NH3-MBE生长极化场二维电子气材料

介绍了用ＮＨ３－ＭＢＥ技术在蓝宝石Ｃ面上外延的高质量的ＧａＮ单层膜以及ＧＮ／ＡｌＮ／ＧａＮ极化感应二维电子气材料。外延膜都是Ｎ面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。ＧａＮ单层膜的室温电子迁移率为３００ｃｍ＾２／Ｖｓ。二维电子气材料的迁移率为６８０ｃｍ＾２／Ｖｓ（ＲＴ）和１７００ｃｍ＾２／Ｖｓ（７７Ｋ）,相应的二维电子气的面密度为３．２＊１０＾１３ｃｍ＾－２（ＲＴ）和２．６ｘ１０＾１３ｃｍ＾     

调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结磁输运研究

通过低温和高磁场下的磁输运测量,首次在Ａｌ０．２２Ｇａ０．７８Ｎ／ＧａＮ异质结中观察到了舒勃尼科夫－德哈斯振荡的双周期特性,发现在Ａｌ０．２２Ｇａ０．７８Ｎ／ＧａＮ异质结的三角势阱中产生了二维电子气（２ＤＥＧ）的第二子带占据,发生第二子带占据的阈值２ＤＥＧ浓度估算为７．２＊１０＾１２ｃｍ＾－２,在阈值２ＤＥＧ浓度下第一子带和第二子带能级的距离计算为７５ｍｅＶ。     

高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

用金属有机物气相外延方法在（０００１）蓝宝石衬底上生长了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ／ＧａＮ二维电子气结构。Ａｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎ（７００ｎｍ）／ＧａＮ（６００ｎｍ）异质结的室温电子迁移率达１０２４ｃｍ＾２／Ｖｓ,而ＧａＮ体材料的室温电子迁移率为３９０ｃｍ＾２／Ｖｓ;该异质结的７７Ｋ电子迁移率达３５００ｃｍ＾２／Ｖｓ,而ＧａＮ体材料的电子迁移率在１８５Ｋ下达到峰值,为４９０ｃｍ＾２／Ｖｓ,７７Ｋ下下降到     

GaN材料的GSMBE生长

在国内首次用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在α－Ａｌ２Ｏ３衬底上生长出了ＧａＮ单昌外延膜。ＧａＮ生长速率可达０．５μｍ／ｈ。ＧａＮ外延膜的（０００２）双晶Ｘ射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为８ａｒｃｍｉｎ。霍尔迁移率为５０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ。对质量好的ＧａＮ膜，室温阴性发光谱上只有一个强而锐的近岸边发光峰，谱峰位于３７２ｎｍ处，谱峰半高宽为１４ｎｍ（１２５ｍｅＶ）。     

氧化锌透明导电薄膜的制备及其特性

氧化锌薄膜的透明导电特性与化学计量偏离和溅射条件有关。以２％氧化铝掺杂的氧化锌陶瓷作靶,采用ＦＲ磁控溅射技术制备的透明导电薄膜,其电阻率４．５＊１０＾－３Ωｃｍ,载流子浓度２．８＊１０＾２０ｃｍ＾－３,霍尔迁移率１５．８ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ平均透射率大于８０％。     

光阴极材料GaAs／AlGaAs的组分分析

为探索砷化我阴极的光电灵敏度的影响因素,利用Ｘ射线光电子能谱、二次离子擀谱和电化学方法测试和分析了国内和国外ＧａＡｓ光阴极材料ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ的Ｃ,Ｏ含量的空穴深度分布。实验发现,国内的材料在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 面及ＡｌＧａＡｓ层的Ｏ含量分别为７．６％和１０．６％,Ｃ深度分别为５．２×１０＾１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３和１．０×１０＾１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３,而国外的材料的Ｏ含量相应为１．０     

