首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 125 毫秒
1.
采用BaO-Al2O3-SiO2(BAS)微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,在氧化铝陶瓷表面低温烧结Mo金属化层。研究了金属化烧结温度及BAS含量对样品抗拉强度的影响,讨论了金属化机理。结果表明:以BAS微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,可在1500~1550℃烧成Mo金属化层,金属化层致密,连接样品的抗拉强度大于260 MPa。  相似文献   

2.
本文从玻璃相扩散迁移、Mo的化学态和添加Mn的作用几个方面对氧化铝基陶瓷高温Mo-Mn法金属化机理进行了分析和总结,给出了高纯氧化铝陶瓷(包括99氧化铝陶瓷、透明氧化铝陶瓷)一些实验研究结果。通过对实验结果的分析和讨论,指出了高纯氧化铝陶瓷金属化配方设计、工艺参数控制等方面应把握的技术要点。实验研究结果对工程中高纯氧化铝陶瓷的金属化和封接工作具有一定的指导作用。  相似文献   

3.
本文采用传统的活化Mo-Mn法对透明氧化铝陶瓷进行了金属化与封接实验。结果表明,传统的活化Mo-Mn法可以实现透明氧化铝的金属化,并能够获得气密、可靠的陶瓷-金属封接件。金属化层与陶瓷之间的结合主要来源于金属化层中的玻璃态物质对陶瓷表面良好的润湿性。  相似文献   

4.
研究了不同氧化铝含量的电真空陶瓷管壳配方组成与性能的关系,分析了等静压工艺技术生产电真空陶瓷管壳的诸多因素,并对等静压工艺生产电真空陶瓷管壳的工艺控制、氧化铝含量与性能的关系以及对陶瓷金属化适应性进行了探讨.等静压成型工艺是提高电真空陶瓷管壳综合性能的必要手段,等静压电真空陶瓷管壳氧化铝含量对其机械性能、电性能、金属化适应性有直接影响.  相似文献   

5.
根据细钼粉在95%氧化铝陶瓷金属化应用过程的实践经验,本文总结了细钼粉对氧化铝陶瓷金属化工艺和产品质量的影响,并对细钼粉应用过程出现的电镀镍层起泡问题的原因进行了探讨。  相似文献   

6.
高纯氧化铍陶瓷基片及金属化研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
氧化铍陶瓷原料纯度、杂质含量、煅烧温度、颗粒度分布、成型方法、烧结曲线陶瓷基片十分重要.特别是成瓷后的基片晶粒大于45 μm,直接影响抗折强度、体积密度、金属化抗拉强度(晶粒粗大抗拉强度低于30 MPa),氧化铍陶瓷基片采用轧膜成型,由于轧膜成型具有方向性,坯件中水分含量控制不严(南方坯件容易吸潮),烧成坯件有收缩变化,使基片产生开裂变形及翘曲,对金属化印刷、电镀及键合强度具有不同程度的影响.本文通过原料制备、成型、烧成等工艺进行研究控制,使氧化铍陶瓷基片及金属化的合理性、稳定性得到进一步提高和完善.  相似文献   

7.
本文采用由MoO3加活化剂组成的配方对氧化铝陶瓷进行低温金属化,通过对氧化铝陶瓷、金属化层的显微结构及元素的分布情况来探索氧化铝陶瓷的低温金属化机理。研究发现金属化层中大部分MoO3还原成活性较好的Mo颗粒,Mo颗粒间相互烧结连通为主体金属海绵骨架,同时少量的Mo氧化物与MnO、Al2O3、SiO 2、CaO等形成玻璃熔体,MnO、Al2O3、SiO 2、CaO之间也会形成MnO-Al2O3-SiO2-CaO系玻璃熔体,从而获得致密、Mo金属与玻璃熔体相互缠绕、包裹的金属化层。金属化层中的两种玻璃熔体先后渗透、扩散进入氧化铝陶瓷晶界从而实现陶瓷与金属化层之间的连接。金属化层中还原的Mo金属与Ni层之间形成Mo-Ni合金,从而实现Ni层与金属化层之间的结合。  相似文献   

8.
采用活化Mo-Mn法对99%氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验.封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99%氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当.通过对99%氧化铍陶瓷金属化层的显微结构及金属层中的元素在金属层及陶瓷中的分布情况分析,探讨了99%氧化铍陶瓷Mo-Mn金属化机理.研究发现,99%氧化铍陶瓷金属化时,在氧化铍陶瓷和Mo海绵骨架中间形成了一层约3μm的过渡层,金属化层的Mo海绵骨架结构通过过渡层与氧化铍陶瓷基体紧密连接.  相似文献   

