双异质结半导体激光器（DHL）的研制

采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ双异质结激光器。脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率的１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ。较详细地介绍了器件制作的后工艺过程。     

P型GaAs衬底平面结构可见光半导体激光器的研究

偿试性的在Ｐ—ＣａＡｓ衬底上采用液相外延技术，研制成了双异质结（ＤＨ）平面结构可见光半导体激光器．其波长为７９４．５ｎｍ，阈值电流为３Ａ，垂直结平面和平行结平面的光场强度发散角分别为１５°和２５°，三倍阈值电流工作时单面输出光功率为２～３Ｗ．     

P型GaAs衬底平面结构可光半导体激光器的研究

偿试性的在P－GaAs衬底上采用液相外延技术，研制成了双异质结（DH）平面结构可见光半导体激光器，其波长为794．5mm，阈值电流为3A，垂直结平面和平行结平面的光场强度发散角分别为15度和25度，三倍阈值电流工作时单面输出光功率为2－3W。     

Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除

利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理.通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析,得到最佳工艺条件的碳化温度为1000 ℃,碳化时间为5 min,生长温度为1200...     

外延技术在半导体激光器中的应用

本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ）,分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半导体激光器研究方面所取得的一些进展,并比较了国内外的水平差距。     

宽带隙材料作发射区的异质结光晶体管（HPT）的研究

本文在研究一种特殊结构的光晶体管－异质结光晶体管的工作原理基础上，分析用宽带隙材料作发射区，可减少注入损耗，提高增益的特性。     

SiC／Si异质生长的研究

在半导体材料中，ＳｉＣ比Ｓｉ具有更优越的物理特性、化学特性和半导体特性，在高温、高频和功率器件制造中有十分广阔的应用前景．但是它的材料制备很困难．文中在理论分析基础上，以Ｓｉ为衬底，用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）技术，在温度为１１００℃下，生长出ＳｉＣ多晶薄膜，样品用ＡＥＳ和Ｘ－射线衍射进行了测试和分析     

正置倒置异质结有机小分子太阳能电池

以MoO3为阳极修饰层,以Rubrene/C60为活性层,制备了正置和倒置异质结有机小分子太阳能电池。实验结果表明倒置器件的开路电压Voc、短路电流密度Jsc、填充因子FF和功率转换效率η比正置结构的器件分别提高了34%、20%、25%和102%。当插入BCP阴极缓冲层后,阻挡了热的Al原子对C60层的破坏,对倒置器件的性能没有明显的影响,但却显著改善了正置器件的性能,并分析了MoO3和BCP对倒置和正置器件的作用。     

H_2SO_4-H_2O_2-H_2O对GaAs晶片的择优腐蚀

为研制具有沟道衬底的单模激光器,讨论了H_2SO_4-H_2O_2-H_2O对GaAs晶片的择优腐蚀。实验证明,使用H_2SO_4∶H_2O_2∶H_2O=1∶8∶8腐蚀液,在GaAs(100)面上沿[011]和[01(?)]方向开槽分别获得燕尾槽和V型槽衬底,满足了器件设计的要求。     

CO_2激光切割机精密聚焦系统的分析和研究

调研与分析各种高功率CO_2激光切割聚焦系统产品,设计研制了二维切割精密聚焦系统。应用结果表明：该系统稳定性高,从而提高了生产效率和产品质量。     

激光能量空间均布技术研究

介绍了几种激光能量空间均布的技术原理,它们分别属于输出空间激光能量均布和输入空间激光能量均布,并对其均布效果和优缺点进行了定性分析．这些均化技术对提高激光加工质量具有较好的现实意义．     

双模FUZZY控制器的应用及仿真研究

在对KSD-1型随动系统实验装置的研究中，用FUZZY（模糊）控制器取代PID调节器，仿真结果表明，此控制器性能优良。     

激光散斑验光机理的研究

本文提出了利用激光散斑检查眼睛屈光不正的机理。由于受检光眼屈不正,激光散斑图在视网膜和眼球息平面上分别成象。当漫射屏以速度V运动时成在网膜上的散斑图象以速度V′=~ε_Li(1+~з_Li)v运动,根据此速度的方向和大小即可知道受检眼的屈折状态。     

三维激光人体头部扫描技术的研究

介绍了快速3D激光人体头部扫描的原理及装置，从计算机软件和硬件两方面详细讨论了实现三维快速扫描的关键技术，给出了视频分离器的实现原理图以及数据采集卡的实现框图，最后详细讨论了数据处理的实现算法，完成了系统总体设计．     

电子以集体方式作用的平板波导Cerenkov自由电子激光的模式分析

本文对电子以集体方式作用的平板波导的Ｃｅｒｅｕｋｏｖ自由电子激光的模式进行了数学分析，给出了在此情形下的增长率的一般表达式及其与β的关系图。     

气门钢表面激光熔覆Si3N4陶瓷层的研究

利用激光在气门钢表面熔覆Si3N4陶瓷.对熔覆粉末成分、熔覆处理的工艺参数、熔覆层的组织、相组成及结合界面作了分析研究.     

小麦粉粒径分布的激光粒径仪分析方法研究

采用激光粒径分析仪对小麦粉的粒径分布进行检测,分别用湿法和干法分析小麦粉的粒径分布.结果表明,激光衍射分析的结果重现性好,干法分析在空气压力为80 kPa时最接近湿法分析的结果.     

金红石和锐钛矿型二氧化钛薄膜的制备和特性评价

综述了作者近年来通过交流螺旋磁控溅射制备锐钛矿和金红石型微晶薄膜的研究进展，阐述了薄膜的制备工艺与其晶体结构、组成、光学性能以及杀菌能力的关系，并通过有效的方法对其光学性能进行了改进。