基于不同成核控制剂下快速制备银纳米线的研究

基于多元醇法,通过添加成核控制剂氯化铜、氯化钠和氯化铁,在30 min内快速制备银纳米线。结果表明,以氯化铜为成核控制剂,银纳米线形貌最好,直径(53±8.8)nm,长度(30.9±7.1)μm,长径比高达583。在相同条件下,以氯化钠为成核控制剂,银纳米线形貌相对较好,但存在部分银纳米线颗粒。以氯化铁为成核控制剂,产物大部分为纳米棒和一些微米结构。     

水热反应条件对纳米钼酸银形貌的影响

以钼酸铵和硝酸银为原料,采用一步水热法制备了不同形貌的纳米钼酸银(Ag_2Mo_2O_7),探究了反应温度、反应时间、Ag NO_3浓度和表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)对产物结构及形貌的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对纳米钼酸银的物相和形貌进行了表征。结果表明,通过改变水热反应条件可以得到纳米线、纳米棒、纳米片等不同形貌的钼酸银,其中反应温度和表面活性剂PVP对纳米钼酸银的形貌影响显著。     

Cu_2S纳米棒阵列的可控合成及其表征

以氯化铜和硫脲为原料,表面活性剂十二烷基苯磺酸钠为形貌控制剂,通过水热法成功在铜丝网上制备出Cu_2S纳米棒阵列。用X射线粉末衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制备的薄膜产品进行了表征分析。研究结果表明,纳米棒的长度为300～500nm、直径为1. 5～2. 5μm。同时,对表面活性剂诱导的Cu_2S纳米棒的形成机理作了深入的讨论。     

在NiCl2、MnCl2或FeCl3存在下用多元醇法高浓度合成银纳米线

报道了一种用于高浓度制备银纳米线的改性多元醇法。在NiCl₂、MnCl₂或FeCl₃存在下高浓度地制得了具有均一尺寸和形貌的银纳米线。所得银纳米线的直径约为60～100 nm、长度约30～60 μm。研究了AgNO₃溶液浓度、PVP和AgNO₃比例和控制剂浓度等对所得银纳米线形貌的影响。研究发现可以通过反应条件的改变来调节所得银纳米线的形貌。本方法的可能机理是由于引入的金属阳离子可以除掉吸附在晶种表面的氧,从而促进银纳米线的生长。     

水热合成法制备高长径比的银纳米线

以季铵盐型阳离子Gemini表面活性剂[C16H33(CH3)2N+(CH2)3N+(CH3)2C16H33]×2Br-(16-3-16)为结构导向剂和稳定剂,以六次甲基四胺为还原剂,用水热合成法由硝酸银制备了直径约30 nm、长约50 mm的银纳米线. 用X射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱和透射电子显微镜(TEM)等手段对制备产物的表征结果表明,所得银纳米线具有面心立方结构,并且是沿着{111}晶面生长的. 银纳米线的长度与反应时间有关,而直径则变化不大. 反应温度对产物的形貌有较大影响,在100和120℃下得到的是纳米线,而在150℃下得到的多为不规则的纳米颗粒.     

Cu纳米线的工艺优化及其可控制备研究

以氯化铜为铜源,葡萄糖为还原剂,十六胺和十八胺为封端剂,通过水热还原技术制备Cu纳米线,探讨反应温度、反应时间、还原剂配比和封端剂摩尔比对Cu纳米线形貌(长径比)的影响。结果表明,最优工艺条件：还原剂配比0.5,封端剂摩尔比0.4/0.8,反应温度110℃,反应时间6 h。产物清洗方式为沉降-分层-热液洗涤。在全优工艺条件下制得的Cu纳米线平均长径比>95,线径均值为26 nm,纳米线占比超过90%。     

一种链状多面体银-硫化银复合纳米结构的制备

以银纳米线与单质硫为反应物,DMF为反应溶剂,在室温条件下,通过自发的化学反应制备一种具有独特的链状多面体结构的银-硫化银复合纳米复合物。这种多面体链状结构是以银纳米线为核心,多面体硫化银生长在其表面。根据不同反应时间产物的结构特点研究了该结构的生长过程。利用SEM、TEM、XRD对不同反应01时间产物的形貌特征及物相结构进行表征,结果表明,该复合结构具有良好的结晶性和独特的链状多面体结构。     

银纳米线及其透明导电膜的制备

采用水热法,以乙二醇(EG)作为还原剂和溶剂制备银纳米线,在硝酸银(Ag NO3)与聚乙烯吡咯烷酮(PVP–K30)摩尔比为1:2时,加入1.0 mg/m L的氯化钠(Na Cl),在160℃的高压反应釜中反应7 h,经用去离子水洗涤静置,得到直径为100 nm左右、长度30~50μm的银纳米线。将得到的银纳米线用无水乙醇配制成1.0 mg/m L的分散液,在1 000 r/min下旋涂制备成膜,然后再以4 000 r/min速率旋涂浓度为21 mg/m L的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的1-甲基-2-吡咯烷酮溶液,可制备成具有良好附着性能、透明率为92.90%、方块电阻为12(?/□)的透明膜。     

银纳米线/聚乙烯醇复合纳米薄膜的制备与性能研究

本文采用旋涂法一步制备了银纳米线/聚乙烯醇(PVA)导电复合纳米薄膜,并通过控制液滴在基底表面的静置时间来控制银纳米线在薄膜中的含量,发现不同浓度分散液制备的纳米薄膜的层电阻和透过率会随着静置时间的增加而下降,且主要依赖于银纳米线的密度。本研究说明,通过控制合理的静置时间可以一步制得具有较高导电和透过性能的纳米薄膜。     

控电位法制备CdSe纳米线阵列及其性能研究

以SeO2为硒源,以阳极氧化铝为模板,采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析,确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成,并分析了其沉积机理。在此基础上,以阳极氧化铝为模板,通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X-射线衍射对所制备的材料进行了形貌和结构表征。扫描电镜形貌分析表明,CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一;直径约100 nm,与模板孔径一致。X-射线衍射测试表明,所制得的CdSe纳米线为立方晶型。光电性能测试表明,CdSe纳米线阵列电极的开路电位差值为324.8 mV,高于CdSe薄膜(125.5 mV);光催化降解罗丹明B测试表明,5 h后,CdSe纳米线的降解率达94.29%,强于CdSe薄膜(52.03%)。