高矫顽力磁带快速复制用MIG磁头的研究

本文对铁氧体磁头在高矫顽力磁带上进行录制时磁头极尖的磁性饱和对信号录制造成的影响进行了讨论;介绍了在锰锌铁氧磁芯上溅射铁镍(FeNi)膜制作用于高矫顽力磁带复制的 MIG 磁头的研究结果。实验表明,溅射 FeNi 膜 MIG 磁头即使在较窄的缝隙长度时也可防止极尖饱和,提高磁头的短波长记录特性     

从铁芯损耗看非晶录音磁头性能

<正> 近代磁记录技术一直是向着高记录密度、高使用频率方向发展。磁记录中关键的电磁换能器件-磁头也必然是围绕着这一方向不断开发并完善其性能。根据磁记录原理可知,影响磁头性能的因素是多方面的,但其中重要的因素之一是磁头铁芯材料的各项物理性能。比如:材料的初始     

垂直磁记录单层膜霍尔磁头读出过程的研究

本文对垂直磁记录单层膜用InSb、InAs半导体材料制作的霍尔磁头的读出过程进行了理论分析。     

2000～2001年磁记录材料及其应用的新进展

综述了2000～2001年间国内外磁记录材料及其应用的若干新进展,包括垂直磁记录系统、巨磁电阻磁存储器和磁传感器、合成多层膜磁记录介质、磁隧穿型磁头材料、磁光记录介质材料。     

NCC负载纳米Fe_3O_4磁膜材料的交替沉积自组装及表征

以纳米纤维素(NCC)为组装模板,基于氢键的交替沉积自组装磁膜材料。X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和能量色散X射线光谱(EDX)分析结果表明,NCC负载纳米Fe3O4磁膜材料表面形貌和断面形貌规整,含有Fe3O4粒子为纳米级,且仅分布在NCC层。性能分析结果表明,NCC负载纳米Fe3O4磁膜材料为超顺磁性材料,与PVA膜相比,具有较好的紫外光阻隔性、较高的热稳定性和特殊的氧化降解能力;在Fe3O4固含量为1.1%时,磁性膜拉伸强度较PVA膜提高了17.0%。     

热压Mn-Zn铁氧体磁头材料

<正> 一、引言热压Mn-Zn铁氧体的饱和磁感Bs和起始磁导率μi比热压Ni-Zn铁氧体高,且硬度和高频特性也比一般金属磁头材料优越,宜于制做计算机用各种高密度磁盘机磁头和磁带机磁头。但是,由于Mn-Zn铁氧体在热处理过程中易发生相变,故制作高性能的Mn-Zn铁氧体的热处理工艺十     

电沉积巨磁电阻纳米材料的研究进展

对二维纳米巨磁电阻材料（包括纳米金属多层膜（人工超晶格）、不连续多层膜、自旋阀多层膜、纳米金属颗粒膜等）和一维纳米巨磁电阻材料——纳米金属多层线的电化学制备、性能进行了总结。介绍了巨磁电阻材料在制作超高灵敏度微型传感器、高密度读出磁头、磁随机存储器以及磁电子器件等方面的应用。指出了纳米巨磁电阻材料在制备及应用过程中存在的问题及其今后的发展方向。     

高效多能的IT0膜系镀膜玻璃

采用离线法生产的ITO膜系镀膜玻璃,使用性能优越的氧化铟锡材料作为薄膜基础材料,设计合理的膜系,使得该玻璃具有辐射率低、可见光透射比高、膜层牢固稳定、电阻均匀等诸多优点,广泛应用于建筑玻璃幕墙、冰柜冷藏柜玻璃门、机车电加温玻璃等领域。     

硬盘驱动器磁头材料的新进展

<正> 在磁头的技术革新方面,磁芯薄膜起的作用是很大的。这是由于它直接决定了磁头的记录、再生特性。关于材料的选用,具有比以往材料的磁特性优越的铁微结晶材料已经实用化,这是引人注目的。本文介绍铁磁性薄膜和磁阻(MR)元件用材料的动向。     

