用RAM仿真ROM调试程序

在工业控制方面,TP801A单板机是国内用户最多的一种机型。但是它本身存在一些缺点,尤其是在程序调试方面,要用RAM区调试,然后还须修改程序地址,才能固化到PROM_1(或PROM_2)插座上的EPROM中去。如果在PROM_1(或PROM_2)插座上直接插入RAM芯片,调试成功后再固化到EPROM     

存储器非易失存储器中PRAM的开发进入佳境易失性RAM追求超高速

大电容、低成本、高速、非易失,它们在ISSCC 2007的会议上成为了新型存储器技术的重要特点. 在非易失存储器方面,随着应用领域的扩大(从可靠性要求极高的汽车到要求超低功耗的无线标签),增大容量、提高速度、强化功能等各方面的技术不断问世.     

兼具RAM和ROM特性的FRAM铁电存贮器

铁电存贮器（FRAM）是Ramtron公司的专利技术产品。因其兼具RAM和ROM性能而被认为未来可能是取代各类存贮器的超级存贮器。 Ramtron公司成立于1984年,总部设在美国科罗拉多州的ColoradoSprings市,公司于1992年在美国纳斯达克上市。Ramtron是业界领先的铁电存贮器技术和产品供应商,世界大部分半导体存贮器制造商都向其申请授权专利来做铁电存贮器的研究。 目前,Ramtron正在继续努力降低铁电存贮器成本,预计在2003年上半年,将会推出兆级（Mbit）密度的铁电存贮器。     

表面电荷器件的RAM存储器

以前,电荷转移器件只能制作移位寄存器,现在美国通用电气公司使用表面电荷晶体管制成了动态随机存取存储器(RAM)。这存储器为4×8位阵列,可发展为4096位存储器。每位面积为2.5密耳~2,存取时间150毫微秒,循环时间250毫微秒。制造存储器采用耐熔金属MOS工艺,其目的是使其单元结构能与当前MOS RAM的单晶体管结构同样简单,单晶体管单元存在的问题是位线的电容很高,往往导致逻辑信号电平的损耗。为解决这问题,GE公司先将电荷从位线存储区取出,然后从位线转移到     

袖珍光存储器卡O—ROM

1998年在美国召开的“Embedded System Conference'98”上,展出一种名片大小的光存储器卡(参阅图1)。这是美国风险企业ioptics公司利用有机EL发光器件和CMOS检测器(Sensor)构成的播放专用小型化光存储卡和播放装置,其目的是作为便携式信息终端的外存储器。该展品叫作O-ROM(Optical Read Only Memory),外形尺寸仅为59×46×2mm~3,作为产品的记录容量目标是128MB。     

FPGA构造单向串行LVDS接口RAM存储器

在Xilinx ISE软件平台上,通过硬件描述语言VHDL设计实现了具有单向串行只写总线接口的RAM存储器,并且使用低压差分信号传输技术,降低误码率和串扰。该存储器大大减少了RAM存储器引脚数目,降低了SoC的空间、功耗和成本,资源利用率高,可以更有效地提高CPU访问存储器的速度。最后在Virtex-5开发板上验证通过。     

双口RAM数据存储器在单片机中的应用

<正> 我们常用的RAM存储芯片只有一个端口,通常由一个CPU进行控制。如果有两个CPU想共享其中的数据则不太方便。而双口RAM正是针对这一问题设计的。这种存储器有两个对外的端口,可以分别接到两个CPU,两个端口是完全独立的,两个CPU可以通过各自连接的端口对存储器内的任一单元进行访问(读或     

FM W系列：F－RAM存储器

Ramtron Intemational Corporation推出W系列F-RAM存储器,W系列器件带有串口I 2C、SPI接口和并行接口,能够提供从2．7V～5．5V的更宽电压范围。W系列具有更高的性能,如有功电流和串口器件的首次存取启动（上电初始化）速度加快。该系列中FM24W256和FM25W256器件分别带有256．kbit串口I2 C与和SPI接口。     

超过双极静态随机存取存储器的HMOSII静态RAM

提出了一种缩小工艺,这种工艺可以改进存取时间,新的制作工艺保留了与HMOS制作方法的兼容性。     

DVD—ROM／RAM用光拾波器新进展

数字化通用光盘DVD(Digital Video Disk或Digital Vcrsatile Disk)是一个大系列产品,如像DVD-Video、DVD-Audio等播放机早已投放市场,而DVD-RAM等却姗姗来迟。尽管DVD-ROM比DVD-RAM上市早一些,但是用于笔记本PC机的DVD-ROM也是刚刚粉墨登场。据1997年10月16日电波新闻报道,日立,松下电器和东芝的DVD-RAM/R新产品刚赴欧洲DVD会议展出。这是面向欧洲PC机厂家和     

