钴纳米线阵列的制备和磁性

在具有纳米孔洞的氧化铝模板上 ,用电化学的方法制备了钴纳米线有序阵列 ,磁性测量显示易磁化方向平行于纳米线 ,矫顽力较块材有很大提高 ,可作为垂直磁存储介质 ,理想的存储密度高达 2 .6× 10 10 /cm2     

聚苯胺纳米线阵列的电化学组装研究

利用二次氧化法制备了多孔阳极氧化铝模板,通过控制电位聚合技术在阳极氧化铝模板内组装了聚苯胺纳米线阵列。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和能谱仪等检测技术对填孔过程和阵列的形貌、结构进行分析和表征。结果表明,苯胺在纳米孔中的聚合过程经历四个阶段,填孔终止时间控制为第二阶段结束时间。阳极氧化铝模板中苯胺聚合适宜的电位为1.0V,pH为2.5。聚苯胺纳米线的直径均匀,约为70nm,与模板孔径基本一致,为非晶结构。     

控电位法制备CdSe纳米线阵列及其性能研究

以SeO2为硒源,以阳极氧化铝为模板,采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析,确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成,并分析了其沉积机理。在此基础上,以阳极氧化铝为模板,通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X-射线衍射对所制备的材料进行了形貌和结构表征。扫描电镜形貌分析表明,CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一;直径约100 nm,与模板孔径一致。X-射线衍射测试表明,所制得的CdSe纳米线为立方晶型。光电性能测试表明,CdSe纳米线阵列电极的开路电位差值为324.8 mV,高于CdSe薄膜(125.5 mV);光催化降解罗丹明B测试表明,5 h后,CdSe纳米线的降解率达94.29%,强于CdSe薄膜(52.03%)。     

基于金属材料和石墨烯修饰电化学传感器检测抗坏血酸

抗坏血酸(AA)也被称为VC、维生素C,作为水溶性还原性维生素,广泛存在于植物、动物和人体内,对新陈代谢过程至关重要.是维持机体正常生理功能的重要维生素之一,抗坏血酸(AA)的缺乏或失调与许多疾病相关但人体不能自身合成,只能从外界摄取,因此,开发设计一种可以检测低浓度抗坏血酸的方法具有重要的理论价值和应用价值.本文综述...     

碳纳米管修饰电极测定对乙酰氨基酚和抗坏血酸的研究

本文的研究结果表明,碳纳米管修饰电极加快对乙酰氨基酚和抗坏血酸的电化学氧化。相比裸玻碳电极,碳纳米管修饰电极使PA的氧化峰负移113mV,电流增大3倍;AA的氧化电位负移126mV,电流增大4倍,且使PA和AA的氧化电位差达到344mV,PA和AA的氧化峰不再重叠,能够同时测定。PA和AA的检出限分别达到1.01×10-6mol.L-1和2.46×10-5mol.L-1。方法应用于药品的测定,结果满意。     

柠檬酸/多壁碳纳米管修饰电极电化学检测多巴胺和抗坏血酸

通过柠檬酸与多壁碳纳米管复合修饰玻碳电极得到新型电化学传感器,采用循环伏安法研究多巴胺和抗坏血酸电化学行为,并讨论了pH值、缓冲溶液、浓度和扫描速度等对多巴胺和抗坏血酸的影响。结果表明,在pH=6.80的磷酸盐(PBS)缓冲溶液中,修饰电极对多巴胺和抗坏血酸均有良好的电催化作用。多巴胺和抗坏血酸峰电流在浓度分别为1.00×10~(-6)~5.00×10~(-3)和1.00×10~(-4)~5.00×10~(-2) mol/L的范围内呈现良好的线性关系。柠檬酸/多壁碳纳米管(CA/MWNT)电极易制备,可望用于盐酸多巴胺注射液和维生素C药片的测定。     

聚苯胺复合修饰电极对抗坏血酸的电催化氧化

研究了聚苯胺/聚乙烯磺酸盐(PAn/PVS)复合修饰电极的制备及其在中性缓冲溶液中对抗坏血酸(AH2)的电催化性能.结果表明,该复合修饰电极对抗坏血酸具有良好的电催化作用,其催化氧化峰电位为80 mV,催化氧化的温度系数为2.62%/℃.在浓度为1.0×10-6～5.0×10-3 mol/L范围内,催化电流与抗坏血酸的浓度具有良好的线性关系.     

