电子束曝光技术发展动态

电子束曝光技术是近三十年来发展起来的一门技术,主要应用于0.1～0.5 μm的超微细加工,甚至可以实现纳米线条的曝光.文中重点介绍电子束曝光系统、电子束抗蚀剂以及电子束曝光技术的应用.     

电子束曝光技术发展概况

电子束曝光技术是近30年来发展起来的一门新兴技术,它集电子光学、精密机械、超高真空、计算机、自动控制等近代高新技术于一体,是推动微电子技术和微细加工技术进一步发展的关键技术之一,电子束曝光技术已成为一个国家整体技术水平的象征。先进的电子束曝光机主要用于0.1～0.5微米的超微细加工,甚至可以实现纳米线条的曝光。电子束曝光技术广泛地应用于高精度掩膜、移相掩膜及X射线掩膜制造;新一代集成电路的研究及ASIC的开发;新器件、新结构     

电子束曝光机工作台的结构分析

微细加工技术是微电子工业的基础。电子束曝光技术的发展使微细加工技术跨入新时代,现将国外有代表性的几家主要公司电子束曝光机工作台的结构分析如下。     

扫描电子束无显影光刻技术

扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术.它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点.但是电子束光刻过程,一     

纳米级电子束直写曝光的基础工艺

电子束光刻技术具有极高的分辨率，其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力。本重点对不同的抗蚀剂、电子束／光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究。     

纳米级电子束直写曝光的基础工艺

电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.     

纳米级电子束直写曝光的基础工艺

电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.     

扫描电子束无显影光刻技术,

<正> 扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术.它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点.但是电子束光刻过程,     

高能电子束曝光技术研究

介绍了将商用透射电镜JEM—2000EX改造为高能电子束曝光系统的研制工作，在现阶段研制工作的基础上进行了曝光实验。结果表明，利用此高能电子束曝光系统可以制备出纳米线条，并且能够制备出具有高深宽比的微细结构，从而为微小器件的加工提供了新的方法。     

电子束纳米加工技术研究现状

纳米科学技术是８０年代后期发展起来面向２１世纪的高新技术，纳米加工技术是制造量子微结构的主导技术。电子束纳米加工推动着微细加工技术的研究向着分子、原子量级的纳米层次发展。本文重点介绍电子束纳米曝光技术的研究现状及发展前景。     

高斯电子束曝光系统

电子束光刻技术是纳米级加工技术的主要手段,在纳米器件加工、掩模制造、新器件新结构加工中扮演举足轻重的角色。虽然现在最先进的电子束聚焦技术可以得到几个纳米的电子束斑,但是由于邻近效应问题,依然很难使用电子束光刻技术得到接近其理论极限的纳米尺度图形,对电子束曝光系统的基本原理及其邻近效应校正技术进行了研究,并得到一些比较理想的曝光结果。     

远紫外线复印装置

<正> 属微细加工技术的离子束曝光法及电子束曝光法是在真空中处理试料的,它做为平坦而厚的掩模制造方法逐步为人们所认识。把图形光刻在硅片上,其光刻方法正从以往采用的紫外线接触光刻或接近式光刻向缩小投影曝光或反射投影曝光方向转变。您想找到一种适于批量生产的微细图形复印的理想方法吗?笔者认     

东芝采用新的电子束扫描技术制成0.25μm图形

<正> 东芝采用在整个片子上先进行弱的曝光,然后再进行电子束扫描的方法,研制了形成0.25μm微细图形的技术,该技术使接近效应大幅度降低,能形成高精度的图形。他们认为该技术甚至可以在64M位存贮器中应用。他们先用高电压电子束对片子预先进行弱的、均匀的曝光,然后照射电子束使描绘出实际图形。在这个方法中,由于接近效应而产生的显影时间的差比过去的电子束照射法要小得     

提高光学显微镜测量亚微米栅宽精度的探讨

目前,我所制备的场效应器件光掩模版中,栅版上栅条的宽度已趋于亚微米级而近乎可见光的波长,如何对这样微小的尺寸进行比较高精度的测量是一个重要而又困难的问题,在进行超微细加工时必须引起足够的重视。日本“超大规模集成电路微细加工技术”一书的著者甚至在文章里声称:“电子束与其用来进行微细图形加工,倒还不如首     

充满活力的光学微细加工技术

本文简要评述了近年来国外光学微细加工技术的最新进展。常规光学曝光己可满足16MDRAM生产的要求;准分子激光曝光有能力实现64M甚至256MDRAM生产;宽带步进扫描曝光机和激光图形制作系统也在集成电路制造中显示了强大实力。九十年代仍将是光学微细加工技术继续占居主导地位的时代。     

电子束光刻技术与图形数据处理技术

介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转换技术以及电子束邻近效应校正图形数据处理技术。重点推荐应用于电子束光刻的几种常用抗蚀剂的主要工艺条件与参考值,同时推荐了可以在集成电路版图编辑软件L-Edit中方便调用的应用于绘制含有任意角度单元图形和任意函数曲线的复杂图形编辑模块。     

电子束曝光机(一)

为了宣传和普及微细加工技术方面的知识,本刊应读者的要求,从今年一期起增辟微细加工技术讲座专栏。本期发表的《电子束曝光机》一文是该文译者在英国剑桥大学进修期间,根据美国科学出版社出版的《Electron—BeamTechnology in Microelectronic Fabrication》一书第三章”ElectronBeam Lithography Machine”中的内容编译的。该文详细地介绍了电子束曝光机的结构、主要功能和有代表性的光棚扫描、矢量扫描及变形束机的工作性能、设计方案以及作图模式等,对希望了解电子束曝光技术的人员,对已具备电子束曝光技术初步知识而又想进一步掌握机器原理、操作、设计考虑和发展动向的人员,是一份较好的学习教材,对从事这类机器研制的人员也很有参考价值。本刊将分期连续予以登载。     

电子束曝光控制软件系统设计与实现

电子束曝光系统作为复杂半导体加工设备,需要功能强健的控制软件系统来保证其正常运行.介绍了具有自主版权的EB(electron beam)writer电子束曝光控制软件系统,它由版图绘制模块、对准控制模块和曝光控制模块组成,利用VC 6.0开发环境实现.实验结果表明.该软件系统可实现微光刻及微纳加工版图的绘制编辑和电子束曝光全过程的控制,且具有可扩展性,特别适用于各种由电子显微镜升级改造的电子束曝光系统.     

线宽0．15μm曝光技术

日本电气公司开发了制造1Gbit以上的大容量DRAM所需要的刻线宽0.15μm的超微细曝光技术,采用紫外线作为光源使用 ArF激光器不依赖于电子束曝光和X射线曝光也能确保产量.今后还打算作为实用技术进一步发展,提高感光材料的性能和改善曝光装置.     

数字定位高速运动工作台

<正> 自六十年代初剑桥大学A.N.Broers在第六届三束国际会议上发表了可以利用电子束进行微细加工的理论和实验之后,68年美国OKeeffe等人提出采用电子束投影成像曝光法制作集成电路。到70年代中期,只短短十几年,电子束微细加工已经从诞生、成长走向成熟阶段。在这段过程中,曾经突破了几项关键技术。比如用L_aB_6提高电子枪的亮度;提高电子束的扫描速度;提高工件台定位精度和扫描速度;改变束斑形状等。其中,研究数字定