实验研究

如上所述,整管结构示意图见签201。 后加速会聚透镜以下简称PDAL(post Dafleclion Aleeleration Lens) 为了研究方便,电子枪偏转板中心电压与阳极同电位,即没有辅助聚焦,电子枪阳极,编转板中心及PDAL低压电极①同电位为(?)A。PDAL电极②为调正电极,电位(?)J可调,PDAL电极③为高压电极,与屏同电位,电位UA2。电子枪的聚焦电压力VF。 一般电子束管中,电子束在发射系统中交叉,将此交叉截面作为聚焦透镜物。在屏上得到它的象,即光点。但是在本结构中,电子束在偏转系统出口处再次交叉,形成虚象,然后通过PDAL在屏上得到实象——光点。因此这是二次交叉类型管种。光学系统见签202。     

电极零件的卷边与极间高压击穿

电子束管是电真空器件的一种,它通常由抽成真空的玻壳及封入其中的电子枪构成。作为管芯的电子枪是电子束管的心脏,无论是那种类型的电子束管都缺少不了电子枪。电子枪是由阴极发射透镜、预聚焦透镜、主聚焦透镜、偏转棱镜等一系列电子透镜依次组合装配而成的电子光学系统。轴对称静电式电子透镜,均是由馈以不同直流电压的圆筒型电极零件按不同间隙装架而成。除掉阴极、调制极外,各个     

具有动态象散与聚焦校正的一字形电子枪

为了提高自会聚、一字型彩色显象管的分辨率,研制了动态象散与聚焦(DAF)电子枪。在当前流行的枪结构中,由于偏转线圈磁场畸变产生的光点偏转散焦和象散,使得分辨率下降。DAF枪,在双电位枪的兰极管部分与主透镜之间,采用了一种新设计的、与四极透镜合并在一起的透镜系统。四极透镜结构简单,面对着的矩形孔互相垂     

椭圆膜孔透镜电子枪中用作动态聚焦和象散控制的四极透镜

引言众所周知,在一列式彩色CRT中使用了自会聚系统,其偏转线圈引起了很大的象散,这种象散大大减弱了屏边缘的分辨率。近来,做了一些尝试以校正这种象散,即在电子枪中使用一种具有双电位主透镜系统的聚焦电极的四极透镜。在四极透镜上加上一个与束偏转同步的动态电压,以补偿由于偏转系统引起的象散。这种动态电压也可以在整个屏上使电子束聚焦,即能够实现动态聚焦。     

索尼扁平显像管

在小形扁平显像管的商品开发中,为了节省电,特对行偏转系统进行了专门研究,根据在真空管内安置导磁率好的铁氧体试验,成功地降低了行偏转功耗。由于电子枪到画面上下距离不同,引起了焦点模糊,通过帧静电偏转板与电子枪进行内镶接,并把帧偏转波形也加在电子枪上,在画面帧方向采取动态聚焦,这样可使图像变得清晰、均匀。     

携带式电视机用的彩色显象管

对于较小尺寸的彩色电视机,需要尽量简化显象管及其偏转元件,因为这里可节约钱,使携带式电视机比家用电视机便宜得多。因此需要找到新的工艺,以大大简化显象管及其偏转元件。第一种生产成熟的管子是索尼公司的单枪三束管。简化小尺寸彩色显象管的另一种方法是日本东芝公司提出的所谓“RIS”管。这种管子的电子枪不是三角形排列的,而是排成一字形。但是荫罩孔仍为圆形的孔,只是不再按三角形排列,而是直线排列而已。     

日立公司最新电子枪技术

本文对日立公司新一代彩色显像管用电子枪的结构及性能进行了剖析和系统讨论。其超大椭圆孔的主透镜使有效直径比上一代电子枪提高了25％，电子束形成区实现最优化设计，不同电流下聚焦的稳定性提高，同时进入主透镜的电子束发散角在水平和垂直方向不同，实现与主透镜的最佳配合，充分发挥了主透镜中共同透镜为椭圆孔透镜的特点。聚焦对比实验也显示出日立公司新一代电子枪聚焦的优异性能。     

大屏幕彩色显像管电子枪聚焦性能分析

电子枪聚焦性能是由电极结构决定的，本文通过计算机模拟的方式对3种典型的用于大屏幕彩色显像管电子枪的为形貌进行了系统的模拟，对各电子枪聚焦特性进行了分析和比较表明电子束形成区，主透镜结构对屏幕中心，角部的着屏光点及不同电流下了聚焦的稳定性都有较大的影响。     

高亮度细束可拆卸电子枪

研制一种高亮度细束可拆卸电子枪。电子束工作电压10kV,总束流100300A。在采用直径20m的圆形或2020m2的方形物孔限制光阑时,通过物孔光阑的束流是12A,束角为510-3。对电子枪的结构作了介绍,对阴极灯丝、阳极头、物孔光阑等的制造和组装也作了说明。枪外径特别小,只有17mm,可用于大屏幕油膜光阀、热塑记录等需要动态真空系统的场合。     

一字型枪边束优化设计的新方法

在一字型彩色ＣＲＴ中,用Ｇ２、Ｇ３进行会聚电子束,在这样的电子枪系统中,边束电子束在预聚焦透镜处（在Ｇ２和Ｇ３电极之间）向轴向弯曲,此后,电子束倾斜进入主透镜系统。边束电子空过主透镜的正确位置,从而减小光点彗差,同时电子束随聚焦电压情况漂移。为了精确估计电子束在三维结构主透镜中的正确位置,提出了一种新的计算方法。     

