日本第15届离子注入和亚微米加工会议简况

应日本大阪大学教授难波进的邀请,我所朱能通副所长和我参加了日本第15届离子注入和亚微米加工会议。会议于1984年2月1～3日在日本东京召开。会议由日本学术振兴会“带电粒子在工业方面的应用”第132委员会、日本应用物理学会以及东京理化研究所联合举办。它是日本国内有关半导体微细加工研究的全国性会议。每年一次,会议同时邀请外国从事这一领域研究的专家和学者参加。会议宗旨是介绍离子注入,电子     

微细加工工艺的现状及未来

近年来超大规模集成电路工艺技术的进步是惊人的,其中一部分成果发表在日本电子材料杂志1981年3月号专集上。现已研制成功2微米线对64 K的器件,并首次发表了利用电子束直接描绘出1微米线对256K和512K的器件,人们认为按这种趋势发展下去,发表1M的器件也为期不远了。前不久日本理化研究所举办了第12次“离子注入和亚微米加工”讨论会,来自全国的200多名研究者和技术人员会集在一起进行了热烈的研究和讨论,讨论的中心是有关超大规     

简讯

日本第十六届半导体专业讨论会 一九七八年日本半导体专业讨论会(主席是东北大学教授西泽润一)于8月19日──22日在山形县藏王温泉召开。会议由“半导体研究振兴会”等单位主持。至1978年已是第十六届了。参加这次讨论会的有64名代表(讲演者除外)。 本届讨论会的主题是“高性能、高集成度集成电路的半导体工艺”,也就是所谓超大规模集成电路工艺。下面介绍本届讨论会中颇感兴趣的一些议题。     

离子注入工艺简介

在过去的三十多年中，CMOS工艺的发展极大地推动了离子注入工艺的发展。反言之，离子注入工艺的不断成熟进一步改善了半导体产品的质量，尤其是CMOS产品的性能，当线宽进入亚微米后，离子注入在整个半导体生产中更成了不可或缺的一部分。     

超LS1共同研究所的亚微米图形剥离技术

日本超LS1技术研究组合共同研究所的直到0.25微米的线条与间隔图形,被选为划时代的剥离技术。为更进一步将此技术用于布线,所以也同时研制了金属化工艺,这些都在十二月举行的电子通信学会半导体与晶体管研究会上发表了。 剥离技术作为高精度加工方法是超LS1等的亚微米器件所不可缺少的技术。用以往的加工方法,由于部分剥离不成功     

第二届全国三束及超精细加工年会在常州召开

由中国电子学会生产技术学会、半导体与集成技术学会联合召开的第二届全国电子束、离子束、光子束及超精细加工学术年会于1982年10月27日至11月1日在常州举行。来自全国各地95个单位的282名代表参加了这次会议。会上共有174篇论文分别在6个专业组上宣读,另有51篇论文进行书面交流。美国橡树岭国家实验室B.R.Applton博士应邀到会作了半导体离子注入及激光退火的专题报告。     

最近的微细加工工艺及未来动向

近几年来,超LSI的工艺技术的进展是相当惊人的,我们打算将其成果的一部分发表于本刊。2微米规范的64K器件的研制业已大致完毕,现已开始发表1微米设计原则电子束直接扫描的256K器件和512K器件。我们认为若照这种趋势发展下去,发表1M位器件将为期不远了。 不久前,理化研究所主办召开了《离子注入和亚微米加工》第十二次讨论会。来自全国各地二百余名研究人员和技术人员,热烈地进行了讨论,发表了研究成果和讨论意见。这次讨论的中心是有关超LSI的工艺技术,发表了有关离子注入、激光退火和亚微米加工等40多篇学术论文。尤其是武藏野通讯研究所的大原省尔氏的特别讲演——《高集成化技术》有非常重要的参考价值。因为与本稿内容紧密相连,故引用其主要内容如下。     

第四届全国半导体物理学术会议在南京召开

<正> 第四届全国半导体物理学术会议于1983年11月27日至30日在南京召开.参加会议的有高等院校、研究所和工厂共66个单位189名代表. 李志坚教授向大会致开幕词.黄昆教授和谢希德教授分别作了题为“聚乙炔半导体”和“半导体物理的某些进展”的特约报告.聚乙炔的研究近几年来在国际上引起了极大的重视.黄昆教授的报告     

第九届国际微电路工程会议简况

第九届国际微电路工程会议已于1983年9月26—29日在英国剑桥大学举行,参加会议的代表有200多人。由英国剑桥大学的H.Ahmed,日本大阪大学的S.Namba,英国康纳尔大学的E.Wolf等七人组成会议的指导委员会。北京师范大学低能核物理研究所,科学院上海冶金所,电子工业部平涼半导体工艺设备研究所和长沙半导体工艺设备研究所都派代表参加了这次会议。     

迎接亚微米技术时代的到来

半导体与信息技术是实现未来技术革命、产业现代化和社会文明的先导技术,其基础是半导体器件与集成电路及集成传感器。要进一步提高现有半导体产品的性能水平,关键是实现亚微米、深亚微米加工技术。本文着重叙述了当前世界上亚微米技术的发展趋势。最后简要地分析了我国亚微米技术的现状和发展。     

第三届全国半导体物理会议

<正> 第三届全国半导体物理会议于1981年12月15日至19日在江苏省无锡市召开.出席这次会议的有领导部门、高等院校、研究所、工厂等66个单位的133名代表.大会共收到论文摘要180余篇,报告内容涉及电子态、表面、界面、输运现象、深能级杂质和缺陷、非晶态、半导体光学性质、器件物理、离子注入、激光退火和辐射效应等. 代表们认为,这次会议和第二届会议比较,有以下几个特点.表现在,半导体物理的研究面比以前     

第三届全国半导体物理学术会议

<正>第三届全国半导体物理学术会议于1981年12月15日至19日在无锡召开,这次会议是中国科学技术协会和中国物理学会共同组织的,复旦大学主办.黄昆、谢希德、汤定元、吴汝麟等我国半导体界著名教授,以及全国各高等院校、科学院研究所、工业部门研究所、工厂等66个单位共133名代表参加了会议.     

