硅双结型色敏器件蓝紫响应度的研究与改善

尝试选择不同的衬底材料、不同的工艺条件,以及合理的结构,来改善硅双结色敏器件的蓝紫光响应,并在此基础上制作了蓝紫响应较好的器件。通过测试与分析,得出采用单晶衬底材料、深结较浅工艺的N PN型器件蓝紫响应度较好的结论。     

双结型硅色敏器件的测试与分析

测试发现双结型硅色敏器件的两个结的输出电流与测试方法有关，对此进行了分析，并给出了正确的测试方法，对色敏器件的制作工艺提出了若干改进意见。     

硅双结色敏型器件波长测量中环境光影响的研究

为了提高基于硅双结型色敏器件波长测量系统在有环境光噪声时的测量精度,对该类型波长测量系统中的环境光影响进行了理论分析和实验研究.通过对不同峰值波长和光强的高斯函数环境光下传统方法波长测量精度的仿真分析表明,环境光与被测光峰值波长相差越大、光强比越大,则测量结果的误差就越大.进而提出了一种消除环境光影响的改进方法,即去除含噪光(包含被测信号光和环境光)中环境光引起的两结光电流以求得被测信号光的两路光电流及其比的对数,再根据定标光源的峰值波长与其光电流比的对数的对应关系,获得待测信号光的峰值波长.最后,在日光(DLI)和日光灯光(FLI)同时存在的环境光中对传统方法和改进方法进行了测量精度的对比实验,结果表明,改进方法能够有效地消除环境光对波长测量结果的影响,显著提高在有环境光噪声存在时的系统测量精度.     

基于硅色敏器件的单色光波长测量系统的设计

介绍了基于硅双结型色敏器件的单色光波长测量系统的硬件、软件设计.该系统以微处理器为控制单元、硅双结型色敏器件为探测器,实现了对单色光波长方便、快捷、准确的测量.     

色敏器件的研究进展和应用

介绍了色敏器件的结构、制作工艺、工作原理、信号处理电路的发展以及利用信息处理技术和集成电路技术实现智能化颜色探测的应用前景。提出了通过改进材料、工艺和结构来增强色敏器件蓝紫光响应的具体措施。     

钯／超薄氧化层／硅隧道二极管氢敏器件的研制

本文采用Ｐｄ／ＵＴＳｉＯ２／ｎ－Ｓｉ隧道二极管结构，研制出在室温下空气中，对１５０ｐｐｍ氢气反向电流改变１０倍以上的氢敏器件。     

ABO_3型厚膜酒敏器件的研制

采用厚膜技术研制了一种带有加热器的La_(1-x)Sr_xCo_(1-y)Fe_yO_3酒敏器件。介绍了器件性能测试结果,讨论了材料的气敏机理。     

高频有机聚合物SAW湿度传感器的研究

以双端口433.92 MHz的SAW谐振器(SAWR)为敏感元件,分别以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、磺基水杨酸(SSA)掺入PVP为敏感材料。对PVP掺杂前后湿度传感器的性能测试表明,沉积有PVP的SAWR感湿元件回复缓慢,可逆性差,而沉积SSA-PVP的感湿元件则表现出明显的可逆性,其响应速率和回复性明显均优于单一的PVP传感器,且响应频率与湿度表现出明显地线性相关性,其相关系数R可达0.996 21。     

Pressure‐Driven Eu2+‐Doped BaLi2Al2Si2N6: A New Color Tunable Narrow‐Band Emission Phosphor for Spectroscopy and Pressure Sensor Applications

A series of BaLi₂Al₂Si₂N₆ (BLASN): xEu²⁺ phosphors are successfully synthesized and their crystal structure and luminescence properties under varying hydrostatic pressures are reported herein. Structure variation is analyzed using in situ high‐pressure X‐ray diffraction and Rietveld refinements. Based on decay curves and Gaussian fitting of emission spectra, the presence of two photoluminescence centers is demonstrated. BaLi₂Al₂Si₂N₆: 0.01Eu²⁺ exhibits an evident peak position shift from 532 to 567 nm with an increase in pressure to ≈20 GPa. The possible factors and mechanisms for the variations are studied in detail. At a pressure of 16 GPa, BLASN: Eu²⁺ realizes a narrow yellow emission with a full width at half maximum of ≈70 nm. The addition of BLASN: Eu²⁺ (16 GPa) to the commercial white light‐emitting diodes combination consisting of an InGaN chip, β‐SiAlON: Eu²⁺, and red K₂SiF₆:Mn⁴⁺, can increase the color gamut by ≈15%, demonstrating the promising potential of pressure‐driven BLASN: Eu²⁺ for wide‐color gamut spectroscopy applications. Moreover, the emission shifts arising from pressure variation and the distinct color changes enable its potential utility as an optical pressure sensor; the material exhibits high pressure sensitivity (dλ/dP ≈ 1.58 nm GPa^?1) with the advantage of visualization.