TiN／n—GaAs体系界面的研究

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＴｉＮ／ｎ－ＧａＡｓ体系。ＳＩＭＳ结果表明，退火后Ｔｉ的浓度剖面向胂化镓衬底略有移动，Ｎ则基本救济为；ＤＬＴＳ观察到的Ｅｃ＝０．２１ｅＶ处的Ｔｉ＾３＋＊３ｄ）／Ｔｉ＾３＋（３ｄ＾２）单受主中心，但其浓度较ＥＬ２要小得多。根据实验结果，探讨了退火后难熔金属氮化物／ｎ－ＧｓＡｓ体系电学特性改善的原因。     

新型硫卤玻璃的光电性质

研究了含有一价碱金属卤化物的Ｇａ２Ｓ３－ＧｅＳ２－ＫＣｌ和Ｇａ２Ｓ３－ＧｅＳ２－ＫＢｒ系统玻璃的制备与某些典型玻璃的光学、电学和离子交换性质。结果表明：正是诉透过范围从０．４２－１１．５μｍ,玻璃的电导率在２３℃时为１０＾－１０－１０＾－１１Ｓ／ｃｍ;２７０℃时为１０＾－５－１０＾－８Ｓ／ｃｍ。通过采用特殊的工艺和熔盐成功地对这类玻璃进行了离子交换,其交换深度可从几个μｍ到１０００μｍ左右。此类玻     

镍内电极多层陶瓷电容器介质材料的研究

通过（ＢａＯ＋ＣａＯ）／（ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２）略大于１的Ｂａ－ＴｉＯ３系材料进行受主离子Ｃａ＾２＋、Ｍｇ＾２＋、Ｆｅ＾３＋、Ｍｎ＾２＋和Ｚｎ＾２＋掺杂试验,使瓷料在还原性气氛中与镍电极共烧,获得介电常数为１５０００、绝缘电阻率达到１０＾１２Ω．ｃｍ的抗还原陶瓷。     

Al2O3基板直接敷铜法的敷接机理研究

本文采用直接敷铜工艺,１０７０℃流动氮气氛下保温３ｈ制得当了强度达１１．５ｋｇ／ｃｍ＾２的直接铜ＡＩ２Ｏ３基板。介面产物ＣｕＡＩＯ２的形成是获得较高结合强度的关键,敷接温度下,在界面上产生了能很好润湿ＡＩ２Ｏ３表面的Ｃｕ〖Ｏ〗共晶液体,并反应生连续的ＣｕＡｌＯ２层降温时,共晶液体从Ｃｕ侧开始固化并淀析出ＣｕＯ２颗９粒,当固化前沿与ＣｕＡｌＯ２层相遇时,液相参与的界面反应停止,冷却至室温,即可获得Ｃ     

定向金属氧化法制备Al/Al2O3陶瓷基复合材料研究现状

回顾了国内外在定向金属氧化法制备Al/Al2O3陶瓷基复合材料方面的研究成果,详细讨论了合金成分、外敷剂、温度和气氛以及预形体对其反应机理和显微结构的影响,指出了今后定向金属氧化法制备Al/Al2O3陶瓷材料的研究重点和发展方向.     

高含量Si-Al电子封装复合材料的研究进展

随着微电子技术的高速发展,SiP/Al作为新型的电子封装材料受到了广泛的重视.根据近年来报道的有关资料,对SiP/Al电子封装复合材料的组织与性能、制备工艺及应用发展进行了综述,并指出了未来的研究方向.     

无压渗透法制备SiCp/Al复合材料工艺优化研究

无压渗透法是制备SiCp/Al复合材料的重要技术.应用实验方法系统地研究了无压渗透法的工艺参数和添加元素对制备工艺的影响.结果表明,在无压渗透法制备SiCp/Al复合材料的工艺过程中,浸渗温度是浸渗过程顺利进行的重要因素,900℃的浸渗温度为最佳浸渗温度.适量加入Mg元素能提高熔融金属Al和增强体SiC颗粒之间的浸润性,获得结合强度好、孔洞和疏松较少的SiCp/Al复合材料,Mg元素的最佳含量约为1.2%(质量分数).适量添加Si元素能增强熔融铝液的流动性,降低SiC颗粒与Al液间的表面张力,改善其润湿性.     