抓住机遇,努力开创材料加工设备新局面“半导体材料生长、加工设备新产品技术交流会”纪要

[本刊讯]由中国电子专用设备协会组织,信息产业部电子第四十五研究所承办的"半导体材料生长、加工设备新产品技术交流会"于5月26日在北京东燕郊经济技术开发区召开.我国半导体材料生长、加工企业和材料生长、加工设备生产厂共27家单位45名代表参加了会议.信息产业部基础产品司王勃华处长到会并就半导体产业的发展及现状作了发言.信息产业部电子第四十五研究所郭永兴副所长代表该所热烈欢迎与会代表并祝贺大会在其分所所在地召开,郭永兴副所长还对该所的近况及分所的发展情况向各位代表进行了介绍.     

从美日之争看微纳米半导体技术的研究与发展

美国与日本在微米半导体和纳米半导体领域的竞争由来已久。1986～1992年日本在微米半导体方面领先于美国,尤其在DRAM领域,NEC、东芝和日立成为世界最强的前三名半导体公司,日本成为世界头号半导体大国。1993年至今美国在亚微米、深亚微米半导体的竞争中战胜了日本,尤其在微处理器、微控制器、标准逻辑器件、闪存、PLD和模拟器件等领域,英特尔成为世界最大的半导体公司,美国再次登上世界半导体市场的头把交椅。近10年,日本在纳米半导体领域向美国挑战,日本在纳米技术的许多方面领先于美国,两国的竞争正处于白热化。     

半导体与微电子技术

本次会议由电化学协会主办,于1997年5月6日至8日在加拿大的蒙特利尔召开,本会议录收录会上发表的论文44篇,内容主要涉及适用于新的半导体器件材料特征分析的、器件制造加工有效性监视的和加工完成的半导体产品质量评价的诊断技术,亚微米器件研究用的波束和扫描探针技术以及光学测量和电测量等方面。     

前言

前言半导体集成电路（ＩＣ）和液晶显示器（ＬＣＤ），是以微细加工技术为支柱的当今两大热门产业。前者是以动态存储器（ＤＲＡＭ）为代表，具有人眼看不见的记忆功能的器件，加工线宽由微米、亚微米向纳米级发展，已形成“超微细加工技术”；后者是以薄膜晶体管液晶显示...     

第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会简讯

由中国电子学会生产技术学会“三束”专业委员会、半导体与集成技术学会超微细加工及“三束”学组联合召开的第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1984年11月2-5日在北京香山举行。来自全国各地的高等院校、科研单位、工厂共98个单位,258名代表参加了会议. 中国电子学会半导体集成技术学会主任委员王守武同志致开幕词,国务院电子振兴领导小组办公     

第三届全国激光加工学术交流会在武汉召开

会议于1993年5月16～18日在华中理工大学召开,来自全国高校、研究所及企业的54个单位的101位代表参加了会议。大会作了“激光微加工技术的发展”、“俄罗斯激光加工发展现状”、“德国激光加工发展现状”、“激光加工导光聚焦系统发展概况”及“高功率激光器光束质量及其对激光加工的影响”等五篇综述报告。然而分激光加工工艺、激光加工设备二个分会场进行交流,共交流论文80多篇。会议日程非常紧凑,每晚还分别召开了激光加工教学研讨会、产品信息发布会及中国激光产     

加强协作,互通有无

中国半导体行业协会和江苏省行业协会于1992年10月13日到16日,在江苏省无锡市召开了“全国半导体行业设备、工模具、备品配件调剂转让会”,参加大会的单位近70个,近百名代表。中国半导体行业协会理事长王洪金和副理事长蒋守雷主持了这次会议。参加会议的有江苏省半导体行业协会副理事长、江苏省电子厅副厅长施福桐,中国半导体行业协会副秘书长周绪文、于燮康,江苏省民政厅社团处处长李双耘等。会前行业协会和华晶集团公司做了大量的准备工作,清理了各单位上报的清单,分类整理出大量资料供与会代表参阅。     

甚大规模集成电路制造中的离子注入技术

本文总结了离子注入技术用于今后甚大规模集成电路(ULSI)时的部分研究结果,并讨论了在ULSI应用中离子注入技术可能遇到的实际问题及解决措施。就目前而言,已有的离子注入技术(包括离子注入设备系统)尚不能满足甚亚微米器件和电路制造的需要。今后的主要任务除了开发与离子注入技术相配套的其它半导体工艺设备和技术之外,必须要探索和研究具有更强加工能力(可加工φ75mm到φ200mm硅片)、性能更可靠(均匀性、重复性小于1％)、参数指标范围更宽(注入角度全方位可调且精确可控、束流可大于200毫安、注入能量从几百eV到几百keV)的新一代离子注入系统。