硅纳米线阵列电极作为细胞色素c传感器的研究

利用化学刻蚀法由p型硅片制备了硅纳米线阵列,经过表面去氧化层处理后,制备了检测蛋白质细胞色素c的电化学传感器.实验表明,硅纳米线阵列电极对细胞色素c有良好的电化学响应,并且在低浓度条件下具备线性响应的特点.根据与未经表面处理的硅纳米线阵列电极的实验结果相对比,提出了细胞色素c所具备的羧基末端与硅纳米线阵列电极表面的Si-H相互作用从而改善传感性能的检测机理.     

Ni_(79)-Fe_(21)合金纳米线的电化学制备与表征

以多孔氧化铝为模板,采用控电位沉积方法制备了Ni-Fe纳米线及其阵列。能谱分析表明,纳米线组成为Ni79-Fe21。X-射线衍射测试表明,Ni-Fe纳米线呈面心立方Ni固溶体结构。磁滞回线测试表明,控电位制备的Ni-Fe纳米线阵列具有良好的软磁性能,500℃退火处理后,Ni-Fe合金纳米线具有硬磁性。     

基于L-半胱氨酸/壳聚糖修饰的L-抗坏血酸电化学传感器的研究

通过将壳聚糖和L-半胱氨酸修饰到玻碳电极基底表面,制备了一种新型的电化学传感器,并将此传感器应用于对L-抗坏血酸的测定。通过循环伏安法和交流阻抗法对该传感器的电化学特性作了表征。通过线性伏安实验发现:L-抗坏血酸的氧化峰电流与其浓度在1.0×10-5~2.0×10-3mol/L范围内成良好的线性关系,检出限为4.3×10-6mol/L,且该传感器具有良好的重现性和稳定性,并将此传感器成功应用于对维生素C药片中L-抗坏血酸含量的检测。     

多壁碳纳米管/磷钼酸修饰电极对抗坏血酸的电催化作用

制备了GC/MWNTs/PMo12O340-修饰电极,研究了其在硫酸溶液中的电化学行为,采用循环伏安法研究了修饰电极对抗坏血酸的电催化特性。结果表明,该修饰电极在硫酸溶液中的电化学行为是表面控制过程。抗坏血酸的浓度在3×10-3～1×10-2mol/L范围内,催化电流与抗坏血酸的浓度呈现良好的线性关系,该修饰电极具有较好的稳定性。     

抗坏血酸在dsDNA修饰玻碳电极上的电催化氧化

制备了双链和单链DNA修饰的玻碳电极,并且比较了抗坏血酸在裸电极和DNA修饰电极上的电催化性能,同时研究了扫描速度、pH对抗坏血酸在双链DNA修饰电极上的氧化性能的影响,计算了电子转移系数。     

二茂铁桥联聚倍半硅氧烷修饰电极测定抗坏血酸

以1,1′-双[2-（三乙氧基硅基）乙基]二茂铁单体及正硅酸乙酯为前驱物,经溶胶-凝胶过程制备了二茂铁功能化的聚倍半硅氧烷修饰电极,并将该修饰电极用于抗坏血酸（H2A）的电催化氧化测定。在pH=8．0的0．1mol·L-1 NaClO4-H3PO4缓冲溶液中,氧化峰峰电流和H2A浓度呈良好线性关系,动态线性范围2．0×10-5～1．0×10-3mol·L-1,相关系数为0．904,检测限为1．3×10-5mol·L-1。     

