数字灰度投影光刻技术

随着MEMS和MOEMS技术的发展和器件制作对低成本、灵活、高效的需求,数字灰度无掩模光刻技术已成为人们研究的热点。介绍了一种基于数字微镜器件(DMD)的无掩模数字灰度投影光刻技术,结合电寻址数字微镜阵列的工作方式,分析了DMD的灰度调制机理和投影成像特性;阐述了DMD微镜结构与投影系统的倍数、数值孔径的关系;设计了投影光刻系统,并进行了分辨力和三维面形的曝光实验。实验结果表明,数字灰度投影光刻技术灵活、方便,尤其在三维浮雕微结构的制作方面,可实现光刻灰度的数字化调制,表面粗糙度可达0.1μm。     

极紫外投影光刻掩模技术

介绍了掩模基片的技术要求，分析了制备掩模多层膜的难点以及相应的解决措施，然后讲解了吸收层干刻法制备掩模的工艺流程，最后介绍了掩模缺陷的检测技术并概述了极紫外投影光刻掩模技术的现状。     

全内反射全息光刻技术

介绍了全内反射（ＴＩＲ）全息光刻技术的发展情况、基本原理以及其中的关键技术。     

离子投影光刻

对于０１３μｍ以下几何作图，离子投影光刻是一种适用的技术。该技术没有光学衍射局限性和电子光刻接近效应，并能使几何图形缩减，进行动态畸变校正。欧州的研究计划正在寻求解决ＩＰＬ方面的技术难题。     

X射线微缩投影光刻技术

作为将来0.1μm投影光刻技术,探讨了X射线缩小投影曝光方法,该技术是在软X射线领域中,在缩小光学系统的反射镜面上形成的反射的多层膜,可作为大面积曝光实用的光学系统,并进行试制评价,非球面加工精度大致要满足0.1μm才能获得其性能,通过该光学系统的曝光实验确认可在20×0.4mm范围中构成尺寸为0.15μm图形     

投影光刻技术在大生产中的应用

一、引言1992年为了建立一条3μmr技术的试验线，双极事业部引进了两台PE－340HT投影光刻机，于1993年4月安装调试完毕，投入使用。由于3Pm试验线为正胶工艺，品种少，也不能形成大生产。为提高设备的利用率，同期着手将PE－340HT投影光刻机应用于负胶SPin工艺的大生产中，以克服接触式光刻图形尺寸均匀性差、缺陷多的缺点，从而提高采用负胶工艺的产品、尤其是象二片机之类的高要求产品的工艺一致性。二、设备简介PE－340HT是美国Perkin－Elm。r公司80年代初的产品，处理圆片最大尺寸为4英寸，当时广泛用于64K存贮器的生产，为标准…     

投影光刻技术的计算机模拟研究

投影光刻技术的计算机模拟分为三部分：空间像强度分布计算，曝光计算和显影计算。本文分别讨论了各部分数学模型的建立，计算方法及特点，并给出了一些研究结果。     

一种新型PCB数字光刻投影成像技术

为了满足微米量级印刷电路板(PCB)光刻的需求,提出了一种新型PCB数字光刻投影成像技术。利用ZEMAX光学设计软件设计并优化了双高斯结构型光刻投影物镜。该物镜具有双远心结构,可以避免数字微反射镜(DMD)偏转产生离焦,分辨率可达13.68 mm,数值孔径NA=0.045,焦深为200 mm,严格控制像面畸变量小于0.03%。采用DMD多光束倾斜扫描技术,将DMD旋转一定的角度,利用曝光点的位置与光斑重叠积分能量的多少,形成更小的像素尺寸,提高了网格精度。基于该投影成像技术进行了光刻实验,实验结果证实了该投影成像技术的可行性,通过控制网格精度既能实现整数像素以外的线宽又能提高图像的分辨率和光刻效率。     

亚半微米投影光刻的自动对准技术

主要介绍了国外用于生产型亚半微米分步投影曝光机的几种自动对准技术。通过分析对比，指出了相位光栅自动对准技术是我所研制下一代分步曝光机最具吸引力的方案。     

用5比1投影光刻机完成0.4微米光刻

松下电器产业半导体研究中心，以KrF准分子激光器（振荡波长248纳米）作光源，研制成5比1缩小投影光刻机，可在单层保护膜上刻成0.4微米的图形，缩小透镜为石英透镜。数值孔径NA=0.35。为了修正球面像差，釆用了由多枚透镜组成的透镜组。保护层用改良的酚醛清漆系正型光抗蚀剂，提高了波长250纳米改良的灵敏度。     

角度限制散射投影电子束光刻

角度限制散射投影电子束光刻（SCALPEL）采用并行投影技术,具有分辨率高、曝光范围大的特点,可望获得远比电子束直写光刻高的产量。本文介绍了SCALPEL的原理、特点及该技术的研究进展情况。     

反射式投影光刻物镜系统设计原理

<正> 近年来反射式扫描投影光刻机得到了很大的发展。无论其设计思想或结构形式都以其独到之处赢得了人们的好评。在大规模和超大规模集成电路工业生产中显示出很大的优越性,如高分辨率,高效率等。本文将结合有关资料     

二氧化硅无显影全干式光刻技术

目前干式光刻技术已取得了许多重要成果,但是唯独显影还停留在湿法阶段,仍是一道必不可少的关键工序。由于显影液对光刻胶薄膜的溶胀作用,胶膜图形总会有所畸变,胶膜致密性总会有所降低。线条愈细,负胶还会使线条出现一种类似向外抽筋的现象,正胶还会使线条断裂。这些对于光刻分辨率和针孔密度都是特别有害的,显影时留下的一层不易发觉的残膜,更会招致严重的恶果。     

投影光刻系统中的掩模硅片相关识别对准技术

分析图像相关识别中的纯相位匹配滤波器的模式识别方法,利用该滤波器的相关识别位图计算算法,及其所具有的相干峰尖锐特性与高度旋转敏感特性,分别求取得光刻套刻过程中,掩模板和硅片基板对准标记的相对平移坐标与旋转坐标的精密量化驱动值。将此算法的实施单元建立在一套成型的大面积投影光刻系统中,使得该系统的对位精度与对位效率显著地提高。     

5倍高分辨率投影光刻物镜设计

本文结合Wafer Stepper简要说明投影光刻物镜的指标判断和要求,设计时应考虑的某些问题,并介绍一个5倍g线高分辨率投影光刻物镜的设计结果,该物镜的象素数N为2.3×10~8。