CVD工艺的2D轴对称几何模型,对CVD工艺中的温度场,前驱体浓度场、速度场进行了耦合模拟分析.研究结果表明在CVD炉内沿轴向存在一个很大的温度梯度,但高温沉积区域温度均匀稳定,前驱体乙炔浓度适中,有利于纳米碳管的生长.模拟结果的精确度高,可用于纳米碳管CVD工艺的参数优化,最终达到在计算机上做实验的目的.     

CVD法制备铝化物涂层装置沉积室内前驱体流场仿真设计研究

为了制备均匀的CVD铝化物涂层,应保证沉积室内前驱气体的流场分布的均匀性.采用计算流体力学方法对沉积室内的前驱流体流场进行了仿真研究,对比了装备A、B、C型3种布风装置的CVD沉积室内流场的变化;对比了将初始进气口平均流速v经验提升至其1.5,2.0,2.5,5.0倍后沉积室内流场的变化.结果 表明:选择B型布风装置能...     

CVD法SiC纤维沉积过程的正交试验研究

采用正交设计方法对CVD法制备SiC纤维的工艺过程进行了分析和研究.在CVD法SiC纤维沉积过程中,主要考虑了5种工艺因素和4个水平,计算了不同工艺因素务件下的方差,分析了各自影响的显著性.找出影响SiC纤维抗拉强度工艺因素的主次顺序,并讨论了主要工艺因素对沉积过程的影响机理.     

化学气相沉积(CVD)法制备薄膜材料的进展

无机薄膜在现代科学技术中占有重要地位。CVD法是制备这类薄膜的有效手段之一.它装置简单,操作方便,工艺重现性好,且可在沉积薄膜的过程中随时调节薄膜的组成.过去20年里,在常压CVD得到广泛应用的同时,低压CVD、等离子体增强CVD(包括微波等离子体CVD)、光激发CVD(包括激光激发CVD)相继出现,并被成功地应用于优质薄膜的制备中。可预言,随着实践和理论的不断发展,CVD将更广泛地应用于现代科技领域中.     

工艺条件对金刚石膜红外透射率影响的研究

为了优化金刚石沉积工艺,制备高透射率的CVD金刚石薄膜,采用傅里叶红外光谱仪对不同工艺条件下制备的CVD金刚石膜的红外透射率进行了测量,分析了不同工艺条件对金刚石膜红外透射率的影响,获得了最佳沉积参数.结果表明,金刚石膜的红外透射率与工艺条件密切相关,当衬底温度为750℃,碳源体积分数为2%,压强为2.5kPa时沉积的金刚石膜红外透射率最佳.     

碳纳米管MPCVD和TCVD制备的比较分析

碳纳米管主要的制备方法是化学气相沉积法(CVD).采用CVD法中最主要的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)和热化学气相沉积法(TCVD)制备出定向的碳纳米管.并从制备工艺,场发射性能和SEM结构等方面对两种方法进行比较分析,得出对碳纳米管制备有一定指引和借鉴意义的结论.     

200mmBCD器件用硅外延片制备技术研究

本文涉及200 mm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)器件用硅外延片制备技术，通过结合BCD工艺用外延材料的特性要求，从外延图形漂移、外延层均匀性、表面缺陷等参数指标，分析了衬底埋层浓度、生长温度、生长速率、缓冲层结构等工艺参数对外延参数的影响，优化了BCD工艺用硅外延片的制备方法。本文采用常压化学气相沉积(CVD)技术制备了BCD工艺用200 mm硅(Si)外延材料，通过Hg-CV、SP1及SRP对埋层外延片进行测试分析，实验结果验证了工艺设计的正确性和有效性，提升了大尺寸埋层外延制备技术的产业化水平。     

挖坑效应对球形夹具下电子束蒸发沉积薄膜厚度均匀性的影响

厚度均匀性是薄膜制备过程中不可忽视的薄膜特性,厚度不均匀会导致薄膜成品率降低.熔融性比较差的镀膜材料在蒸发过程中以直接气化为主,挖坑效应比较明显.此时,在分析薄膜厚度均匀性时,蒸发源发射特性不随时间变化的假设不再合理.细分蒸发源为无数个小的薄板蒸发源,建立了镀膜材料出现挖坑效应时薄膜厚度均匀性的分析模型.结果表明,在所选镀膜机结构参数下,挖坑效应对薄膜厚度均匀性影响明显;但挖坑效应并不总导致薄膜厚度均匀性变差,设计合适的镀膜室结构以及薄膜制备工艺参数,可借助挖坑效应在一定程度上改善薄膜厚度均匀性.采用易于出现挖坑效应的材料作为镀膜材料时,该研究对设计薄膜沉积工艺参数具有指导性意义.     

定向碳纳米管的化学气相沉积制备法

报道了一种简便有效的合成定向碳纳米管 (CNTs)的化学气相沉积 (CVD)制备方法。以铁为催化剂 ,乙炔为碳源 ,采用单一反应炉 ,直接在石英基底上沉积催化剂颗粒薄膜 ,成功合成了定向性好、管径均匀的高质量大密度的碳纳米管     

高温化学气相沉积法制备致密碳化钽涂层

采用高温化学气相沉积法(CVD)在高纯高密石墨基片的表面沉积了碳化钽(TaC)涂层。通过研究气化温度、气体流量及沉积温度对TaC涂层表面质量的影响,确定了高温CVD法制备TaC涂层的工艺参数,最终获得高致密度的TaC涂层。