AAO模板法自组装磁性纳米线阵列及其超顺磁性

高纯铝片在草酸溶液中经直流2次阳极氧化,得到多孔氧化铝(AAO)模板。通过扩孔、缩孔和脱模实现对模板的性能优化。通过交流沉积的方法,在AAO模板内自组装Fe磁性纳米线,形成Fe纳米点阵。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)图像分析表明,纳米线粗细均匀,长径比约为100。单根Fe纳米线的TEM衍射花样表明其具有单晶结构。振动样品磁强计(VSM)对纳米线的宏观磁性测量可知Fe纳米线的易磁化方向均沿线长轴方向,Fe的退磁场计算表明阵列中纳米线之间存在着磁相互作用减小了退磁场的作用。Fe纳米线阵列的Mossbauer谱表现出超顺磁性,可能是来源于组成纳米线的小晶粒的超顺磁性。     

复合纳米材料修饰电极检测抗坏血酸与亚硝酸根

制备了石墨烯(GO)与碳纳米管(MWNT)复合材料修饰玻碳电极,在浓度为0.1 mol/L、p H为5.5的磷酸缓冲溶液(PBS)中,探讨了抗坏血酸(AA)和亚硝酸根(NO-2)在石墨烯与碳纳米管复合材(GO-MWCNTs)料修饰玻碳电极上的电化学行为。结果表明,抗坏血酸和亚硝酸根在该修饰电极上氧化电流可得到明显增强。利用计时电流法测定抗坏血酸与亚硝酸根,抗坏血酸和亚硝酸根氧化电流呈线性关系的浓度范围分别为3.00×10-6~4.06×10-3mol/L和7.44×10-5~3.28×10-3mol/L。     

聚ABSA修饰电极对多巴胺、抗坏血酸、尿酸的同时测定

采用电聚合的方法制备了聚对氨基苯磺酸修饰电极（pABSA/GCE）,并采用循环伏安法和线性扫描方法分别对多巴胺（DA）,抗坏血酸（AA）,尿酸（UA）以及三者的混合液进行了测定,研究了该修饰电极的电化学行为。结果表明,pABSA/GCE对AA,DA,UA有良好的电催化作用。在混合液的测定中,三者可以很好的分离,AA-DA、DA-UA、AA-UA的峰电位差分别为265 mV,146 mV和411 mV。该pABSA/GCE修饰电极既用于混合液中AA、DA和UA的分别测定也可以用于三者的同时测定,电极重现性和稳定性良好。     

NiO-MWCNT修饰热解石墨电极的电化学行为研究

采用滴涂法将适量碳纳米管修饰到热解石墨电极上,后电沉积纳米氧化镍得到MWCNT/NiO/PG复合修饰电极。研究了它的电化学行为,并用于抗坏血酸的测定。试验表明,在pH=6的磷酸盐缓冲溶液中,抗坏血酸在修饰电极上产生一灵敏的氧化峰。当抗坏血酸的浓度在1.0×10-5～5.0×10-4 mol/L时,氧化峰电流与浓度呈线性关系,线性方程为:I(uA)=-0.4458-0.5922C(mmol/L),相关系数为R=-0.9989。检出限低至5.5×10-7 mol/L。该传感器重现性、稳定性、抗干扰性良好。     

CoPt_3纳米线阵列的制备及特性研究

在具有纳米级孔洞的多孔氧化铝模板上,用电化学方法成功地制备了CoPt3纳米线有序阵列复合膜。分别用透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和SQUID对样品进行了测试与表征。形貌观察和物相分析表明,模板中的CoPt3纳米线构成的阵列,排列均匀有序,长约1.5微米,直径35纳米;而纳米线中的CoPt3为L12无序结构。磁性研究表明,纳米线的无序晶体结构决定了纳米线阵列弱的磁晶各向异性;同时纳米线中部分小晶粒在400K左右表现出顺磁性,导致纳米线阵列居里温度的下降。比较低温和室温下的磁滞回线,低温下有大的矫顽力,从另一方面证明纳米线中的小晶粒确实存在相转变。