单发光层结构的白色有机电致发光器件的研究

在研究了合成并提纯的蓝光材料Liq和黄光染料Rubrene发光特性的基础上,采用高效的荧光染料Rubrene作为掺杂剂掺杂在母体材料Liq中,制备了单发光层结构的有机电致发光器件.当掺杂摩尔分数为1.0%时,器件得到了近白色发光(色度x=0.29,y=0.34),在驱动电压为24V 时,器件的亮度达到了2804cd/m2,在驱动电压为16V时,器件的效率达到了4.6cd/A.     

电压调节变色的有机薄膜电致发光器件

制备了结构为ＩＴＯ／ＳＡ／ＰＢＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ的电压调制发光颜色的有机薄膜电致发光器件，研究了有机层厚度不同的器件的发光光谱随电压变化的性能，建立了器件的能级结构模型，并用这种模型解释了器件的电致发光性能。     

有机发光器件的研究进展

介绍了有机电致发光器件(OLED的历史，结构,材料及制作工艺；分析了发光机理及性能；展望了OLED的应用前景。     

聚萘乙炔的光致发光与电致发光

用可溶性前聚物法制备的聚１,４－萘乙炔制成单层有机电致发光器件。该器件阳极为ＩＴＯ,阴极为Ｃａ,器件在正向偏压４Ｖ左右时开始发光,发光谱峰值为６０５ｎｍ,最高亮主为１４０Ｃｄ／ｍ＾２。文章分析了ＰＮＶ发光器件的发光机理,并给出了器件的能带模型。     

具有双掺杂发射层白光OLED器件结构的研究

白光有机电致发光器件是获得全色器件的基础。制备了一种具有双掺杂发射层的白光OLED器件，其结构为ITO／CuPc／NPB／ADN：TBP以ALQ：DCJTB／ALQ，Mg：Ag，将2，5，8，11-tetra-tertbutylperylen-e（TBPe）掺杂到蓝光主体材料ADN中作为蓝色发光层，4-（dicyanome-thylene）-2-t-butyl-6-（1，1,7，7tetramethyljul-olidyl-9-enyl）-4H-pyran（DCJTB）掺杂到AIQ中作为红色发光层，通过实验结果对比，研究了TBPe以及DCJTB的掺杂浓度对器件性能的影响，确定了当TBPe浓度为3％（质量分数），DCJTB浓度为1．8％（质量分数），时，获得的白光器件性能最优。     

磁控溅射法制备TiO2空穴缓冲层的有机发光器件

采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管（OLEDs）的空穴缓冲层,使OLEDs（ITO／TiO2／TPD／Alq3／Al）的发光性能得到很大改善。研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1nm,电流密度为100mA／cm^2时,器件的发光效率为2cd／A,比未加缓冲层器件的发光效率增加了近一倍。这是由于加入适当厚度的TiO2缓冲层限制了空穴的注入并且提高了空穴与电子注入之间的平衡。     

SOI和应变Si的将来

利用SOI衬底生长部分／完全耗尽结构的晶体管或用应变沟道提高器件性能可制备出高性能CMOS逻辑器件；这两种方法均可用于CMOS结构，也可单独用于提高器件性能。将应变用于器件沟道，可将沟道迁移率提高50％，从而提高了器件电流。SOI晶体管的好     

聚单乙氧基萘乙炔（PEONV）的电致发光特性

用可溶性前聚物法制备了单乙氧基取代的聚1．4萘乙炔（PEONV）。并采用PEONV作为有源层制作了单层结构电致发光器件。该器件的阳极为ITO，阴极为Ca，器件在正向偏压4V时开始发光，发光谱峰值605nm。最高亮度为156cd／m2。发光峰与未取代的PNV器件相比没有明显变化。文章对此作出了初步解释。     

氮化铝薄膜发光性能研究进展

介绍了AlN薄膜物理性质及制备方法；综述了AlN薄膜作为薄膜电致发光（TFEL）器件发光层的研究现状；对AlN薄膜发光性能的应用前景做了展望。     

磷光染料共掺杂方法提高红光有机发光二极管性能的研究

通过两种不同红光磷光染料6％的PtOEP与7％的（btfmp）2Ir（acac）共掺同一基质中作为发光层，使有机电致发光器件的性能全面得到改善,共掺器件的最大效率达到了3．2cd／A，而单一染料6％的PtOEP或7％的（btfmp）2Ir（acac）掺杂器件的效率分别为1．8cd／A和2．9cd／A,另外，共掺杂器件表现出了更低的驱动电压，其效率在大电流下的衰降程度也大大降低,这些改善应归功于提高了发光层中总的掺杂浓度而没有引起相应高的浓度淬灭的结果。     