示波管偏转系统上升时间计算模型

本文提出了示波管偏转系统高频性能分析新方法。通过分析电子在偏转系统内的渡越时间差模型,导出偏转系统在单位阶跃电压函数作用下,电子束扫描轨迹方程及上升时间的计算。     

楔形偏转线圈和平板电极静电偏转器的偏转场的计算方法

本文介绍楔形截面的偏转线圈和平板电极的静电偏转器的偏转场的计算方法。楔形线圈可以组合成形状多样的组合磁偏转器,有利于通过适当改变场分布形状,进一步减小偏转象差。矩形平板电极静电偏转器的优点是结构简单,有希望用它组成多电子束系统的偏转器阵列。根据上述两种偏转器的计算方法,已建立起实用的计算机程序,计算了一些典型结构偏转器的场分布。     

磁偏转线圈的优化设计

本文由谢志行等(1987)给出的场参数表达式,借助正交设计法,对带屏蔽筒鞍形偏转线圈进行了优化设计,所得结果与实际模型相符。指出了鞍形偏转线圈的端耳效应和场参数B0(z)分布对象差的重要贡献。例示了有限长余弦分布绕组与分布式绕组之间电子光学性能的比较。     

螺旋型慢波偏转系统参量的计算

本文提出了计算慢波偏转系统中电位分布、电子轨迹、偏转参量的方法。电位分布在数值计算的基础上,以解析表达式近似。计算结果与实际管子的特性很好地吻合,表明本方法适用于工程设计。     

新型Spindt阴极阵列磁敏传感器的研究

提出了一种检测三维磁场的真空微电子磁敏传感器。该传感器采用Ｓｐｉｎｄｔ阴极阵列作为电子源,阳极分为五个区域,以便检测发射电子在磁场作用下的偏移。通过不同阴极电压下电子束流的偏移量的国赤出器件所在位置磁场的三个分量。对传感器的灵敏度和误差进行了模拟计算,并研究了它们与阳极电压、阴－阳极间距及阳极电压变化步长的关系。结果表明该传感器的灵敏度约为８００％,相对误差为３％。     

电子束静电折板偏转系统研究

以SDS-3电子束曝光机为基础,用折板结构静电偏转替代直板结构静电偏转,探讨了电子束曝光机折板静电偏转场的电子轨迹与电位分布应满足的要求。导出了折板静电偏转灵敏度与电位分布之间的关系,给出静电偏转像差方程及像差系数。用矢量描写电子轨迹,以积分式表示像差系数,给出了折板结构方程与参量。像差系数适应计算机辅助运算。结果表明,折板结构静电偏完成的图像像差明显优于原直板结构静电偏。提供了静电折板偏转与直板偏转的相关计算数据及摩尔栅条纹图。     

慢波偏转的相速,同步电压及带宽

本文提出了螺旋形慢波线最佳带宽时的相速与电子速度之间的数量关系;指出偏转灵敏度最高时的加速电压并不是同步电压。     

A high-resolution electron gun for thermoplastic recording using prefocus deflection

A demagnification gun of high resolution was developed for thermoplastic recording by deflecting the electron beam at the entry of a large focusing lens. The unconventional approach of prefocus deflection allows close spacing between the "short" focusing lens and the target (phosphor screen or thermoplastic tape) required for demagnification and results in a gun with a relatively short length. The diameter of the focusing lens is about three times larger than the 25-mm diameter area to be scanned in order to keep spot distortions of the deflected beam at a minimum. Electrostatic focusing combined with magnetic deflection was selected. The special focusing lens that is used is shaped for low aberrations, increased demagnification and increased deflection sensitivity. Small deflection fields are required since the electron beam is being deflected in the accelerating field while the electron velocities are still low. The gun operates at 10 kv and delivers a 5-micron spot at 1µa. This corresponds to a resolution of 5000 spot diameters at average current densities in excess of 5 amp/cm². In spite of the high resolution, the over-all length of the gun measured from the target is only 9 inches.     

About scan magnification of TV picture tubes

In a television receiver the horizontal deflection is of critical importance because of the high deflection power. Recently various proposals have been published, according to which the electron beam is to be deflected over a small angle only, in order to diminish the deflection power. Subsequently this small deflection angle is to be increased by an electrostatic or magnetic lens. In the present paper, it is shown with the aid of general laws of electron optics that such a scan magnification by an electrostatic or magnetic lens necessarily causes a decrease of the resolution, and thereby, of the quality of the television picture, unless known possibilities of increasing the resolution are employed simultaneously. The calculation also affirms that with magnetic deflection, unlike electrostatic deflection, post-acceleration does not lead to a significant reduction in deflection power with unchanged resolution.     

Calibration algorithms for an electron beam metrology system

This paper discusses the general deflection system calibration problem that occurs in electron beam lithography and metrology systems.These systems generally have an X, Y stage whose position can be measured, but not set to a high degree of accuracy.The calibration problem involves aligning the coordinate system associated with electron beam deflection system to that of the X, Y stage, and measuring the deflection system sensitivity.Current commercially available examples of these systems include the Cambridge Instruments EBMF-6 electron beam lithography system and the EBMT-5 electron beam metrology system.