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我们用射频辉光放电分解(CH4+SiH4)在单晶硅和玻璃衬底上制造非晶碳硅合金膜。通过红外吸收、光吸收、暗电导率和光电导率的测量给出了化学组分、光学带隙、红外光谱、暗电导率、光电导率、掺硼的影响和退火特性。 相似文献
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钱祥忠 《真空科学与技术学报》2001,21(3):254-257
用等离子体增强化学气相沉积法制备了厚为1μm左右的B轻掺杂a-Si∶H光电导层,得到了a-Si∶H的暗电导率与淀积工艺参数和B掺杂比关系的实验曲线,利用该曲线确定了最佳工艺参数和最佳掺杂比。测量了最佳参数下淀积的a-Si∶H薄膜的电学和光学性能及其受掺杂比的影响。结果表明,当B掺杂比增大时,a-Si∶H的暗电导率先减小后增大,并可发生几个数量级的变化。光电导率减小,折射率略有降低,线性吸收系数显著增大,光学带隙减小。测量的数据表明,我们制备的B轻掺杂a-Si∶H光电导层满足投影机用液晶光阀的要求。 相似文献
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硼轻掺杂对a—Si:H光电导层性能影响的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用等离子体增强化学气相沉积法制备了厚为1um左右的B轻掺杂a-Si:H光电导层,得到了a-Si:H的暗电导率先减小后增大,并可发生几个数量级的变化,光电导率减小,折射率略有降低,线性吸收系数显增大,光学带隙减小,测量的数据表明,我们制备的B轻掺杂a-Si:H光电导层满足投影机用液晶光阀的要求。 相似文献
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两类a-Si:H膜的测量表明:高温样品的光电导较大;低温样品的光暗比较大,г值接近1,瞬态响应速度较快。光电导性的差异决定了它们的应用场合的不同。高温样品适合作太阳电池材料,而低温样品适合作光电检测器件材料。不顾应用场合而片面强调光暗比的重要性是不妥当的。以光暗比的大小来评论a-Si:H膜的质量,这是很值得研究的。我们认为对于一些重要的应用场合,光暗比甚至不是重要参量;因为存在着光电导性不同的两类薄膜,它们适于 相似文献
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术,在玻璃和硅衬底上沉积微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼光谱、AFM和电导率测试对不同射频功率下沉积的薄膜的结构特性及光电性能进行分析。研究表明:随着射频功率的增加,薄膜的晶化率和沉积速率也随之增加,而当射频功率增加到一定的程度,晶化率和沉积速率反而减小。薄膜的暗电导率与晶化率的变化情况相对应。 相似文献
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本文着重对微波等离子体化学气相沉积法高速沉积的 a-Si∶H 膜的物理性能进行评价研究.测量了沉积膜的光电性能、暗电导激活能、光禁带宽度、光吸收特性、沉积膜中悬键态密度以及氢含量等,并讨论沉积条件对膜性能的影响.结果表明,在沉积速率高达30~90(?)/s 情况下,膜的光电导(光照强度10~5Lux)与暗电导比值可达10~3~10~5,暗电导率从10~(-3)到10~(-11)((?)cm)~(-1),其激活能在0.23~0.88eV 之间(0~200℃温度范围内),光禁带宽度为1.40~2.20eV,氢含量约为2~20%. 相似文献
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以SiCl4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜.薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1. 相似文献
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一、前言在光的照射下,物质能产生载流子(自由电子或空穴)的现象称为光电效应。能使物质的电导率增加的这种光电效应叫作内光电效应,或称为物质的光电导性。由于高分子材料具有透明性、无粒子性、可熔性、可成膜性及可弯曲性等特点,因此多年来人们对高分子光电导性材料的研究就产生了兴趣。 相似文献
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利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜.为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化.Raman光谱和电导率测试结果表明:(1)在实验选取的参数范围内,衬底温度是影响薄膜暗电导率和晶化率的最主要因素,其次是氢稀释比,硼烷掺杂比的影响相对较小;(2)通过正交优化,获得了暗电导率为2.05S·cm-1、晶化率为86%的p型微晶硅薄膜. 相似文献
