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图１所示电路可以降低至少超出音频波段（１００Ｈｚ到２０ＫＨｚ）３５ｄＢ的噪声和微波。该音频电路采用标准５Ｖ电源供电。大多数线性稳压器只能抑制大约１００Ｈｚ的噪声,并且在便携机方面使用大体积的无源低通滤波器很不方便。图１整个电路的布局很小,其中包括一个ＳＯＴ－２３的晶体管ＦＭＭＴ６１９ＣＴ,一个紧缩型的ＳＯ－８运算放大器ＴＬＣ４５０１ＣＤ和一些无源器件,最大电容是１０μＦ,电阻选用０．１Ｗ功率的。所以在便携式产品,例如蜂窝电话和多媒体笔记本电脑等方面应用很方便。 如图所示的电路可以接受Ｖｃｃ在４．… 相似文献
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ＣＭＯＳ低噪声、低漂移、低失调运放是为＂心电图机专用集成电路＂而设计的，要求具有高输入阻抗、高ＣＭＲＲ、低漂移、低失调、尤其是低的１／ｆ噪声。ＣＭＯＳ器件与双极型器件和ＪＦＥＴ器件相比，通常有较大的１／ｆ噪声电压。由于采用特殊的设计技术，使我们研制的ＣＭＯＳ运放具有较低的１／ｆ噪声，且功耗较低。经研制及投片，实例得０．０５Ｈｚ～２５０Ｈｚ等效输入噪声电压峰峰值小于２．５μＶ，±２．５Ｖ到±１０Ｖ电源电压下输入失调小于１ｍＶ，共模抑制比１１０ｄＢ以上，完全达到设计指标。该运放可广泛用于生物医学电子学及其他需要低噪声运放的场合，在±２．５Ｖ工作时亦可作为微功耗运放使用。 相似文献
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在小信号Ｓ参数基础上，提出了一种宽带优化方法，设计了宽调谐、低相噪ＧａＡｓＦＥＴＶＣＯ。用该方法设计的Ｃ波段ＧａＡｓＦＥＴＶＣＯ用变容二级管调谐，其电压调谐范围在０～１５Ｖ，在调谐带宽为５００ＭＨｚ范围内ＶＣＯ的调谐线性度为１：１．５，带内相位噪声优于－８２ｄＢｃ（偏离１００ｋＨｚ处）输出功率大于２０ｍＷ，功率起伏小于±１ｄＢ。 相似文献
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同步、附加绕组的电感器输出可提供非常有效的准稳压源，这可以做为低噪声应用对地的参考或加到另外的输出上改进稳压和降低纹波电流。这是一项理想的技术，适合对带或不带后稳压的低噪声音频电路供电。如电路所示．附加绕组１０μＨ电感使５Ｖ输出能增加７Ｖ．产生准稳压１２Ｖ、２００ｍＡ电源。０．０１μＦ电容器使下面的ＭＯＳ－ＦＥＴ栅极信号电平移位．以驱动ＩＲ－ＬＬ０１４同步ＭＯＳＦＥＴ它也可以在输出电感上再增加一个以上的次级绕组，以便再得到一个以上的输出。某些制造商提供附加绕组电感做为标准产品，可大批量供货。Ｌｉ… 相似文献
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本文叙述基于０．１８μｍＣＭＯＳ工艺的１０ＧＨｚ时钟恢复电路的核心电路采用了辅以ＰＬＬ的注入同步窄带环形压控振荡器（ＩＳＮＲ－ＶＣＯ,ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ－ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚｅｄ ｎａｒｒｏｗｂａｎｄ ｒｉｎｇ－ＶＣＯ）。模拟结果表明,该电路能够工作在１０ＧＨｚ频率上,注人信号峰值０．４２Ｖ时,同步范围可以达到３６０ＭＨｚ。 相似文献
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利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法,测试分析了在周期性电场应力下ＦＬＯＴＯＸＭＯＳ管隧道氧化层中陷阱电荷的特性,为研究陷阱电荷对ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ 阈值电压的影响提供了实验依据。在＋ １１ Ｖ、－ １１ Ｖ 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为－ １．８×１０１１ ｃｍ － ２和－ １．４×１０１１ ｃｍ － ２,平均俘获截面分别为５．８×１０－ ２０ ｃｍ ２ 和７．２×１０－ ２０ ｃｍ ２,有效电荷中心距分别为３．８ ｎｍ 和４．３ ｎｍ ,界面陷阱电荷饱和密度分别为６．５４×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １和－ ３．８×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １,平均俘获截面分别为１．１２×１０－ １９ ｃｍ ２ 和４．９×１０－ １９ ｃｍ ２。 相似文献