单5V电源19K动态存储器RAM

一、前言 MOS动态存储器是七十年代以来发展最活跃、最迅速的集成电路,它的水平是集成电路发展水平的重要标志之一。目前国际上出现的动态存储器已达1M位,但由于研制到生产的较长周期,使至今国际市场上商品化的产品仍是16k和64k。这说明在适应当前的计算机系统发展上,16k和64k动态存储器RAM具有极强的生命力。 本文主要介绍用N沟硅栅H-MOS工艺研制出的单电源16kDRAM M2118电路。     

非易失磁性RAM的开发

Ｕｔａｈ大学的研究人员宣布在非易失性ＲＡＭ方面的研究有重大突破。研究人员根据同Ｐａｇｅａｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ公司的协议，发展了一种能在将来低成本、大批量地生产高密度存储器和电路的磁场传感器。Ｄｅｇｅａｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　公司是国际Ａｖａｎｔｉｃｏｒｐ公司的子公司。命名为ＭＡＧＲＡＭ的存储单元（磁性ＲＡＭ）利用磁场存储数据。同普通ＲＡＭ相似．ＭＡＧＲＡＭ能快速、随机存取储存在它内部的信息。但同传统ＲＡＭ不一样的是，ＭＡＧＲＡＭ存储单元是非易失性的。该项技术可降低手持式设备的功…     

夏普公司开发成转换效率20.4%的硅太阳能电池

<正>据日本《Semiconductor World》1992年第1期报道。日本夏普公司已开发成转换效率为20.4％硅单晶太阳能电池。现今所开发的太阳能电池的尺寸为5cm×5cm。采用以下两种技术来提高转换效率。 (1)电极采用光反射率高的银,以提高太阳能电池内部的反射率,特别是有效利用长波长领域的太阳光。在工艺方面,去除残留铝扩散层的合金层以便形成银电极,提高了光反射率。因此,与以前采用铝电极的太阳能电池相比,转换效率在19.5％的基础上,提高了0.2％。     

Ramtron的高功效512Kb和1MbV系列串口F—RAM存储器

Ramtron宣布其新的井口和串口F—RAM系列增添两款产品,这些F—RAM器件提供高速读／写性能、低电压工作和可选器件特性。Ramtron的V系列F—RAM产品之最新型款为512KbFM24V05和1MbFM24V10,是2．0V至3．6V的串口非易失性RAM,采用8脚SOIC封装,使用双线（12C）协议。     

Ramtron推出低功耗256千位串口F—RAM存储器

FM24L256是低功耗、高速串口F—RAM器件,采用小型8脚封装世界顶尖的非易失性铁电存储器（F—RAM）。集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出256Kb,2．7～3．6V工作电压、具高速串口I2C内存接口的非易失性F—RAM器件,型号为FM24L256。     

夏普公司开发出14英寸薄膜晶体管彩色液晶显示屏

夏普公司成功地开发出含有308160象元由1232640点组成的薄形高质量14英时薄膜晶体管彩色液晶显示屏。显示屏的厚度,包括逆光照明灯在内约为27mm,大约是显象管的13分之一,重量也只有1.8kg。因此,作为不分场所可移动的新型智能信息手段,可应用于从壁挂电视到通讯信息终端用彩色图象显示屏等广泛领域。由于采用该公司独自开发的“象元四分割结构”,实现了高速响应(响应速度在17.5ns以     

采用混合技术生产大容量存储器

几兆位的半导体大容量存储器的前途在一定程度上取决于正在发展之中的混合技术。西屋电气公司为海军航空发展中心制造的互补MOS存储器和逻辑子系统已由混合技术获得了成功。这种192字×32位的子系统可作为3.6兆位混合集成存储器的标准部件。用于军事方面的互补MOS部件包括由西屋公司制造的C-MOS随机存取存储器和标准的译码器以及逻辑互补MOS芯片。整个部件把芯片置于衬底上,因而每个部件包括有存储器     

基于MPC8313E和FPGA的双口RAM驱动开发

以MPC8313E芯片为平台,介绍了一个基于嵌入式Linux操作系统的双口RAM设备驱动。通过该设备驱动搭建Linux服务器,利用缓存技术实时读取FPGA双口RAM数据,最终实现将海量图像数据高速上传至PC端。     

双口RAM数据存储器在烟支质量检测系统中的应用

介绍双口RAM数据存贮器IDT7130在烟支质量检测系统中的应用实例。对双口RAMIDT7130的资源和特点作了详细的论述。并对烟支质量检测系统的设计原理进行了介绍，希望对开发人员使用双口RAM有所帮助和启发。