第三代TrenchMOS技术开发成功

位于美国加州Sunnyvale的Philips半导体公司是皇家Philips电子公司的一个分部,它所推出的第三代TrenchMOS（深槽MOS）工艺技术,可以将以MOSFET为基础的电路单元的尺寸进一步缩小。这项工艺技术是针对奔腾4甚至更新一代微处理器的技术要求而开发的。采用此项工艺技术以后,器件的单元密度可以达到50M单元/平方英寸。 此项工艺可以制成200V以下的MOS器件,可以广泛应用于dc/dc变换器,电压调节器,和syncFET等器件之中。现在推出的产品是属于这类器件中25到30V这一档的器件。 第三代工艺技术的特点包括:低阻的特殊导电层,方块电阻可达22mΩ/mm2-比现在一代工艺制成的电阻低40％。亚微米的槽宽降低了栅漏电容,减少了栅极电     

[原创]T PWD13F60高密度600V功率驱动器解决方案

ST公司的PWD13F60是集成了栅极驱动器和四个N沟功率MOSFET(双半桥配置)高密度功率驱动器.功率MOSFET有320 mΩ的RDS(on)和600V漏-源击穿电压,主要用在工业和家用电器的马达驱动器,工厂自动化,HID镇流器,电源单元和DC/DC与DC/AC转换器.本文介绍了PWD13F60主要特性,框图,典型应用电路图,以及评估板EVALPWD13F60主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.     

安森美半导体推出应用微处理器用电源单元

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出为AC—DC同步整流设计的全新60V和75V HEXFET MOSFET产品系列，其应用范围扩展至服务器、笔记本电脑适配器和台式电脑的电源应用。     

新型功率半导体器件——Light MOS晶体管

基于非穿通NPT／沟槽工艺的Light MOS，是一种内置续流二极管的新型IGBT。Light MOS组合了MOSFET和IGBT的优点，栅极电容较MOSFET小10倍．具有低功耗损耗特征．最适台于在电子镇流器谐振半桥拓井中作为开关使用．并与3A／600V／1.5—3欧姆的MOSFET等效。     

IR推出具有超低导通电阻的MOSFET

国际整流器公司(IR)日前发布了一组电压为75V和100V．专用于AC—DC同步整流和Oring电路的MOSFET。这批新器件具备业界前所未有的超低导通电阻．能极大优化笔记本电脑、LCD适配器和服务器等应用中AC—DCSMPS的效率和功率密度。这一组新品MOSFET适用于反激、半桥、全桥、正激转换器等各类不同AC—DC拓扑架构的次边。传统上，在能量密度较高的SMPS中通常将肖特基二极管作为输出整流器件。     

IR超低RDS(on)AC-DC同步整流MOSFET

计算机微处理器的运算速度越来越快，功耗也越来越大。IR公司(国际整流器)针对下一代数字系统开发了一组电压为75V和100V，专用于AC—DC同步整流和oring电路的MOSFET(如表1所示)。新系列器件具有超低导通电阻RDS（on），能极大优化笔记本电脑、LCD适配器和服务器等应用中AC—DC SMPS的效率和功率密度。     

凌力尔特公司推出降压型DC／DC控制器LTC3878和LTC3879

北京凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高效率NoRSENSETM同步降压型DC／DC控制器LTC3878和LTC3879。它们的恒定接通时间谷值电流模式控制和很短的43ns最短接通时间允许非常小的占空比，非常适用于高降压比和极快瞬态响应。两个器件都具有从4V到38V的输入电压范围。强大的片上N沟道MOS—FET驱动器允许使用大功率外部MOSFET，以高至95％的效率产生高达20A的输出电流，从而使它们非常适用于分布式电源、嵌入式计算和其它负载点调节应用。     

国际整流器公司（IR）宣布推出200V双智能型二次侧整流器驱动器IC

国际整流器公司（简称IR）扩展其Smart Rectifier IC系列,推出为AC—DC功率转换器设计、适用于高端液晶电视的IR1168。这款200V双智能型二次侧整流器驱动器IC,用于驱动在共振半桥拓扑上作为同步整流器（SR）的两个N通道功率MOSFET。与传统的变流器SR方式相比,IR1168能够基于接近零电流转换的MOSFET漏极感应电压而准确判断启动或关闭,因此剔除了额外组件,简化设计。     

Power MOSFET系列

Toshiba公司推出了一系列新的功率MOSFET产品,主要用于优化汽车中使用的风机、泵以及其他汽车运动控制应用。新MOSFET系列将导通电阻、输入电容以及封装 设计组合在一起，比以前的汽车MOSFET提供更好的散热和功率性能。     