钎焊方法制备Ti/TiAl/Al系变密度功能梯度材料

采用两步钎焊方法来完成梯度材料的制备:第一步,选用Ti-Zr-Cu-Ni-Co急冷态箔带钎料钎焊TC4/TiAl接头,钎焊规范选为960℃/10min;第二步,采用高纯度的Al,Cu和Si粉末混合配制Al-25Cu-5Si钎料,用于钎焊TiAl/LF21接头,钎焊规范选为590℃/10min.结果表明,两步钎焊法成功实...     

高SiCp或高Si含量电子封装材料研究进展

高体积分数的SiCp/Al复合材料和高Si含量Al-Si合金具有高导热、膨胀系数可调、低密度等特性,成为理想的电子封装材料.结合笔者的研究成果,详细介绍了目前国内外该材料的制备工艺及应用情况,指出了各工艺方法在规模化商业生产中存在的不足,展望了未来研究及发展的方向.     

SiC_p/Al-Si复合材料中SiC/Al界面处亚晶铝带的研究

通过利用 TEM研究 Si Cp/ Al- Si复合材料发现 :Si C/ Al界面结合紧密 ,在靠近 Si C界面的 Al基体中 ,有一层厚度小于 1μm的“亚晶铝带”,它紧靠 Si C表面形成 ,与远离 Si C的 Al基体有几度的位向差 ;这种“亚晶铝带”在 Si C/ Al界面上普遍存在 ,其内有大量位错。     

原位合成Al3Ti增强轻金属基复合材料的研究现状

综述了原位合成Al3Ti/Al和Al3Ti/Mg基复合材料的研究现状。重点介绍了原位合成Al3Ti的反应体系、复合材料的制备方法及微观组织特点,指出了原位合成Al3Ti/Al和Al3Ti/Mg基复合材料在目前研究中所存在的主要问题及今后的研究方向。     

电子能量损失谱及其在纳米多层膜研究中的应用

本文介绍了电子能量损失谱的基本原理、能量过滤成像分析及应用电子能量损失谱计算碳同素异构体的电子密度和sp^2 键结构的含量。同时应用透射电镜（TEM）和电镜配置的能量过滤成像系统（gatan imaging filter），结合电子能量损失谱研究类金刚石（a-C／Ta—C）和Al／AlN两种纳米多层膜的形态、结构和膜中各元素的分布。结果显示透射电镜观察配合电子能量损失谱在纳米多层膜表征中将会扮演一个重要角色。     

应用于FED Al/Ag/Al导电复合薄膜的研究

利用Ag的高温抗氧化能力,采用磁控溅射沉积Al/Ag/Al导电复合薄膜,并在480℃下进行热处理。扫描电子显微镜（SEM）和能谱分析（EDS）研究表明磁控溅射的Al/Ag/Al导电复合薄膜表面平整,热处理后表面Al膜生成致密的氧化层。溅射沉积和热处理过程中Ag和Al原子的相互扩散,最后形成富Ag的Ag-Al合金和Ag3Al化合物。Al/Ag/Al导电复合薄膜比Ag/Al复合薄膜的电阻率增大了一个数量级,导电复合薄膜热处理后导电性能更优,电阻率约为19.4×10-6Ω.cm。     

原位内生Al/M g2Si/S i 复合材料铸态组织研究

利用普通重力铸造方法, 制备了原位内生A l/Mg₂Si/S i 复合材料。研究了体系中加入过量Si 后的显微组织, 并利用Al-Mg₂Si-Si 三元相图进行分析。结果表明, 过量Si 使复合材料中的大长径比的Al+ Mg₂Si 二元共晶向小长径比的Al+ Mg₂Si+ Si 三元共晶转化, 并使α-Al 以球状晶粒析出, 从而改善了显微组织, 显著提高了复合材料的室温拉伸性能。