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寡聚噻吩类衍生物作为一个富电子体系通常表现出优越的电子传输性和光电性能,炔键作为一个直线型的富电子单元,引入到噻吩体系中可以增长体系的共轭度,增大体系中的刚硬核长度,同时还可以提高整个分子的平面规整度。含炔键单元的噻吩类化合物所具备的分子自组装性能和优异电子传输性已引起人们极大的关注。介绍了炔键在主链上,侧链上及含噻吩炔单元的环形、星形、X形与树枝形的寡聚噻吩类化合物的研究进展。阐述了它们的分子结构与液晶相态结构、光电性能、器件性能、自组装结构之间的关系。所有的研究表明该类化合物在有机分子器件方面有着重要的应用前景。 相似文献
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总结了聚噻吩衍生物的合成方法,介绍了聚噻吩衍生物电致变色器件中的关键构成和聚噻吩衍生物的电致变色应用现状,指出了聚噻吩衍生物未来发展前景。 相似文献
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本文设计合成了两种二氰基乙烯基并三噻吩化合物,即2-二氰基乙烯基二噻吩并[3,2-b:2′,3-′d]噻吩(DCTT)与2-二氰基乙烯基二噻吩并[2,3-b:3′,2-′d]噻吩(DCST).研究了介质极性对吸收与发射光谱行为的影响,考察了化合物的分子结构与其发光能力的关系.溶剂效应显示化合物DCST随介质的极性增加,分子内电荷转移态(ICT)的荧光发射峰位红移现象更为明显,展示出较大的Stokes位移.化合物DCTT随介质的极性增加,发光行为表现出负的溶致变色效应,与"能级邻近效应"有关.溶剂效应说明了DCTT分子中并三噻吩部分给出电子的能力较弱,而DCST分子中的并三噻吩部分给出电子的能力较强,是导致二者ICT态的发光能力的差异的主要原因. 相似文献
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采用Langmuir-Blodgett(LB)膜诱导沉积法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩高度有序导电聚合物复合薄膜,研究了薄膜的导电性能并进一步研究薄膜在改善器件性能方面的作用。将其应用于有机电致发光二极的空穴缓冲层,将聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸复合LB膜沉积于铟锡氧化物(ITO)电极上,制备了以复合LB膜为空穴缓冲层的有机电致发光二极。发现复合LB膜改善了器件性能(启动电压降低、最大亮度增加),但进一步的研究表明,LB膜器件在一定时间后出现性能劣化,X射线反射率(XRR)分析表明薄膜的结构发生一定程度的改变,是导致器件性能变差的可能原因。 相似文献
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采用GCMC方法计算了噻吩在全硅Y和NaY沸石上的吸附,通过变化不同的噻吩吸附量得到吸附能量的异质性,并基于主客体径向分布函数剖析了吸附能量的异质性。根据对噻吩分子与沸石之间能量的分析,噻吩分子与沸石之间的作用主要由短程的色散作用控制。NaY沸石上吸附表现出与全硅Y沸石明显不同的吸附位特征,钠离子的引入明显地增强了对噻吩的吸附作用。钠离子与噻吩之间的静电和色散作用是引起这两种不同化学组成沸石吸附热不同的重要因素。进一步对径向分布函数分析确定了NaY沸石中S—Na,CHsp2—Na之间存在独特的作用位。 相似文献