具反向保护的有源整流器控制器

亚德诺半导体公司宣布推出Power by Linear?的有源整流器控制器LT8672,该器件具有至–40V的反向输入保护。其3V至42V输入电压能力非常适合汽车应用,这类应用具低至3.0V的最低输入电压和高达40V的抛载瞬变,在冷车发动和停-启情况下,必须始终保持稳定。LT8672驱动一个外部N沟道MOSFET,具20m V压差,与肖特基二极管相比,功耗可降低90%,无需昂贵的散热器。汽车应用要求在高达100k Hz范围内对AC输入纹波整流。     

IR推出全新多功能驱动IC

国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出IR2304及IR2308多功能600V高侧及低侧驱动集成电路，产品整合了专为照明镇流器、电源及电机驱动内的半桥MOSFET或IGBT电路而设的保护功能。     

电源

飞兆半导体推出高集成度镇流器芯片；Microchip 0．5A小型MOSFET驱动器；研诺推出12V降压DC／DC转换器；盛群超低启动电压的升压型DC／DC转换器；奥地利微电子推出低电压／低门限值的微处理器监控电路；     

新型高压集成式半桥仅占85mm^2的印制板空间

IR公司又推出了一些新的产品系列,以有助于显著地减小紧凑型镇流器、AC/DC适配器和小型电器交流电动机驱动的尺寸。IR5xH、IR5xHD、IR0xH和IR0xHD系列就是将半桥结构中功率MOSFET输出级和高压集成电路控制器合装于9脚SIP管壳中的高压集成式半桥。该管壳仅占85mm~2的印制板空间,却能完成一整套高压电力变换开关和控制功能。 IR公司的这些新型集成式半桥产品对于紧凑的、低功率和高效率设计是理想的。几代老式日光灯体积笨重,镇流器就占去了大部分的空间和重量。日光灯用的新一代紧凑型镇流器由于采用了高频零电压开关电力变换器     

TLP358：栅极驱动光耦合器

Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔离器,设计用来驱动需要输出电流达±6．0A的IGBT和功率MOSFET。新的驱动器IC光耦合器TLP358系列适用于工业逆变器、AC／DC伺服系统、感应加热系统、工厂自动化设备和其它需要高输出电流驱动级的应用中。     

其它电路与技术

9915238L6574电子镇流器控制驱动器 IC 及其典型应用[刊]/毛兴武//国外电子元器件.—1999,(5).—15～18(C)L6574是意法半导体公司采用独特的 BCD 工艺技术制造的新型镇流器控制及驱动器 IC。该 IC 内置VCO 和运算放大器及 MOS 栅极驱动器,具有闭环控制、保护、预热启动和可调光等功能。本文介绍了L6574内部结构框图、特征及功能,同时介绍了其典型应用。     

IR推出多用途80V MOSFET

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出 IRF1312型 HEXFET功率MOSFET,额定电压达 80 V,可用作隔离式直流 -直流转换器中的原边和副边 MOSFET,专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边 MOSFET时 ,IRF1312能用于高达 6 0 V最大输入电压 ,因此最适用于 36 V至 6 0 V及 4 8V稳压输入母线隔离式直流 -直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类 75 V MOSFET相比 ,其 80 V额定电压提供额外 6 %的防护带 ,使设计更加坚固耐用。作为副边 MOSFET时 ,IRF1312能在 12 V应用中提供比标准 75 V M…     

N0413N／N0601N：功率MOSFET

瑞萨电子公司推出开发面向消费类产品（如无线电动工具和电动自行车）中电机驱动的100A大电流功率MOSFET。新款功率MOSFET提供了较宽的电压范围，其中3款新产品（包括NO413N）具有40V的电压容差，而另外3款新产品（包括NO601N）具有60V的电压容差。器件功率损耗水平低低，能延长电池寿命。     

Molex和Bridgelux推出Helieon照明模块新一代产品

互联产品供应商Molex公司和Bridgelux公司宣布推出Helieon120V AC可持续照明模块,新产品是直接连接到120V AC线路电压输入的模块化固态照明解决方案。     

面向照明及开关电源应用的功率MOSFET

SuperMESH3功率MOSFET主要用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。620V的STx6N62K3是SuperMESH3系列的首款产品，后续产品有620V的STx3N62K3和525V的STX7N52K3和STX6N52K3。SuperMESH3技术可以降低导通电阻，在620V电压下，DPAK封装的STD6N62K3把导通电阻降低到1．28Ω；在525V电压下，STD7N52K3把导通电阻降低到0．98Ω，从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。     

电源

IR推出面向网络通信系统开关式转换器的中电压MOSFET；飞兆半导体推出50A/75A MOTION-SPM器件；凌特双输出36V降压型LED驱动器；C＆D公司推出以太网供电接口模块；安森美推出便携式应用的？Cool功率MOSFET产品系列；[编者按]