含钙高温锰系磷化膜性能的研究

向锰系磷化液中加入钙剂,制得含钙磷化膜。观察了磷化膜的微观形貌及生长过程,并测试了含钙磷化膜的成分、耐蚀性、膜重、生长速率、耐高温性及结合力。结果表明:含钙磷化膜表面由一些较大的、不规则的块状晶体和棒状晶体组成,含Mn、P、Fe及少量的Ca;含钙磷化膜的耐蚀性优于不含钙磷化膜的;含钙磷化膜能够耐受500℃的高温;含钙磷化膜与钢铁基体结合良好。     

双离子束溅射氮化铁薄膜的构造和磁特性

<正> 一、前言铁,其资源丰富,原材料通用性强,所以它广泛用于各个领域。特别是高纯度的铁,作为磁性材料,它具有高饱和磁化强度(4πMs-21.5kG)和低矫顽力等优越的软磁特性。随着高矫顽力的 CoCr 和 Ba 铁氧体等高密度垂直磁记录介质的开发,铁作为这些膜的底层或记录、再生磁头的材料,在磁记录领域也引起了人们的重视。众所周知,通过添加第2种元素,铁的磁特性会从软磁到硬磁发生很大的变化。例如钴     

铁酸盐系列丁烯氧化脱氢催化剂研究进展

综述了铁酸盐系列催化剂(Fe系催化剂)在丁烯氧化脱氢反应中的应用研究进展,介绍了Fe系催化剂的活性中心和氧化脱氢机理,分析了催化剂的失活原因,详述了助剂对Fe系催化剂催化性能的影响,并对Fe系催化剂的发展方向进行了展望。开发出高反应活性、高选择性和高强度的新一代Fe系丁烯氧化脱氢制丁二烯的高效催化剂,是今后的主要研究方向,同时,开发资源利用率高、低投资、低生产成本和废水量少的丁烯氧化脱氢工艺也非常关键。     

框架结构用螺纹钢磷化处理及耐蚀性研究

选取框架结构使用的螺纹钢作为试样,采用传统高温锰系磷化工艺和改进的中温锌系磷化工艺分别进行锰系磷化处理、锌系磷化处理,并比较了不同工艺磷化处理后螺纹钢的形貌、成分和耐蚀性.结果表明:锰系磷化处理和锌系磷化处理后螺纹钢的外观不同,但锰系磷化膜和锌系磷化膜都较致密.锰系磷化膜的成分Mn、P、O、Fe和C元素,锌系磷化膜的成...     

齿轮用45钢锰系磷化膜和锰系复合磷化膜的性能比较

在含有聚四氟乙烯(PTFE)颗粒的磷化液中,通过共沉积在齿轮用45钢表面制备了锰系复合磷化膜,比较了锰系磷化膜和锰系复合磷化膜的微观形貌、成分、膜重、结合力、硬度、耐磨性能和耐腐蚀性能。结果表明,锰系复合磷化膜中含有Mn、P、Fe、O、C和F六种元素,与锰系磷化膜相比多了F元素,证实了一定量的PTFE颗粒通过共沉积进入磷化膜中。锰系磷化膜和锰系复合磷化膜的膜重接近,均为16 g/m2左右,且锰系磷化膜和锰系复合磷化膜均与基体结合良好。与锰系磷化膜相比,锰系复合磷化膜的硬度略有提高,硬度值约为253.4 HV,耐磨性能和耐腐蚀性能都明显改善。PTFE颗粒主要填充在磷化膜晶粒间隙处,形成固体润滑膜起到减轻摩擦的作用,同时有效阻止了腐蚀溶液的渗透,故锰系复合磷化膜表现出相对较高的硬度以及更好的耐磨性能和耐腐蚀性能。     

大自旋极化率半金属Fe_3O_4薄膜制备及其磁性能

采用磁控溅射法先在Si(100)基片上沉积适当厚度的Fe薄膜作为底层,通过对Fe底层厚度及氧气流量的控制,使底层Fe形成化学计量的无缓冲层的Fe3O4多晶薄膜。通过X射线衍射和磁强计分析了样品的结构和磁性能。结果表明:当初始氧气流量为1.5mL/s时,在15nm的Fe薄膜底层上可成功制备高晶粒织构的化学计量的Fe3O4薄膜。将Fe3O4薄膜应用到巨磁电阻(giant magnetoresistance,GMR)多层膜中,由于多层膜材料间电阻率的失配,利用Fe3O4半金属薄膜并不能获得预见的大GMR效应。     

