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多元MCT器件拼接研究王红妹,赵毅强(航天工业总公司8358所天津300192)多元MCT探测器广泛用于导弹武器和空间遥感技术、红外成象制导系统等方面。系统对通用组件的技术参数、探测元数的要求越来越高,给器件的制备相应带来一定的困难。鉴于MCT材料组... 相似文献
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简要介绍了研制叠层MCT双色红外探测器的装配过程,对器件装配前后的测试结果进行了比较分析,发现部分双色红外探测器的探测率已接近背景限。表明叠层MCT双色红外探测器的装配工艺是可行的。 相似文献
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8~12μm光导多元红外探测器的研制王东(航天工业总公司8358所天津300192)长波碲镉汞多元红外探测器可广泛用于精确制导、红外成象、卫星遥感等领域。本文通过对光导红外探测器的基本理论进行分析,总结出获得高性能红外探测器所需MCT晶片参数指标,并... 相似文献
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制作光伏型碲镉汞(MCT)探测器PN结常用的方法是离子注入法。近几年的研究发现,低能离子束成结更适合制作长波光伏型MCT探测器。本文报导了低能离子束成结的10.6μm光伏型碲镉汞探测器的性能,衬底为载流子浓度在0.8~6×10 ̄(16)cm ̄(-3)范围的P型MCT材料,离子束能量范围为100~600eV,通过离子束处理,可在P型MCT表面形成一薄层较低载流子浓度的N型区,而制成NP结,利用该技术成结制作的大面积、四象限10.6μmMCT探测器,在-20mV的偏压,80K的温度下,器件的峰值响应率和峰值分别为324.5V/W和1.13×10 ̄(10)cmHz ̄(1/2)/W,每元光敏面积为6.88×10 ̄(-3)cm ̄2。 相似文献
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8×8元MCT光伏长波探测器/Si信号处理器组件电子工业部十一所唐剑为配合串-并扫型“红外成象导引头”原样机的研制,提出了8×8元MCT光伏长波探测器/8路集成缓冲前置放大器/8抽头硅CCD时间延迟积分器(TDT)的探测器/信号处理器组件方案。本文将... 相似文献
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光导MCT60元线性阵列器件辐射冷屏蔽改进设计航天工业总公司三院八三五八所许蓉使用辐射冷屏蔽来限制多元探测器的现场角,减少辐射通量,提高探测率D*,经验公式由下式给出:本文通过不同冷屏开口,投射到线列上每一元的辐射通量的计算结果,应用上式计算出D*(... 相似文献
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GHz量级宽带碲镉汞探测器李永珍(华北光电技术研究所北京100015)本文主要讨论用于CO_2激光红外外差系统的宽带探测器的带宽问题,分析影响用MCT体材料制备的N-P结频率的因素:1)RC时间常数;2)电子、空穴在空间电荷区的渡越时间(场强下漂移)... 相似文献
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本文通过对光导红外探测器的基本理论进行分析,给出了获得高性能红外探测器应具备的晶片参数和工艺设计的理论依据。实践证明,在此理论指导下开展长波线列光导器件研制,能重复制备出昏性能、高均命性的32元、48元和60元红外探测器,其D ̄*_b>1×10 ̄(10)cmHz ̄(1/2)W ̄(-1)、R_V>1×10 ̄4VW ̄(-1)、λ_p>11μm和λ_c>12μm。 相似文献
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本文着重介绍金属硅化物肖特基势垒红外探测器阵列(MSSBIRDA),碲汞电荷注入器件(HgCdTeCID),电荷成像矩阵(CIM),锑化铟电荷注入器件(InSbCID)以及砷化镓/砷铝镓(GaAs/GaAlAs)多量子阱单片式红外焦平面阵列的现状。 相似文献
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试图从分析工外探测器组件的组成及其可靠性因素入手,以60元PC-MCT探测器组件为例,介绍了 几种可靠性指标分配方法和相应的结果,并分别做出评估。 相似文献
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国外红外探测器装备现状及发展趋势 总被引:1,自引:0,他引:1
作为与雷达并驾齐驱的传感器设备,红外探测器在现代战争中的作用不言而喻。早在上世纪50年代,工作波段为1.3μm的硫化铅(PbS)红外探测器就应用在空空导弹上,但仅能对飞机尾部进行探测,且易受干扰,应用局限性很大。随着探测器技术的发展,50年代中期研制成功工作波段为3-5μm的锑化铟(InSb)探测器。60年代初,采用单个InSb探测器的红外搜索和跟踪(IRST)系统研制成功。 相似文献
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光导器件及其背景限探测度 总被引:1,自引:0,他引:1
本文就MCT光导型探测器作一总结性的讨论,对光导器件的扫出问题作了更详尽的阐述,并定义了扫出因子。关于背景限探测度提出了新的见解,认为背景限探测度不是不可逾越。 相似文献
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对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命. 实验结果显示:短时间(42mA, 70h)的电流冲击对探测器性能影响不大,探测器组分减小,截止波长变长;冲击时间长到(42mA, 100h)一定程度后,探测器性能有不同程度的下降,组分变大,截止波长变短. 这是因为电流产生的热效应加强了Hg扩散效应,从而使器件截止波长发生变化. 相似文献
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