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PLD法生长高质量 ZnO薄膜及其光电导特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加,ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得到显著改善.优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀.以不同暗电阻的ZnO薄膜为材料,利用剥离(1ift-off)技术制备了MSM结构ZnO光电导型紫外探测器.紫外光照射前后的I-V特性测试表明ZnO薄膜产生非常明显的光电导现象,分析了其光电响应机理. 相似文献
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有机太阳电池(OPVs)和有机发光二极管(OLEDs)的阴极界面通常由有机小分子、聚电解质以及低温溶胶-凝胶法加工的金属氧化物(最常见的为ZnO)制备而成,由于这些材料导电性不佳使光电器件中阴极界面薄膜厚度限制在30 nm以下,给大面积生产提出了苛刻要求。有机-无机杂化的光电导材料是近来提出的有效提高阴极界面材料电导率的新策略。有机分子具有较高的消光系数,能够在低掺杂浓度下高效吸收可见光,而金属氧化物具有较高的电子迁移率,从有机分子到金属氧化物的光致电子转移能够有效填充金属氧化物中的电子陷阱(缺陷),同时大幅度增加金属氧化物中的载流子密度,因而,这种有机-无机杂化的电极修饰材料具有优异的光电导性能。最近,报道通过掺杂一类苝酰亚胺光敏剂到无定形ZnO薄膜中,显著提高ZnO薄膜在光照下的电导率,解决了ZnO薄膜电导率低的科学问题。将这种杂化的光电导材料用于OPVs与OLEDs器件中,显著提高了器件性能,同时大幅度降低了电极修饰薄膜厚度对器件性能的影响,为大面积器件的快速制备提供了有利条件。 相似文献
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采用可与Si平面工艺兼容的特殊设计的化学气相沉积系统在玻璃衬底上制备了大面积的纳米Si薄膜。高分辨率电子显微镜和选区电子衍射分析表明,成膜温度对薄膜微结构有关键影响,衬底温度的升高促进了薄膜晶态率的提高和Si晶粒的篚。660℃成膜时非晶Si薄膜基体中镶嵌了尺寸为8-12nm,晶态率为50%的纳米Si晶粒,具有明显的纳米Si薄膜微结构特征。用变温薄膜暗电导率测试系统研究表明,随成膜温度的升高,薄膜的晶态率提高、室温暗电导率提高而相应的电导激活能降低,用热激活隧道击穿机制解释了纳米Si薄膜微结构与特殊电学性能的关系。研究了原位后续热处理对薄膜微结构和电学性能的影响,发现延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法能有效提高纳米Si薄膜的晶态率,进而提高其室温暗电导率。 相似文献
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特种化学气相沉积法制备大面积纳米硅薄膜的微结构和电学性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用可与Si平面工艺兼容的特殊设计的化学气相沉积系统在玻璃衬底上制备了大面积的纳米Si薄膜.高分辨率电子显微镜和选区电子衍射分析表明,成膜温度对薄膜微结构有关键影响,衬底温度的升高促进了薄膜晶态率的提高和Si晶粒的长大.660℃成膜时非晶Si薄膜基体中镶嵌了尺寸为8~12nm,晶态率为50%的纳米Si晶粒,具有明显的纳米Si薄膜微结构特征.用变温薄膜暗电导率测试系统研究表明,随成膜温度的升高,薄膜的晶态率提高、室温暗电导率提高而相应的电导激活能降低,用热激活隧道击穿机制解释了纳米Si薄膜微结构与特殊电学性能的关系.研究了原位后续热处理对薄膜微结构和电学性能的影响,发现延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法能有效提高纳米Si薄膜的晶态率,进而提高其室温暗电导率. 相似文献
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纳米硅薄膜的低压化学气相沉积和电学性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用普通低压化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备了大面积的纳米硅薄膜。不同温度下薄膜暗电导率的测试研究表明,薄膜的室温暗电导率随成膜温度的升高而增加,相应的电导激活能降低。热激活隧道击空机制可以较好地解释纳米硅薄膜特殊的电学性能。原位后续热处理研究表明,延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法均能有效提高其室温暗电导率。 相似文献
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采用离子束溅射法在氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)和SiO2衬底上溅射<薄膜,测试了不同工艺制备的La0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜样品的XRD谱和电导率。分析了薄膜表面微结构以及电学性能。结果表明:在YSZ衬底上生长的La0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜随着热处理温度的升高取向增强,当薄膜经过750℃热处理后结晶度最好;各样品直流电导率在低温段的Arrhenius曲线近似为直线,表明材料的导电行为符合小极化子导电机制;交流电导率在低频段(<100kHz)电导率主要是靠晶界导电贡献的,而在高频区(>100kHz),样品对交流电响应更加明显,电导率主要是靠晶粒导电贡献的。 相似文献