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1991年6月10日至14日,在美国波士顿召开了1991年 IEEE MTT-S 国际微波会议,同时联合召开的还有微波毫米波单片电路(Microwave and Millimeter-Wave Mono-lithic Circuits,简称 MMWMC)。这两会议共收到来自34个国家和地区的论文763篇,经遴选录用326篇(我国5篇,其中台湾省2篇)。此外,有来自美、英、加、法、日等国家的360余家公司参加展览,展出摊位达512个。这次会议将学术交流与麻省理工学院辐射实验室五十周年纪念活动合在一起,应征论文数及会议规模均超过以往各届。 相似文献
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1990年国际光纤通信会议(OFC′90)于1月22~26日在美国旧金山召开。据估计约有4000人出席会议。会议报告和发表文章226篇,其中辅导性报告11篇,书面报告34篇和迟到报告34篇。其余为分组报告。同时还有一个相当规模的展览会。这次会议的主题为“通过光纤传送电视”(Video Over Fiber)。另一个热点是光纤放大器。此外,还有光纤、激光器、检测器、光纤无源器件、光纤网和系统等。下面作一简单介绍。 相似文献
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20 0 0年第二届微波及毫米波技术国际会议于 2 0 0 0年 9月 1 4日至 9月 1 6日在北京梅地亚宾馆举行。会议共收录论文 1 93篇 ,其中特邀报告 9篇 ,中国大陆 97篇 ,其余分别来自中国的香港和台湾、美国、俄罗斯、法国、英国、日本、德国、意大利、韩国、新加坡、荷兰、澳大利亚、瑞典、印度、苏格兰、西班牙、伊朗、南斯拉夫、乌克兰、捷克、土耳其、沙特阿拉伯。与会代表除来自各国的论文作者外 ,还有来自 IEEE总部和 IEEE地区活动委员会的官员及国外大公司的代表 ,代表人数多达近 30 0人。9月 1 4日上午举行了简短的开幕式 ,中国科学院… 相似文献
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1994年 IEEE国际微波会议(IMS),微波及毫米波单片集成电路会议(MMWMIC)和美国运动系统会议(NTC)于1994年5月22日-5月27日在美国圣迭哥(San Diego)联合举行,地处美国西南端的圣迭哥,濒临太平洋,风光秀丽,水波粼粼,故本届大会会标为“Saves & Microaves”.尽管微波工业也笼照着世界经济不景气的阴影,且不久前南加州才刚刚经历过23年以来最强烈的地震,然而1994 IEEE IMS却是历届MTT-S以来规模最大,盛况空前的一次.来自世界各国的专家、学者、企业家近 相似文献
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承蒙王宽诚教育基金会的资助,我于199O年12月赴美参加了1990年度过际电子器件会议(IEEE IEDM′90),会后顺访了硅谷地区的一些大学和公司.国际电子器件会议是电子器件、微电子学领域规模最大,级别最高的学术盛会,它由著名的IEEE电子器件学会主办,每年举行一次,地点在美国东部的华盛顿特区或西部的旧金山市,每年轮换一次,至今巳有35年之久的历史,每次会议都受到全世界范围内的科学家、专家、教授和工程技术人员的普遍重视. 相似文献
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钟世昌 《固体电子学研究与进展》2009,29(1)
2008年欧洲微波周(European Microwave Week 2008(EuMW2008))于2008年10月27日至10月31日在荷兰首都阿姆斯特丹的RAI展览与会议中心举行. 相似文献
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戴永胜 《固体电子学研究与进展》2004,24(2):262-263
2003年亚洲-太平洋地区微波会议于2003年11月4日至11月7日在韩国首都汉城的谢拉顿沃克赫尔大酒店举行。这次大会共发表论523篇。其中369篇为口头交流论,154篇为张贴论(poster paper),共有83场口头交流讨论会,两个张贴论讨论会,4个指南性综述报告,两个全 相似文献
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钱峰 《固体电子学研究与进展》1998,18(2):216-218
国际GSAS制造技术1997年年会于6月2日至5日在美国海滨城市旧金山举行。会议由大会报告、专题讨论会、分组报告、小组讨论会、论文交流、产品展示会等组成。内容涉及GaAs材料生长、制作工艺、GaAs器件、GaAsMMIC、器件模型及可靠性等。参加会议代表百余人,主要来自美国及日本。GaAs制造技术专题讨论会在6月2A进行,内容包括:GaAs集成电路设计入门、提高成品率、集成电路中的静电防护(ESD)、高频封装技术等。次日进行大会报告:(l)RF微波器件公司介绍HBT射频集成电路在无线通信中的应用。报告指出,GaAsHBT的产品正迅速在… 相似文献
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陈雪军 《固体电子学研究与进展》1998,18(2):219-222
1997年第19届IEEE砷化锌集成电路国际会议于1997年10月12日至15日在美国加州的阿纳海姆(Anaheim)召开。本次会议发表论文以篇,包括16篇特邀报告及4篇最新进展报告。其中美国35篇,欧洲12篇,亚洲17篇(日本15篇,中国台湾和新加坡各一篇)。内容涉及GaAs技术的各个领域,包括微波单片集成电路(23篇),高速数字集成电路(16篇),光通信(9篇),集成电路工艺(6篇),毫米彼单片集成电路(6篇),可靠性技术(4篇)等,其中涉及无线通信领域的GaAs单片电路技术有16篇。由此可知,会议的重点仍是无线通信、高速数字电路和光通信。以… 相似文献
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陈堂胜 《固体电子学研究与进展》1997,17(2):202-206
1996年IEEEGaAsIC学术会议于11月3日至6日在美国佛罗里达州奥兰多召开。来自世界各地的约400位代表参加了会议,本届年会的侧重点主要是无线通信(WirelessCommu-nication)、光通信(OPticalCommunication)和高速数字电路,本届年会还有一个很重要的主题就是单片电路在通信系统中的应用,这些分别由MESFET、JFET、HEMT或HBT实现的单片电路几乎涉及所有的应用领域和频率范围。会议共收到论文151篇,其中有61篇被录用,另外还有12篇特邀报告和两篇最新进展报告,一个上午的全体会议和12个专题讨论会分别介绍了这些研究成果,下… 相似文献
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陈堂胜 《固体电子学研究与进展》2000,20(3):339-341
20 0 0年国际 Ga As制造技术会议 ( Ga As MANTECH)于 5月 1日至 4日在美国首都华盛顿召开 ,来自世界各地的约 30 0位代表参加了本届年会。代表人数较 1 999年增加了 5 0 % ,这反映了化合物半导体正越来越引起人们的关注。近些年来 ,由于通信技术的革命和信息高速公路的出现 ,化合物半导体呈现出日新月异的发展。在人类进入新千年之际 ,化合物半导体制造技术也将以新的姿态进入到新世纪。 4条新的 1 5 0 mm圆片生产线正在建设 ,异质结器件及其单片电路正进入批量生产。一些制造厂 ,投片量已达到每周 1 0 0 0片 ,预计今年化合物半导体… 相似文献
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