彩电视放管的设计与制造工艺

已经有许多作者对低频大功率晶体管和大电流型高频大功率晶体管的设计和制造问题进行过详细的研究,关于“高频高反压功率晶体管”方面的研究报告还不多见,作者在设计、试制了彩电视放管之后,觉得对这类晶体管的研制方面还有许多工作要做,而且这类器件是集成电路所不能取代而独立存在的一个重要分支,具有广阔的前景。 众所周知,高频功率器件是在较低的收集结击穿电压下,以提高器件的电流容量和特征频率来实现高频和大功率要求的,而高反压大功率晶体管是在较低的频率下,通过提高击穿电压和电流容量来实现的。显然,对于高频高反压功率晶体管,高频率和高击穿电压的要求     

论高频大功率晶体管的温度分布

本文在俞忠钰、王士林两同志的指导和帮助下,对高频大功率晶体管的温度分布进行了较严格的数学分析。得到了用于大功率情况下的晶体管的温度分布公式。从而确定了热沉对硅片表面温度分布的影响。所得到的温度分布公式为高频大功率晶体管的热学设计提供了参考。     

高频大功率晶体管的失效分析

介绍了对某型号高频大功率晶体管进行的失效分析。分析结果表明器件在寿命试验中发生击穿失效的主要原因是芯片的散热结构存在工艺和设计方面的问题，这也是影响高频大功率工作寿命的主要问题。     

高频大功率晶体管

随着信息量的增大,要求在高频下具有高性能、高可靠性的通讯设备。高频大功率晶体管在朝以上目标努力中起了很大作用。首先如图1所示,看一下达到目前最高水平的高频大功率晶体管的工作频率和输     

高频大功率晶体管的设计(一)

一、高频大功率晶体管的一些问题 1.高频大功率晶体管的工作状态 A、甲类 甲类工作状态如图1所示。在整个信号周期内(0～2π),晶体管均处于导通状态。     

关于外延平面管大电流下h_(FE)和f_T下降的理论分析

晶体管最大工作电流I_(CM)直接由大电流时h_(FB)或f_T下降的情况所决定,因此研究大电流时h_(FB)和f_T下降就成了晶体管设计与生产的重要课题,尤其是高频大功率晶体管,这个问题更为突出。     

半导体激光器快速激励脉冲的形成电路

本文讨论用雪崩晶体管作放电开关,分别和电容器、传输线两种储能元件构成的毫微秒脉冲发生器的工作特点,及有关电路参数的选择。也介绍了雪崩晶体管与高频大功率晶体管、大功率MOS场效应管的组合应用。     

一种超高频大功率放大电路匹配网络的设计方法

随着电子工业的发展,目前,越来越多的单位正在研制晶体管超高频大功率放大器,并且对高频率和大功率提出了更高的要求。大家知道,超高频大功率放大电路匹配网络的设计计算已经成为研制超高频大功率放大器的成败关键。目前,对于高频大功率放大电路匹配网络的设计大致采用下面三种方法. (1)在用计算机直接设计电子电路还未得到推广应用的条件下,人们不得不根据晶体管高频等效电路,在数学分析和解算的基础上,进行复杂的计算,多次重复,最后导出电路的各元件参数,并由实验调试修正。 (2)参考选取与设计要求相类似的电路,在实际的试验工作中,一边调试,一边确定电路的各元件参数。 (3)在已知晶体管特性参数的条件下,借助于阻     

晶体管的高频性能及其发展概况

自从1951年第一只面结型(生长型)晶体三极管诞生后,人们努力的方向之一是提高晶体管的高频性能.十余年来,在这方面已取得了飞跃的发展.但与电子管,特别是微波电子管相比,晶体管在高频性能(尤其是高频大功率)方面尚有逊色.这是由于晶体管的内部结构和工作机理比较复杂的缘故.在电子管内,构成电流的电子是在真空中运动,即电流的流通是依     

1千兆赫20瓦静电感应晶体管

制作了一种在高频大功率下工作的静电感应晶体管(SIT)。对于大功率,设计能在高压和大电流下工作。对于高频工作,设计使在电极之间的电容和电阻减至最小。设计使SIT的有源区的电阻率和厚度最佳化,同时用自对准的方法制得了栅与栅之间9微米的精细图形,并用金作电极。得到了在1千兆赫下最大输出功率为24瓦、线性输出功率为20瓦、增益为4分贝、漏极效率为50％的静电感应晶体管。     

电子束退火对非离子注入硅晶体管电特性的影响

本文论述一项迄今未见文献报道的试验。作者将能量在20KeV以下的电子束退火试用于非离子注入的硅低频大功率晶体管和高频小功率晶体管,发现这种低能电子束辐照在某种条件下可以大幅度地降低晶体管的电流放大系数,而在另一种条件下又可以提高晶体管的电流放大系数。不但对浅结晶体管,而且对深结晶体管都有这种效应。研究了放大系数的变化与电子束辐照各工作参数的关系。实验证明:电子束流下降的速率对放大系数降低的幅度有显著的影响。电子束辐照引起电流放大系数下降的同时晶体管的击穿电压BV_(ebo)和BV_(cbo)并不降低,BV_(ceo)还有所提高。在晶体管制造工序中加入电子束辐照,降低了大功率晶体管“云雾”击穿的发生率,提高了产品的合格率。     

组合型大功率稳压管结构性能简介

组合管的设计与制造借鉴了箱位晶体管的工作原理,以类似达林顿组合晶体管的半集成工艺技术,有效地排除了大功率齐纳管在制造过程中所遇到的许多障碍,并使大功率稳压器件的成品率、特性参数和可靠性取得了长足的进展.     