两种负载膜对纳米Fe^3＋/TiO2光催化活性的影响

用溶胶-凝胶法制得的纳米Fe3＋/TiO2分别以玻璃和琼脂糖为负载体,采用浸渍-提拉法制备Fe3＋/TiO2玻璃负载膜,水热合成法制得Fe3＋/TiO2琼脂糖凝胶负载膜,通过降解某制药厂的制药废水,探讨两种负载膜对纳米Fe3＋/TiO2光催化活性的影响及用琼脂糖为载体的可行性。结果表明,两种负载膜中纳米Fe3＋/TiO2的晶相不变,但琼脂糖凝胶负载膜中纳米Fe3＋/TiO2粒子的团聚较少,且不易脱落,重复使用性能高,光催化活性明显较Fe3＋/TiO2玻璃负载膜强,从而显示了琼脂糖为载体的可行性、优越性和实用性。     

两种负载膜对纳米Fe~(3+)/TiO_2光催化活性的影响

用溶胶-凝胶法制得的纳米Fe3+/TiO2分别以玻璃和琼脂糖为负载体,采用浸渍-提拉法制备Fe3+/TiO2玻璃负载膜,水热合成法制得Fe3+/TiO2琼脂糖凝胶负载膜,通过降解某制药厂的制药废水,探讨两种负载膜对纳米Fe3+/TiO2光催化活性的影响及用琼脂糖为载体的可行性。结果表明,两种负载膜中纳米Fe3+/TiO2的晶相不变,但琼脂糖凝胶负载膜中纳米Fe3+/TiO2粒子的团聚较少,且不易脱落,重复使用性能高,光催化活性明显较Fe3+/TiO2玻璃负载膜强,从而显示了琼脂糖为载体的可行性、优越性和实用性。     

钠离子电池Fe2O3/CNF负极材料的制备与研究

为了获得具有一定柔性和较好电化学性能的钠离子电池负极材料,采用静电纺丝和碳化工艺制备Fe2O3/碳纳米纤维(Fe2O3/CNF)纳米纤维膜,用于钠离子电池(SIBs)柔性负极材料.通过扫描电镜、TGA测试、元素分析、Raman测试、XRD测试、电池充放电性能测试研究碳化前后Fe2O3/CNF纳米纤维膜的形貌结构及电化学...     

黄绿色荧光成像用环烯烃共聚物镜片减反膜的研制

针对黄绿色荧光成像过程中由于发光微弱导致细节丢失的问题,以环烯烃共聚物中的F52R材料为基底镜片,采用电子束离子辅助蒸发的方法制备了可见光波段黄绿光高通型的减反膜。根据光谱使用要求,利用膜系设计软件TFCalc进行了膜系的设计和优化;通过离子源沉积工艺的优化,解决了低温镀制过程中膜层牢固度的问题。测试结果表明：当光线的入射角为5°时,400～700nm平均反射率约为0.55%,500～600nm的黄绿光平均反射率约为0.29%,光谱曲线呈现黄绿光高通的形状,满足使用要求。     

Fe_2O_3掺杂对ZnO-Pr_6O_(11)系压敏电阻材料电学性能的影响

通过烧结法制备了Fe2O3掺杂的ZnO–Pr6O11压敏电阻材料,研究了Fe2O3掺杂量对ZnO–Pr6O11系压敏电阻材料电学性能的影响。实验表明:当Fe2O3掺杂量小于0.005%(摩尔分数,下同)时,ZnO–Pr6O11系压敏电阻材料的非线性系数和压敏电压随Fe2O3掺杂量增大而逐渐提高。当Fe2O3掺杂量为0.005%时,压敏电压达到最大值571V/mm,非线性系数达到最大值26。当Fe2O3掺杂量大于0.005%时,非线性系数和压敏电压均急剧下降。过量Fe2O3使ZnO压敏电阻材料非线性下降的主要原因是:Fe元素偏析在晶界处,提供额外载流子降低了晶界电阻率,同时晶界处PrFeO3相的堆积会破坏晶界结构,从而影响压敏电阻材料的电学性能。