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１ＰＣＭ１６００Ｙ的主要特性ＰＣＭ１６００Ｙ是美国Ｂｕｒｒ－Ｂｒｏｗｎ公司于１９９９年１０月正式宣布推出的高性能单片六声道音频ＤＡＣ,广泛用于Ａ级ＤＯＬＢＹ－ＤＩＧＩＴＡＬ解码器、ＤＴＳ解码器、数字ＡＶ功放、带ＡＣ－３,ＤＴＳ,ＭＰＥＧ多声道音频解码的ＤＶＤ、ＤＶＢ等领域。ＰＣＭ１６００Ｙ的主要特性包括：２４ｂｉｔ分辨率可接受１６／１８／２０／２４ｂｉｔ字长的输入音频数据动态性能优异（Ｖ_ｃｃ＝５Ｖ时）动态范围ＤＲ：１０５ｄＢ（典型值）信噪比ＳＮＲ：１０５ｄＢ（典型值）ＴＨＤ＋Ｎ：０．００１５％… 相似文献
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ＴＣ－Ｄ５Ｍ录音机伺服电路分析信故障处理范占国（中央人民广播电台１００８６６）１伺服电路的分析图１电机转动检测器ＴＧ系统图１为ＴＣ－ＤＳＭ录音机的电机转动检测器ＴＧ系统。当电机两端加１．ＳＶ直流电压，电机转动、电机主轴带动橡胶飞轮及主导轴转动、主导轴... 相似文献
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为了实现５０～５００Ｖ的击穿电压范围，本文详细讨论了６Ｈ－ＳｉＣ和３Ｃ－ＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ的漂移区性质。利用这些数据计算了器件的输出特性，并与Ｓｉ器件做了比较，结果表明，由于其漂移区电阻非常低，故５０００ＶＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ在室温下能够处理１００Ａ／ｃｍ＾２的导通电流密度，正向压降仅分别为３．８５和２．９５Ｖ。这些数值甚至优于Ｓｉｐｉｎ整流器和门可关断晶闸管。这 相似文献
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诸如白炽灯、粘滞性负载电机（负载与速度成正比）等的阻抗在启动期间呈非线性状态增加,启动峰值电流相当大,这对负载和与之相串联的限流ＭＯＳＦＥＴ产生很大的冲击。为了减小启动期间的峰值电流,保护负载和与之相串联的限流ＭＯＳＦＥＴ,减少耗费,本文给出了一种固体软启动开关控制电路,可有效地减小峰值电流。１． 电路结构图１所示固体软启动开关控制电路包括：ＭＯＳＦＥＴＴ１～Ｔ４、运算放大器ＯＰ、比较器ＣＰ、逻辑电路、电压倍增电路、电阻Ｒ１、第一个电压参考源Ｖｒｅｆ１和第二个电压参考源Ｖｒｅｆ２。非线性负载（例… 相似文献
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本文介绍用新型功率器件ＶＭＯＳＦＥＴ研制的输出直流２４Ｖ、１０Ａ开关电源。该电源与双极型功率管开关电源相比，效率进一步提高，体积、重量进一步减小，电路大为简化，可靠性大大提高。与双极型功率管相比，ＶＭＯＳＦＥＴ具有两大突出优点：１）开关速度极快，可以在几ｎｓ到几十ｎｓ的时间内开关几Ａ到几十Ａ的电流，比同功率双极型开关管快１～２个数量级；２）ＶＭＯＳＦＥＴ为电压控制器件，几乎不需要驱动电流。因此，用ＶＭＯＳＦＥＴ代替双极型功率管可使管耗进一步下降、效率进一步提高；集成块可直接驱动，使驱功电路非常简单而可靠，功耗、体积也相应减小。有效地克服了双极型开关电源的缺点。 相似文献
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MattShindier 《电子产品世界》1996,(7)
这一电流源充电器可以提供２．５Ａ电流，效率高达９６％（图１）。它可用交流适配器供电，或者直接用汽车电池供电。通过检测被充电的电池高端的电流，它可保持汽车地回路系统的低阻抗。该充电器可处理５～１５个电池的电池组．其输入电压可以从２８Ｖ－直到高于全充电电池的１．５Ｖ。充电电流是由电流方式反向调节器控制器ＩＣ１产生的，而ＩＣ１则由外部电源开关（Ｑ１）和同步整流器（Ｑ２）控制。两者都是ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ，其低导通电阻（与ｐ沟道型相比）使该电路具有很高的效率。ＩＣ包括一个电荷泵，为ＱＩ产生所需的正栅极电… 相似文献
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飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为２００Ｖ的功率ＭＯＳ－ＦＥＴ器件。这种“硅ＭＡＸ”器件采用沟槽ＭＯＳ工艺,兼有大功耗和快速开关速度的性能,其１００－２００Ｖ的额定电压来源于ＤＭＯＳ功率ＭＯＳＦＥＴ。这种新器件在开关型功率源,ＤＣ／ＤＣ转换器以及负载开关应用方面,特别具有吸引力。 新的功率ＭＯＳＦＥＴ的低开态电阻是利用大量制作在硅芯片上的小ＭＯＳＦＥＴ单元并联获得的。在给定硅片上,由于减小了单元的尺寸,增加了单元了数目,从而降低了开态电阻。但单元间距离变近,使单元之间产生相互… 相似文献