莫托洛拉公司正在努力降低管壳成本

<正> 随着高频功率晶体管载体的金属化技术的发展,通讯晶体管公司已生产了一系列大功率器件,这些器件封装在常用的 TO-220塑料管壳中,仍然能在高达500MHz 的频率下工作。该公司声称,由于采用了塑料封装,器件的成本大约为采用铜-陶瓷管壳的高频大功率晶体管成本的一半。然而,近来莫托洛拉公司对 TO-220型塑料管壳的作用持异议,认为塑料封装的功率晶体管的功率在30MHz 及更高的频率下大约为10W 左右。这种极限可能是由于晶体管发射极     

网状发射极晶体管

一、概述最近高频大功率管的进展确实惊人。1967年研制并进行生产的网状发射极晶体管(MET),打破了过去梳状、复盖结构统治高频大功率管的状况,采用了网状发射极结构。因而,在小的集电极面积上,能够承受比过去大的电流,并具有优良的高频输出特性。这里介绍的网状发射极晶体管,是根据最近使用者的要求,特地研制的一种低电压用的管子。     

高频晶体管

一、前言自从晶体管采用把杂质扩散到固体内形成 PN 结的方法以来,它的性能和制作技术有了很大的进步。由于光刻腐蚀技术和选择扩散技术的进步及平面结构晶体管的出现,以及能在 Ge 和 Si衬底上由气相进行与衬底相同晶向的淀积,即外延生长方法的研究,使输出功率和最高振荡频率有了显著的提高,大功率输出晶体管和高频功率晶体管以及高频放大晶体管等各种器件相继问世。     

基于功率晶体管窄脉冲激光驱动设计

激光的高功率、窄脉冲是提高激光引信系统精度,提高引信抗干扰能力的重要手段。为实现小体积的高频、高功率、窄脉冲激光发射,采用大功率晶体管正反馈设计出晶闸管开关应用于高频脉冲激光测距窄脉冲激光发射电路,用钳位二极管抑制激光器反向击穿。通过对RLC充放电回路、晶体管开关电路、晶闸管器件的分析,设计SCR电路,分析放电回路的三个步骤,运用pspice仿真程序对驱动电路进行了参数仿真。制作了印刷电路板,得到峰值电流12 A,脉宽8 ns的脉冲电流。     

高频大功率MOS场效应晶体管

设计和制造了一种高频大功率N沟MOS场效应晶体管,它适合用作甚高频(VHF)电视发射机的音频功率放大器。获得了130伏那样高的漏-源电压,在栅-源电压为20伏、漏电流为3A时其导通电阻为0.3Ω。为满足甚高频的工作频率,MOS场效应晶体管漏-源间反馈电容设计为0.8pF。这种MOS场效应晶体管在250MHz满意地工作,功率增益为7dB。     

高晶频体管工作寿命实验中抑制振荡的方法

随着半导体器件的发展,许多超高频管先后研制成功,工作频率高达十几到几千兆赫。如何设计晶体管工作寿命试验线路,这是摆在可靠性与稳定性方面必不可少的工作,这里不仅要考虑高稳定度的直流供电问题,还要考虑消除晶体管器件的自激问题。因此,这项工作就不象处理低频管寿命试验线路那样简单了。 晶体管产生高频振荡以后,加在晶体管上不仅有直流功耗,同时还有高频功耗,轻者得不到可靠的数据,无法对器件做出正确判断;重者则烧毁晶体管。 这里我们只介绍如何防止高频管自激振荡。至于静态工作点稳定问题,这里不再陈述。要着重指出的是直流工作点的稳定程度直接影     

用IGBT设计特种电源

绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）开关电源,特别是特种电源,像大功率开关电源、ＵＰＳ电源、变频电源及变频调速装置等的功率变换器,其核心的功率器件通常为双极型功率晶体管和ＭＯＳＦＥＴ（金属氧化物半导体场效应晶体管）。但是随着对小型、轻量、高频、高效和低噪音的...     

功率晶体管热稳定性的研究

晶体管电流增益是一个温度敏感参数,其随温度变化的结果直接影响电子设备的稳定性和可靠性,这一点对大功率晶体管尤为显著。目前在这方面虽然有所报道,但还未臻完善。本文对大功率晶体管电流增益热稳定性进行了机理上的研究和验证,考虑了不同工作条件对电流增益热稳定性韵影响,得出了一些有益的结论,这为大功率晶体管的使用和热稳定性的改善提供了客观依据。