9.
参考相关文献报道,本文对氧化铝陶瓷钼-锰金属化工艺中,气氛和玻璃相迁移对金属化质量的影响进行了简单评述,并指出了批量金属化生产工艺和国内金属化研究需要注意的问题。  相似文献   

10.
陶瓷高熔点金属的金属化   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文从1938年德国人开发的德律风根法(Mo金属化法)开始,及其发展至完善的Mo/Mn金属化技术,直至本世纪八十年代,纵观了整个高熔点金属金属化发展史。其次,详细地介绍了金属化方法——干式金属化法和湿式金属化法。对于氧化铝瓷的成分、金属化膏的组成、高熔点金属的颗粒大小及烧成温度等对接合强度的影响也予以较为详细的介绍。  相似文献   

11.
《信息技术》2017,(1):9-11
为研究电磁脉冲作用下p-n-n+型二极管的击穿及损伤情况,文中结合Si基p-n-n+型二极管,采用漂移—扩散理论结合热流方程,建立了二极管的二维电热模型。仿真结果表明,电压信号的上升时间和幅值对二极管是否击穿有直接影响,上升时间越短、初始偏压越高,则二极管越容易击穿。损伤及烧毁阈值随电压幅度的增加而升高,随上升时间的增加而降低。  相似文献   

12.
励磁系统的PID参数对发电机组和电网稳定的可靠性和动态品质具有重要的作用。检验励磁系统PID参数准确性的方法主要是进行发电机空载阶跃响应试验。本文采用中国电力科学研究院研制的电力系统综合仿真程序PSASP对沧东电厂4号机励磁系统进行了5%机端电压阶跃仿真试验,然后根据仿真结果进行了现场试验,结果表明仿真结果对现场试验具有重要的指导意义,不仅节省了现场调试的时间,而且进一步提高了现场试验的安全性。  相似文献   

13.
In this paper, we show that in order to ascertain whether a permutation has the Costas property, only a restricted subset among the totality of pairs of entries in the same row of the difference triangle needs to be checked, and we explicitly describe such a subset. This represents a further refinement on the definition of a Costas permutation. This observation can be used to speed up algorithms that exhaustively search for Costas permutations. Asymptotically, the savings approaches 43% for large orders when compared with the previous standard efficient method.  相似文献   

14.
文章根据灰色预测模型的建模机理,针对灰色预测模型中背景值的赋值过程,结合拉格朗日中值定理从数学上证明了灰色预测模型中背景值的赋值是不合理的。针对其不合理性,提出了一种模型改进的方法。并以重庆市农村用电量进行了实证分析,验证了模型改进的效果。  相似文献   

15.
池河节制闸门采用扇形浮体门,门体由扇形框架和上下游面板组成;上游圆弧面板的圆心处用铰链固定在门室的后墙上,整个门体绕铰轴旋转升降;本次就浮体闸门的门铰剪力计算供大家参考。  相似文献   

16.
物联网网关作为物联网体系架构中连接传感器网络和电信网的重要网元,其与传感器终端的通信适配是物联网研究的一个重要方向。文章对多种适配方式进行了分析,并基于上述分析列举了典型应用示例。最后对物联网网关通信适配技术的发展及其在行业中的应用给出了相应建议。  相似文献   

17.
针对GaN HEMT电流崩塌物理效应,测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23.8%,且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降,并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系;在漏脉冲测试条件下,器件输出电流有所增大,并随着脉冲宽度减小而缓慢增大。实验结果,可用器件栅漏之间表面态充放电的原理来解释所观察到的测试现象和电流崩塌物理。  相似文献   

18.
杨世栋 《通信电源技术》2013,30(3):36-37,40
根据汽车发动机装配流水线的要求,采用西门子S7-300系列PLC以及PROFIBUS-DP总线设计了汽车发动机装配线控制系统。在控制系统软件STEP7的编程环境下,通过在装配现场的调试,完成了设备层中变频器、拧紧枪的数据采集、通讯、控制等要求。实验结果表明,该控制系统稳定可靠。  相似文献   

19.
吴宗汉 《电声技术》2011,35(12):21-26
着重讨论了驻极体电容传声器(ECM)的相位受振膜材料影响的问题,即振膜的基材在生产中,受生产过程影响而对振膜产生影响的分析,以及各种因素形成的应力对驻极体电容传声器(ECM)相位影响的分析.  相似文献   

20.
介绍了澳大利亚插头产品的法规要求及插头的型式、尺寸、参数和测试要点,分析了插头的电流额定值和配线之间的关系,强调了插销绝缘套的要求。对重要的试验项目,如弯曲试验、插销绝缘套的耐磨试验、温升试验、高温压力试验进行了说明。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号