硅衬底Al2O3∶Tb3+薄膜的制备及其发光性能

采用溶胶凝胶法在硅衬底上制备了Al₂O₃∶Tb³⁺薄膜; 并采用DTA-TG、XRD、SEM、AFM及光致发光光谱对其进行了一系列表征; 分析了Al₂O₃∶Tb³⁺薄膜的发光机理, 探讨了热处理温度和Tb³⁺掺杂浓度对发光性能的影响规律. 研究结果表明, 采用溶胶凝胶法制备工艺, 制备了高发光强度的Al₂O₃∶Tb³⁺薄膜, 薄膜的最佳激发波长为240nm, Tb³⁺的最佳掺杂浓度为5mol%(Tb₂O₃/Al₂O₃=5mol%), 在240nm光激发下, 最强的发射峰出现在544nm附近; 并且制备的Al₂O₃∶Tb³⁺薄膜表面致密、平整且无裂纹产生, 表面粗糙度约为1.3nm, 有利于硅基光电子器件的制备和应用.     

SiO2气凝胶薄膜中Eu3+离子的跃迁

利用溶胶－凝胶法制得了Ｅｕ＾２＋掺杂ＳｉＯ２气凝胶薄膜,并对其发光及跃迁性质进行了研究。使用原子力显微镜对样品的型貌结构做了观测、采用ＸＲＤ和ＩＯＲ对所得样品的结构进行了研究,测量了样品的激发一发光谱、吸收光谱和时间分辨光谱。通过Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论计算了Ｅｕ＾３＋的＾Ｄ０的辐射跃迁几率,并根据时间分辨光谱研究了＾５Ｄ１的无辐射跃迁几率及弛豫性质。虽然结果与掺Ｅｕ＾３＋的体硅玻璃没有很大差别,     

采用阳极氧化铝做掩膜生长氮化镓膜

采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜.采用扫描电镜观察了氮化镓膜的界面性质并用阴极发光谱表征了截面上氮化镓层在不同位置的的发光性质,发现随着厚度的增加,其发光特性得到改善,而且由于掩膜结构的引入,外延膜中的压应力得到一定程度的释放.     

Preparation and characterization of luminescent nanocomposite film containing polyoxometalate

A nanosized composite film based on polyoxometalate anion [Eu(SiW₁₀VO₃₉)₂]¹⁵⁻ (EuSiWV) and polyethyleneimine (PEI) has been synthesized by layer-by-layer (LBL) self-assembly. The components and growth processes of the film have been determined by X-ray photoelectron spectra and ultraviolet-visible absorption spectra. The results showed that the composite film was formed by the alternate adsorption of EuSiWV and PEI, and the deposition process was quantitative and highly reproducible from layer to layer. Atomic force microscopy images indicated that the surface of the film was relatively uniform and smooth. The EuSiWV salt aggregated into nanoclusters with approximately 10 nm mean grain size, distributing on the surface uniformly. The surface roughness was approximately 2.4 nm. Fluorescence properties of the film were consistent with those of the solid sample, exhibiting obvious activity of fluorescence and incarnating the characteristic luminescence of Eu³⁺. In addition, the electrochemical behavior of the film has also been investigated, demonstrating that the electrochemical property of EuSiW₁₀V was fully maintained in the LBL film.     

SiO2气凝胶薄膜中Eu3+离子的跃迁

利用溶胶-凝胶法制得了Eu3+掺杂SiO2气凝胶薄膜,并对其发光及跃迁性质进行了研究.使用原子力显微镜对样品的型貌结构做了观测,采用XRD和IR对所得样品的结构进行了研究,测量了样品的激发—发射光谱、吸收光谱和时间分辨光谱.通过Judd--Ofelt理论计算了Eu3+的5D0的辐射跃迁几率,并根据时间分辨光谱研究了5D1的无辐射跃迁几率及弛豫性质.虽然结果与掺Eu3+的体硅玻璃没有很大差别,但可通过此简易低温的方法制得掺稀土离子的良好薄膜,这对得到具有轻质玻璃性质的发光薄膜展示了广阔应用前景.     

