英飞凌全新MOSFET系列

英飞凌科技股份公司（FSE／NYSE：IFX）近日宣布推出三个全新的功率半导体系列,进一步丰富广博的OptiMOSTM3N沟道MOSFET产品组合。OptiMOS340V、60V和80V系列可在导通电阻等重要功率转换指标方面提供业内领先的性能,使其能够在采用标准TO（晶体管外形）封装的条件下,降低30％的功耗。OptiMOS340V、60V和80V系列具备较低的开关损耗和导通电阻,与其他竞争性解决方案相比,可增加高达30％的功率密度,使相关应用的组件数降低25％以上。     

英飞凌推出全球最低通态电阻OptiMOS 3系列

英飞凌科技股份公司近日推出采用SuperSO8和S308(Shrink SuperSO8)封装的40V、60V和80VOptiMOSTM3全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO(晶体管     

英飞凌推出200、250VOptiMOSTM系列器件

英飞凌科技股份公司宣布推出200、250VOptiMOSTM系列器件,进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200、250V器件适用于48V系统、DC／DC变换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动。凭借同类器件中最低的优质化系数（FOM）。OptiMOS200、250V技术可使系统设计的导通损耗降低一半。     

抗高压动态导通电阻退化的高性能GaN功率开关器件研究

GaN功率开关器件界面态和缓冲层中深能级陷阱会导致高压电流坍塌和动态导通电阻退化.为提升高性能GaN功率开关器件抗高压性能,改善动态导通电阻退化能力,应采用极值性PEALD-AlN钝化技术设计高压状况下GaN功率开关器件,实现单片集成器件的目的,在去氧化层和氮化处理GaN功率开关器件表面后,采用高温LPCVD-SiNx...     

安捷伦率先推出适用于功率电路设计的功率器件分析仪

正仪器表征全部功率器件参数-Ron、漏电流、Ciss、Coss、Crss和栅极电荷2014年5月13日,北京——安捷伦科技公司(NYSE:A)日前宣布推出业界首款适用于电路设计的功率器件分析仪Agilent B1506A。B1506A能够在不同工作条件和-50℃~+250℃温度范围内对功率器件参数进行全面自动表征,覆盖高达1 500A和3kV的电流和电压范围。功率器件广泛应用在电子产品设计中,因此电路设计人员必须要全面、精确地了解功率器件在不同工作条件下的性     

IR推出采用PQFN封装的20V、25V及30V MOSFET,适用于ORing和电机驱动应用 IRFH6200TRPbF具有业界最低导通电阻

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)日前推出一系列新型HEXFET功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(R_(DS(on)))的IRFH6200TRPbF。