铝掺杂对非晶SiOx薄膜电致发光的影响

为提高硅基薄膜（SiOx）发光材料的发光效率，采用双离子束溅射法制备了不同铝含量的Al—Si—SiOx薄膜。对所制备样品的电致发光（EL）测试表明：由于金属（Al）的掺入，使得在同样的电压下。薄膜中的电流随着铝含量的增加而增加；并且铝含量增大使得通过薄膜的电流增强，因而得到较高强度的电致发光。所以当硅基薄膜中掺入铝时，薄膜的发光效率得以提高；并且，随着铝含量的增加，薄膜的发光效率亦相应提高。     

无机防污闪薄膜的制备和性能

将TiO2光催化剂固化在高压绝缘子表面形成无机防污闪薄膜,用XRD、UV-Vis、FT-IR和SEM表征和测试了薄膜的结构和光催化活性,比较了高压绝缘子涂覆光催化薄膜前后电气性能的变化和实挂的积污情况.结果表明,镀膜后的绝缘子电气性能变化不大,挂网6个月后样品表面的灰密值为镀膜前的1/35.在满足电气性能的前提下,镀膜后的绝缘子具有良好的光自洁能力和防污闪性能.     

基于表面改性的国产T800碳纤维/高韧性环氧树脂复合材料胶接性能

本文通过打磨、喷砂、等离子处理方法对国产T800碳纤维/高韧性环氧树脂复合材料的待胶接面进行改性,分别制备了J-116B胶膜和J-375胶膜的浮辊剥离性能及拉伸剪切性能试验件。测试了不同处理条件下J-116B胶膜和J-375胶膜的剥离和剪切性能。采用SEM对老化前后、未经刻蚀和刻蚀后的剥离试样形貌进行观察。采用接触角测试仪测试了不同表面处理方法对国产T800碳纤维/高韧性环氧树脂复合材料胶接面润湿性的影响,并采用XPS光电子能谱分析仪对等离子处理前后的国产T800碳纤维/高韧性环氧树脂复合材料胶接面表面理化性能进行研究。结果表明:尽管J-375胶膜的室温剥离性能不如J-116B胶膜,但J-375胶膜具有更好的湿热老化性能。等离子处理后的国产T800碳纤维/高韧性环氧树脂复合材料的破坏模式由黏附破坏为主转变为内聚破坏为主,因此使两种胶膜的拉剪和剥离性能均有明显提高。这是由于等离子体处理能够重组复合材料表面的分子链,在胶接表面形成新的活性基团。      

Microstructural properties of electrochemically synthesized ZnSe thin films

In this study, we report the electrosynthesis of zinc selenide (ZnSe) thin films on indium-doped tin oxide-coated glass substrates. The deposited ZnSe thin films have been characterized for structural (X-ray diffraction), surface morphological (scanning electron microscopy), compositional (energy dispersive analysis by X-rays), photo luminescence property, and optical absorption analysis. Formation of cubic structure with preferential orientation along the (111) plane was confirmed from structural analysis. In addition, the influence of the deposition potential on the microstructural properties of ZnSe is plausibly explained. The optical properties of ZnSe thin films are estimated using the transmission spectrum in the range of 400–1200 nm. The optical band gap energy of ZnSe thin films was found to be in the range between 2.52 and 2.61 eV. Photoluminescence spectra were observed at blue shifted band edge peak. The morphological studies depict that the spherical and cuboid shaped grains are distributed evenly over the entire surface of the film. The sizes of the grains are found to be in the range between 150 and 200 nm. The ZnSe thin film stoichiometric composition was observed at optimized deposition condition.     

水相中CdSe与核/壳CdSe/CdS量子点的制备与发光特性研究

以巯基乙酸为稳定剂在水相中制备了CdSe与核/壳型CdSe/CdS量子点水溶胶, 用紫外-可见吸收光谱和发射光谱研究了它们的发光特性, 并且用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)表征了它们的结构、形貌和化学组成, 结果表明使用该方法制备的量子点分散性良好, 而且用CdS对CdSe进行表面修饰以后的发光强度明显提高, 发射光谱和吸收光谱都有红移现象, 不同粒径颗粒的吸收峰的位置也有所不同.